Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFW820BFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW820BTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 1110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW820BTMIRTO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW820BTMONSEMIDescription: ONSEMI - IRFW820BTM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1336+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 1336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW820TMIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW830AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW830BFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW830B-TFFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW830BTMIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW840AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW840BFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW840BTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
433+46.07 грн
Мінімальне замовлення: 433 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW840BTMONSEMIDescription: ONSEMI - IRFW840BTM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
764+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 764 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW840BTMIRTO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFWZ14AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFWZ24AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFWZ34AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFWZ44AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY130Semelab (TT electronics)Trans MOSFET N-CH 100V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-257AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY130Semelab / TT ElectronicsMOSFET POWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY130Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY130CMInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY130CMInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14.4A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY130CMSCXInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14.4A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA Isolated
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY130CMSCXInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY140Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY140Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY140CMInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY140CMSCVInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY140CMSCVInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY140CMSCXInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-257
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY140CSCXInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY140CSCXInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY240Semelab (TT electronics)Trans MOSFET N-CH 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-257AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY240Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY240Semelab / TT ElectronicsMOSFET MOSFET TO220 METAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY240-QR-BTT Electronics - IoT SolutionsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY240CMInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY240CMInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY440Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY440Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY440CInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY440CInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY440CMInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY440CMInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY9130TT Electronics - IoT SolutionsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY9130Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY9130Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 11.2A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY9130-QR-BSemelab / TT ElectronicsMOSFET POWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY9130-QR-BSemelab (TT electronics)Trans MOSFET P-CH 100V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-257AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY9130CInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY9130CInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 11.2A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY9130CMInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY9130CMInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 11.2A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY9130CMSCVInfineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY9130CMSCVInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 11.2A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY9140-QR-BSemelab (TT electronics)Trans MOSFET P-CH 100V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-257AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY9240CMInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 200V 9.4A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY9240CMInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ10Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ10PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ10PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFZ10PBF - N CHANNEL MOSFET, 60V, 10A
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
directShipCharge: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ10PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ10PBFVishay / SiliconixMOSFETs TO220 N-CH 60V 10A
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+162.93 грн
10+90.74 грн
100+59.84 грн
500+48.53 грн
1000+42.52 грн
2000+39.38 грн
5000+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ10PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 40A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ120IR00+
на замовлення 323 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14SiliconixN-MOSFET 10A 60V 43W 0.20Ω IRFZ14 IRFZ14 TIRFZ14
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A TO262-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 47886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.40 грн
50+70.65 грн
100+63.30 грн
500+47.28 грн
1000+43.38 грн
2000+40.10 грн
5000+35.96 грн
10000+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 483 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.28 грн
11+39.67 грн
50+33.96 грн
100+32.78 грн
150+32.02 грн
250+31.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBFTO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBF
Код товару: 39866
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 45 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/11
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+14.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 N-CH 60V 10A
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.04 грн
10+75.24 грн
100+58.45 грн
500+36.73 грн
1000+33.59 грн
2000+30.65 грн
5000+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFZ14PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.49 грн
13+66.56 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+59.93 грн
242+58.61 грн
250+57.02 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 N-CH 60V 10A
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.16 грн
10+61.43 грн
100+42.59 грн
500+35.68 грн
1000+32.61 грн
2000+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.40 грн
50+70.65 грн
100+63.30 грн
500+47.28 грн
1000+43.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14SPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFZ14SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.2 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.82 грн
10+92.87 грн
100+62.89 грн
500+46.45 грн
1000+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14SPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 60V 10 Amp 200mohm @ 10V
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.78 грн
10+97.97 грн
100+57.40 грн
500+45.67 грн
1000+41.83 грн
2000+38.61 грн
5000+38.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.26 грн
10+91.91 грн
100+62.18 грн
500+46.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14STRLPBFVishay / SiliconixMOSFETs MOSFET N-Channel 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ20Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFZ20PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ20Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ20VishayTrans MOSFET N-CH 50V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ20SEC9818 TO-220
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223  [ Наступна Сторінка >> ]