Продукція > SI4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 30 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4431BDY-T
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+87.18 грн
223+63.22 грн
500+51.63 грн
1000+48.93 грн
2500+33.50 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4431BDY-T1-E3
Код товару: 127262
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+130.15 грн
10+87.71 грн
100+63.60 грн
500+50.10 грн
1000+45.58 грн
2500+32.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V (D-S) 7.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4431BDY-T1-GE3 - P CH MOSFET
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 7.5A 2.5W 30mohm @ 10V
на замовлення 6891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-TI-E3
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDYT1E3VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; 4.2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9A
Power dissipation: 4.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4431CDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4431CDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 4855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-E3
Код товару: 179028
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Супервізори напруги, контролери заряду
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-E3VISHAY08NOPB
на замовлення 201 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 4645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.82 грн
10+58.48 грн
100+39.20 грн
500+30.78 грн
1000+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 30219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.66 грн
10+48.99 грн
100+34.88 грн
500+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.04 грн
5000+31.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 4109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3SiliconixP-MOSFET 30V 9A 2.5W 32mΩ SI4431CDY-T1-GE3 TSI4431cdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+22.58 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.7W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -7.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
на замовлення 2042 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.88 грн
10+67.70 грн
50+46.78 грн
100+40.19 грн
500+29.90 грн
1000+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+71.41 грн
229+61.38 грн
500+45.51 грн
1000+39.74 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.25 грн
5000+31.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.39 грн
15+52.85 грн
25+30.99 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CI
на замовлення 418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431DT-TI-E3
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431DYONSEMIDescription: ONSEMI - SI4431DY - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1359 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431DYVISHAYSOP8
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431DYON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 6697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1304+26.96 грн
Мінімальне замовлення: 1304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431DYVishay / SiliconixMOSFETs 30V 7A 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431DYFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL MOSFET
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 8458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
865+23.27 грн
Мінімальне замовлення: 865 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431DYonsemi / FairchildMOSFETs SO8 PCH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431DY-E1
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431DY-T1VISHAY
на замовлення 8690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431DY-TI
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431DYSOP-8
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431DYT1VISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431DYT1E3VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4432
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4432 wireless module
Код товару: 84546
3 Додати до обраних Обраний товар
Модульні елементи > Радіомодулі
Функціональний опис: Приймач до 1000 метрів модуль; 240-960mhz; Frequency Range: 433.92M; Sensitivity up to-121dBm; Data transfer rate: 0.123-256kbps;
Живлення, В: 1,8...3,6 В
Тип зв'язку: RF
Частота: 433 МГц
Інтерфейс: FIFO
у наявності: 4 шт
  • 4 шт - склад
1+170.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4432-A0-FMSilicon LabsRF Transceiver Tranceivers - IA4432
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4432-B1-FMSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1105.66 грн
10+938.75 грн
25+876.75 грн
100+768.58 грн
490+641.91 грн
980+586.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4432-B1-FMSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1105.66 грн
10+938.75 грн
25+876.75 грн
100+768.58 грн
490+641.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4432-B1-FMSkyworks SolutionsCategory: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: RF transceiver; 256kbps; 1.8÷3.6VDC; SPI; SMD; QFN20; 450nA
Type of integrated circuit: RF transceiver
Data transfer rate: 256kbps
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
Interface: SPI
Mounting: SMD
Case: QFN20
Integrated circuit features: integrated voltage regulator; PoR; RSSI
Operating temperature: -40...85°C
DC supply current: 85mA
Communictions protocol: ISM
Frequency: 240...930MHz
Quiescent current: 450nA
Kind of modulation: FSK; GFSK; OOK
Transmitter output power: 20dBm
TX/RX buffer size: 64 B/64 B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4432-B1-FMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 3
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4432-B1-FMSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1105.66 грн
15+938.75 грн
25+876.75 грн
100+768.58 грн
490+641.91 грн
980+586.77 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4432-B1-FMSilicon LabsSI4432-B1-FM SI4432
кількість в упаковці: 91 шт
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4432-B1-FMSilicon LabsRF Transceiver +20 dBm sub-GHz Transceiver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4432-B1-FM
Код товару: 104636
Додати до обраних Обраний товар

8542399000
8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4432-B1-FMRSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4432-B1-FMR - HF-Transceiver, ISM, 240MHz bis 930MHz, -121dBm, (G)FSK, OOM, 123B/s bis 256kB/s, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 85mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Hausautomatisierung, Fernsteuerung und -messung, RKE-Systeme (Remote Keyless Entry), Sicherheitssysteme
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 5A991.b.4.b
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 240MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 18.5mA
Empfindlichkeit (dBm): -121dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 256Kbps
Frequenzgang HF, max.: 930MHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 240MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 930MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4432-B1-FMRSilicon LabsQFN 20/I°/+20DBM SI4432 EZRADIOPRO TRANSCEIVER (REV B1) SI4432
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4432-B1-FMRSilicon LabsRF Transceiver +20 dBm sub-GHz Transceiver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4432-B1-FMRSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4432-B1-FMR - HF-Transceiver, ISM, 240MHz bis 930MHz, -121dBm, (G)FSK, OOM, 123B/s bis 256kB/s, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 85mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Hausautomatisierung, Fernsteuerung und -messung, RKE-Systeme (Remote Keyless Entry), Sicherheitssysteme
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 5A991.b.4.b
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 240MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 18.5mA
Empfindlichkeit (dBm): -121dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 256Kbps
Frequenzgang HF, max.: 930MHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 240MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 930MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4432-B1-FMRSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4432-B1-FMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 3
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4432-B1-ZM2Silicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +20dBm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4432-B1-ZM2RSilicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +20dBm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4432-MODUL-868MHzHXJМодуль Бездротові модулі та аксесуари для частоти 2,4ГГц
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4432-V2-FMSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4432-V2-FMSilicon LabsSI4432-V2-FM SI4432
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4432-V2-FMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -118dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 128kbps
Current - Transmitting: 27mA ~ 80mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 3
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4432-V2-FMRSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4432-V2-FMR
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4432-V2-FMRSilicon LabsRF Transceiver +20 dBm sub-GHz Transceiver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4432-V2-FMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4432B1FMR
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4432V2FMRSilicon LabsSI4432-V2-FMR SI4432
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4433
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4433BM
на замовлення 503 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4433DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4433DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4433DYT1E3VISHAY
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434SISOP-8
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4434ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 4.1 A, 0.125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 4.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 6
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: ThunderFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.125
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434ADY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 2.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434ADY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 250V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4434ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 4.1 A, 0.125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 4.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 6
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: ThunderFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.125
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434ADY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 4.1A; Idm: 25A; 6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO Транзистори
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+167.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+337.11 грн
60+235.68 грн
100+171.42 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 250V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.56 грн
10+174.93 грн
100+123.22 грн
500+94.94 грн
1000+88.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 30 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]