Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFU2307ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU230BTU
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2405PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+89.36 грн
500+80.42 грн
1000+74.16 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2405PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 56A 16mOhm 70nC
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2405PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFU2405PBF - PLANAR 40 100V
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2405PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 56A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2405PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+89.36 грн
500+80.42 грн
1000+74.16 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2405PBFAKLA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFU2405PBFAKLA1 - IRFU2405PBF - HEXFET POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2405PBFAKLA1Infineon TechnologiesIRFU2405PBFAKLA1
на замовлення 18627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+99.59 грн
500+89.64 грн
1000+82.66 грн
10000+71.07 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2405PBFAKLA1Infineon TechnologiesIRFU2405PBFAKLA1
на замовлення 1147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+99.59 грн
500+89.64 грн
1000+82.66 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2407Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU24N15D
на замовлення 7135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU24N15DHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2607ZPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 75V 45A 22mOhm 34nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2607ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 42A IPAK
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2905ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2905ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 1.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310BTUFAIRCHILDIRFU310BTU
на замовлення 6670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2280+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 2280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310BTUFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 850mA,10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 102695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1514+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 1514 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310BTUFAIRCHILDIRFU310BTU
на замовлення 58325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2280+15.48 грн
10000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 2280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310BTUFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Id = 1,7 А, Ptot, Вт = 2,5, Udss, В = 400, Тип монт. = вивідний, Rds = 2,7 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 30 В,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 70 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310BTUFAIRCHILDIRFU310BTU
на замовлення 37700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2280+15.48 грн
10000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 2280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310BTUONSEMIDescription: ONSEMI - IRFU310BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 102695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2671 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310PBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 400V 1.7 Amp
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+57.16 грн
270+52.29 грн
600+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 247 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310PBFVishay/IRN-канальний ПТ, Id = 1,7 А, Ptot, Вт = 2,5, Udss, В = 400, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 170 @ 25, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 3,6 Ом @ 1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU310PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.7 A, 3.6 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310PBF
Код товару: 32370
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Idd, А: 1,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,6 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 170/12
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.34 грн
10+42.41 грн
75+31.83 грн
150+29.12 грн
600+25.99 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 1.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=400V, Id=1.7A@T=25C, Id=1.1A@T=100C, Rds=3.6 R, P=25W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310TUSAMSUNG
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFU320PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320
Код товару: 3361
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+63.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 572 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+86.60 грн
10+52.82 грн
25+47.49 грн
75+43.17 грн
150+41.39 грн
525+38.43 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+69.83 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320PBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 400V 3.1 Amp
на замовлення 3688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU320PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 2134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.28 грн
75+67.29 грн
150+60.49 грн
525+47.69 грн
1050+43.76 грн
2025+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320PBF(транзистор)
Код товару: 71845
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU321Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU322Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
898+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 898 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU32DIORTO220/
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3303IR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3303Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 33A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3303PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 33A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU330BTUONSEMIDescription: ONSEMI - IRFU330BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU330BTUFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 4090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 1025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3410Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 31A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3410PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 31A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.14 грн
75+50.10 грн
150+43.37 грн
525+36.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3410PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFU3410PBF - IRFU3410 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 73723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 604 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 52852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
724+48.74 грн
1000+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 724 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3410PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.18 грн
18+42.67 грн
100+40.39 грн
500+35.44 грн
1000+29.82 грн
3000+28.04 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 9614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
724+48.74 грн
1000+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 724 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3410PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 31A 39mOhm 37nC
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
724+48.74 грн
1000+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 724 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
724+48.74 грн
1000+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 724 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
196+72.33 грн
213+66.33 грн
240+58.92 грн
254+53.75 грн
500+47.57 грн
1000+40.02 грн
Мінімальне замовлення: 196 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
328+43.03 грн
347+40.73 грн
500+37.06 грн
1000+32.48 грн
3000+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 328 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3412IR
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3412PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 48A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3418PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 70A IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6525 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3504PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3504ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3504ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3518
Код товару: 52680
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3518-701PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 38A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3518PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 80V 38A IPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3518TRL-701IR05+
на замовлення 8485 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607Infineon TechnologiesArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607International RectifierN-MOSFET 56A 75V 140W IRFU3607 TIRFU3607
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+34.77 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607-701PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 56A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2464+37.25 грн
Мінімальне замовлення: 2464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607PBFInfineonТранзистор N-MOSFET, полевой, 75В, 80А, 140Вт; IPAK Транзистори
на замовлення 490 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
14+56.88 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.39 грн
75+52.86 грн
150+51.09 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
241+58.61 грн
242+58.42 грн
246+55.34 грн
2000+51.16 грн
3000+49.03 грн
Мінімальне замовлення: 241 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFU3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 7340 µohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7340µohm
на замовлення 1233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607PBF
Код товару: 191828
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+78.44 грн
500+75.10 грн
1000+70.94 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+86.60 грн
75+65.18 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+52.36 грн
273+51.85 грн
282+50.10 грн
Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607TRL701PInfineon / IRMOSFET MOSFET, 75V, 80A, 9 Ohm, 56 nC Qg, I-Pak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607TRL701PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 75V 56A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3704Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 75A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3704
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]