Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
269+52.52 грн
276+51.19 грн
Мінімальне замовлення: 269 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 15A 115mOhm 29.3nC
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.36 грн
75+45.47 грн
150+40.70 грн
525+31.81 грн
1050+29.05 грн
2025+26.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 16A I-PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBF
Код товару: 77965
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251AA
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 16 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,115 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 640/44
Монтаж: THT
у наявності: 15 шт
  • 5 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+22.00 грн
10+19.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
357+39.64 грн
358+39.51 грн
500+39.40 грн
Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.3nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.75 грн
150+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFU3910PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.76 грн
15+52.08 грн
100+50.77 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3911PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 14A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4101TRL-701IR05+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4104
Код товару: 99521
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 42 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2950/59
Монтаж: THT
у наявності: 2 шт
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+33.00 грн
10+29.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4104IR04+
на замовлення 19425 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4104-701PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4104PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4104PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 40V 119A 5.5mOhm 59nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 27A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 27A IPAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 25A 45mOhm 22.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZInternational RectifierN-MOSFET 30A 55V 48W IRFU4105Z TIRFU4105z
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+33.92 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 30A 24.5mOhm 18nC Qg
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFU4105ZPBF - IRFU4105 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 690 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZPBF
Код товару: 43658
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 30A I-PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 30A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZPBF-IRInternational RectifierDescription: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
717+31.44 грн
Мінімальне замовлення: 717 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZTRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO251AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU410A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU410BTU
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420SiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 3Ohm; 2,4A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFU420 IRFU420 TIRFU420
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420ASiliconixN-MOSFET 3.3A 500V 83W IRFU420A TIRFU420a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+35.61 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420ASiliconixN-MOSFET 3.3A 500V 83W IRFU420A TIRFU420a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+35.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 3.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; Idm: 10A; 83W
Case: IPAK; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Drain current: 3.3A
On-state resistance: 3Ω
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 3.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420APBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 3.3 Amp
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU420APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.3 A, 3 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420BFAIRCHILDTO-251
на замовлення 80640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420BTUFAIRCHILDTO-251
на замовлення 26262 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420BTUonsemi / FairchildMOSFETs 500V N-Channel B-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420BTUONS/FAII-PAK (TO251) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.73 грн
32+23.53 грн
75+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+62.17 грн
241+58.74 грн
300+56.77 грн
525+52.96 грн
1050+47.39 грн
2025+43.92 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.41 грн
75+68.87 грн
150+62.08 грн
525+49.20 грн
1050+45.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; 42W; IPAK,TO251
Case: IPAK; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 3Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.98 грн
9+48.53 грн
10+43.60 грн
25+38.58 грн
75+33.81 грн
150+31.97 грн
300+30.88 грн
525+29.87 грн
1050+28.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420PBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 2.4 Amp
на замовлення 9623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420TU
на замовлення 59220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU421Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+42.55 грн
Мінімальне замовлення: 478 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU422Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+32.06 грн
Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430AIRFU430A Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430APBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 5.0 Amp
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430APBFInternational RectifierN-CH. 500V 5.0A IPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.08 грн
10+122.15 грн
100+83.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430APBF (транзистор)
Код товару: 52948
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 3,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,7 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 490/24
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430BTUFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 6609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
757+27.02 грн
Мінімальне замовлення: 757 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430BTUON SemiconductorIRFU430BTU
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1140+30.95 грн
Мінімальне замовлення: 1140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430BTUONSEMIDescription: ONSEMI - IRFU430BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430BTUON SemiconductorIRFU430BTU
на замовлення 5177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1140+30.95 грн
Мінімальне замовлення: 1140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510International RectifierTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube IRFU4510 TIRFU4510
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+62.76 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 143W
Technology: HEXFET®
на замовлення 905 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+148.69 грн
5+92.88 грн
10+85.35 грн
50+70.29 грн
75+66.94 грн
150+60.25 грн
450+57.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFU4510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.0111 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+116.05 грн
500+104.44 грн
1000+96.32 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+220.57 грн
224+63.20 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBFIRFU4510PBF Транзисторы FETKY
на замовлення 94 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 56A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.00 грн
75+81.24 грн
150+73.33 грн
525+58.25 грн
1050+53.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 64A 14.5mOhm HEXFET 140W 50nC
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+116.05 грн
500+104.44 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4615International RectifierN-MOSFET 33A 150V 144W IRFU4615 TIRFU4615
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
15+49.61 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4615Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4615International Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Id = 33, Ptot, Вт = 144, Udss, В = 150, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1750 @ 50, Qg, нКл = 26 @ 10 В, Rds = 42 мОм, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В @ 100 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4615PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
на замовлення 6390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.04 грн
75+84.34 грн
150+76.18 грн
525+60.59 грн
1050+55.87 грн
2025+52.10 грн
5025+50.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 5410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+112.66 грн
134+105.49 грн
139+102.20 грн
200+93.90 грн
1000+75.49 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4615PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 150V 33A IPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+81.71 грн
192+73.84 грн
250+73.10 грн
500+64.19 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.90 грн
10+81.03 грн
100+73.23 грн
250+69.91 грн
500+58.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4615PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFU4615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.042 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 7631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
377+93.78 грн
500+89.79 грн
1000+84.80 грн
Мінімальне замовлення: 377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4615PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4620PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU48Z
Код товару: 99522
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 42 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 11 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1720/40
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+23.50 грн
10+21.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU48ZIR05+
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU48ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]