Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFU020
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU020Vishay / SiliconixMOSFET N-Chan 50V 15 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU020Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU020
Код товару: 110891
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU020PBFVishay Siliconix14 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU020PBFVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 50V 15 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU020PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024ATUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 75mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFU024N; IRFU024NAKLA1; IRFU024N TIRFU024n
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+36.68 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.88 грн
1051+127.95 грн
2721+105.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBF
Код товару: 112197
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 370/20
Монтаж: THT
у наявності: 5 шт
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+45.00 грн
10+40.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 17
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 45
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFInternational RectifierPOWER MOSFET,55V,17A, 0,10Ом,TO-251AA ,-55..+155C, Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Id = 17 А, Ptot, Вт = 45, Udss, В = 55, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 370 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 75 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFAKLA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFAKLA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A IPAK Tube
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
560+63.09 грн
Мінімальне замовлення: 560 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFAKLA1Infineon TechnologiesMOSFETs PLANAR 40<-<100V
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFAKLA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFAKLA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A IPAK Tube
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
560+63.09 грн
1000+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 560 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 14 A, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 640 пФ @ 25 D, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 8.4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+41.95 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO251 N-CH 60V 14A
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1423 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+116.69 грн
7+65.35 грн
10+62.39 грн
25+59.76 грн
50+57.48 грн
75+55.62 грн
150+52.48 грн
1050+44.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBFVishay SiliconixTrans MOSFET N-CH 60V 14A IPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
184+76.99 грн
191+74.02 грн
500+71.60 грн
1000+63.23 грн
Мінімальне замовлення: 184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.34 грн
75+81.55 грн
150+73.58 грн
525+58.41 грн
1050+53.80 грн
2025+50.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBF
Код товару: 49505
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 14 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 640/25
Примітка: MOSFET
Монтаж: THT
у наявності: 15 шт
  • 5 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+100.00 грн
10+92.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU024PBF - N CHANNEL MOSFET, 60V, 14A, IPAK
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 14
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1010ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1010ZPBFIR06+
на замовлення 20400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1010ZPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 91A 7.5mOhm 63nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1010ZPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
383+53.30 грн
Мінімальне замовлення: 383 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1018EPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1018EPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 60V 56A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+54.67 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU110Harris CorporationDescription: 4.7A 100V 0.540 OHM N-CHANNEL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU110onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU110VishayN-MOSFET 4,3A 100V 2,5W IRFU110 TIRFU110
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
75+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU110Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1109110IR
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU110ATU
на замовлення 3580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 6225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.13 грн
75+75.29 грн
150+67.47 грн
525+54.31 грн
1050+45.96 грн
2025+40.82 грн
5025+37.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU110PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 6214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+40.43 грн
387+36.56 грн
396+35.69 грн
525+34.07 грн
1050+29.01 грн
2025+27.22 грн
5025+26.95 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU110PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.11 грн
10+92.95 грн
75+65.58 грн
150+55.27 грн
525+46.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU110PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO251 100V 4.3A N-CH MOSFET
на замовлення 8362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120Infineon / IR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120-VBVBsemiN-MOSFET 7.7A 100V 2.5W IRFU120 TIRFU120
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+34.13 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1205IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1205Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 44A IPAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1205PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 37A 27mOhm 43.3nC
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1205PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 44A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1205PBFInternational RectifierIPAK=TO-251AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120ATUONSEMIDescription: ONSEMI - IRFU120ATU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120ATUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+83.48 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120ATUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 8.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+138.77 грн
500+124.66 грн
1000+114.74 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120ATUonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NInternational RectifierTranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 9,4A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFU120N; IRFU120N TIRFU120n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.18 грн
1571+125.13 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 14425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
829+42.56 грн
1000+39.24 грн
10000+35.00 грн
Мінімальне замовлення: 829 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF
Код товару: 101754
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.47 грн
9000+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 16275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.40 грн
9000+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
829+42.56 грн
1000+39.24 грн
10000+35.00 грн
Мінімальне замовлення: 829 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 14777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
829+42.56 грн
1000+39.24 грн
10000+35.00 грн
Мінімальне замовлення: 829 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBFInternational RectifierMOSFET 100V 9.4A IPAK=TO-251AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
на замовлення 3837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
829+42.56 грн
1000+39.24 грн
Мінімальне замовлення: 829 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+72.93 грн
11+40.80 грн
25+36.91 грн
50+34.03 грн
75+32.34 грн
150+31.74 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 35212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.17 грн
16+49.20 грн
100+44.61 грн
500+40.16 грн
1000+31.11 грн
3000+29.57 грн
9000+29.27 грн
24000+28.98 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 35212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+93.73 грн
286+49.50 грн
315+44.89 грн
500+40.41 грн
1000+31.31 грн
3000+29.75 грн
9000+29.45 грн
24000+29.15 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 9,4 А, Ptot, Вт = 48, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 210 мОм @ 5.6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
75+28.05 грн
150+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 9.1A 210mOhm 16.7nC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+48.24 грн
900+44.09 грн
1350+41.02 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO251 100V 7.7A N-CH MOSFET
на замовлення 4324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
на замовлення 3680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.62 грн
75+61.55 грн
150+55.34 грн
525+43.65 грн
1050+40.06 грн
2025+37.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120PBF
Код товару: 114583
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120SPU08N10IN
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120TU
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120ZIR
на замовлення 14450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.7A IPAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]