Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFU120NInternational RectifierTranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 9,4A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFU120N; IRFU120N TIRFU120n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 35212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
679+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 679 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBFInternational RectifierMOSFET 100V 9.4A IPAK=TO-251AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.20 грн
75+25.42 грн
150+24.26 грн
525+22.52 грн
1050+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+72.41 грн
11+40.51 грн
25+36.65 грн
50+33.79 грн
75+32.11 грн
150+31.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 8190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.92 грн
22+35.42 грн
100+33.17 грн
500+31.09 грн
1000+25.22 грн
2500+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF
Код товару: 101754
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 8190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+35.59 грн
426+33.32 грн
500+32.40 грн
1000+27.36 грн
2500+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 9.1A 210mOhm 16.7nC
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.17 грн
13+26.66 грн
100+21.79 грн
500+21.23 грн
1000+19.48 грн
3000+18.64 грн
9000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 5014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+46.76 грн
316+44.88 грн
500+43.26 грн
1000+40.36 грн
2500+36.26 грн
5000+33.87 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.39 грн
19+43.58 грн
100+38.94 грн
500+29.96 грн
1000+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 9,4 А, Ptot, Вт = 48, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 210 мОм @ 5.6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
75+28.05 грн
150+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120PBF
Код товару: 114583
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO251 100V 7.7A N-CH MOSFET
на замовлення 4324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.45 грн
10+36.94 грн
100+31.14 грн
500+31.07 грн
1000+29.33 грн
3000+29.26 грн
6000+28.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.18 грн
22+38.37 грн
100+36.74 грн
500+30.71 грн
1000+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+48.46 грн
900+44.28 грн
1350+41.20 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
на замовлення 3680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.62 грн
75+61.11 грн
150+54.95 грн
525+43.34 грн
1050+39.77 грн
2025+36.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120SPU08N10IN
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120TU
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120ZIR
на замовлення 14450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.7A IPAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120_R4941onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8.4A I-PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU121TU
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU12N25DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 14A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU12N25DIR07+
на замовлення 14550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU12N25DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 14A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU130ATUONSEMIDescription: ONSEMI - IRFU130ATU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
891+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 891 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU130ATU
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU130ATUFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
на замовлення 8698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+30.67 грн
Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU13N15DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 14A I-PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU13N15DIR05+
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU13N15DPBFInternational RectifierSMPS MOSFET, 150V, 14A, 0,18 Ohm, I-Pak (TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU13N20DInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube IRFU13N20D TIRFU13n20d
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+47.58 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU13N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 13A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU13N20DPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 200V 13A 235mOhm 25nC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU13N20DPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 14A; 110W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU15N20D
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU15N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 17A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6525 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU18N15DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 18A I-PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1920Harris CorporationDescription: RF MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+37.40 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1N60AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1N60ASiliconixTrans MOSFET N-CH 600V 1.4A IRFU1N60A TIRFU1N60A
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+34.32 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1N60APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO251 600V 1.4A N-CH MOSFET
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.04 грн
10+70.42 грн
100+55.09 грн
500+46.30 грн
1000+39.45 грн
3000+39.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1N60APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 36W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1N60APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU1N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.4 A, 7 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.97 грн
12+69.90 грн
100+62.97 грн
500+49.70 грн
1000+42.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1N60APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.04 грн
75+65.49 грн
150+58.91 грн
525+46.49 грн
1050+42.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU210Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU210PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU210Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.6A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU210
Код товару: 77782
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU210A
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU210B
на замовлення 675 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU210PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU210PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.24 грн
20+42.61 грн
100+34.62 грн
500+27.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU210PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.90 грн
16+47.98 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU210PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO251 200V 2.6A N-CH MOSFET
на замовлення 4172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.28 грн
12+28.75 грн
100+22.48 грн
500+19.90 грн
1000+19.34 грн
3000+17.46 грн
6000+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU210PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU210PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.6A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 11306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.48 грн
75+50.01 грн
150+44.91 грн
525+35.33 грн
1050+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU210PBFVISHAY
на замовлення 825 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU210PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+47.98 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU210TU
на замовлення 483 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU214Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFU214PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU214Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.2A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU214BTUFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU214BTU_FP001onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 2.2A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU214PBFVISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU214PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 2.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU214PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.2A; Idm: 8.8A; 25W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.2nC
On-state resistance: 2Ω
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 8.8A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 25W
Drain-source voltage: 250V
Case: IPAK; TO251
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU214PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.2A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 2255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.83 грн
75+60.56 грн
150+54.38 грн
525+42.78 грн
1050+39.21 грн
2025+36.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU214PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 2.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU214PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO251 250V 2.2A N-CH MOSFET
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.34 грн
10+62.47 грн
100+47.20 грн
500+41.06 грн
1000+37.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU214TU
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFU220PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220Harris CorporationDescription: 4.6A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 13235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+86.17 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220B
Код товару: 185591
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 200 V
Idd,A: 2,9 A
Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/12
Монтаж: THT
у наявності: 77 шт
  • 43 шт - склад
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+38.50 грн
10+35.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220Bonsemi BF 200V 800MOHM IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220BTUFairchild SemiconductorDescription: IRFU220 - HEXFET N-CHANNEL POWER
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+90.24 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220BTUON SemiconductorIRFU220BTU
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+125.21 грн
500+112.69 грн
1000+103.93 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220BTUONSEMIDescription: ONSEMI - IRFU220BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
401+78.04 грн
Мінімальне замовлення: 401 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220BTU-AM002onsemi / FairchildMOSFET N-Ch 200V 4.6A 0.8OHM
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.66 грн
10+68.18 грн
100+46.23 грн
500+38.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220BTU-AM002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 4.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5040+34.01 грн
10080+32.76 грн
Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220BTU-AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220BTU_F080onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220BTU_FP001onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NInternational RectifierN-MOSFET 5A 200V 43W IRFU220N TIRFU220n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+33.24 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+80.76 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+112.46 грн
295+48.10 грн
356+39.88 грн
500+34.81 грн
1000+30.12 грн
2000+27.22 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 5A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFU220NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.98 грн
21+38.94 грн
100+35.11 грн
500+30.56 грн
1000+26.95 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.40 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]