Продукція > SI5

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI5446DU-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V Vds PowerPAK ChipFET -/+8V Vgs
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5447DC-T1
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5447DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5447DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5447DC-TI
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5447DC-TI-E3
на замовлення 4906 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si5448DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 25A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.75mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5448DU-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI5448DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.00646 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00646ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.72 грн
22+36.72 грн
100+26.36 грн
500+18.51 грн
1000+14.81 грн
5000+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5448DU-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si5448DU-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
на замовлення 50350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si5448DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 25A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5448DU-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI5448DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.00646 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00646ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.36 грн
500+18.51 грн
1000+14.81 грн
5000+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5448DU-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.84 грн
32+23.98 грн
100+21.08 грн
250+19.33 грн
500+17.25 грн
1000+16.61 грн
3000+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5448DU-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
590+23.98 грн
647+21.87 грн
654+21.65 грн
703+19.40 грн
1000+17.30 грн
3000+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 590 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5449DC-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5449DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5449DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI544B
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5456DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5456DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5456DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5457DC-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5457DC-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET
на замовлення 128457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5457DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.24 грн
6000+11.71 грн
9000+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5457DC-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI5457DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.036 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 76236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.93 грн
500+14.33 грн
1000+12.95 грн
5000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5457DC-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5457DC-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5457DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 9209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.79 грн
10+33.21 грн
100+21.50 грн
500+15.43 грн
1000+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5457DC-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI5457DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.036 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 76236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.07 грн
32+25.31 грн
100+19.93 грн
500+14.33 грн
1000+12.95 грн
5000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5458DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 10.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.54 грн
10+38.28 грн
100+24.92 грн
500+17.99 грн
1000+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5458DU-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 20A; 10.4W
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® ChipFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9nC
Drain current: 6A
On-state resistance: 51mΩ
Power dissipation: 10.4W
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5458DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 10.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5458DU-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
на замовлення 7998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5459DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 8A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 10.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 10 V
на замовлення 3891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.87 грн
10+39.18 грн
100+25.56 грн
500+18.47 грн
1000+16.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5459DU-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5459DU-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK ChipFET
на замовлення 16918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5459DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 8A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 10.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI545ABA156M250ABGSilicon LaboratoriesDifferential/single-ended; single frequency XO; 0.2-1500 MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5461EDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A CHIPFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5461EDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A CHIPFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5463DC-T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5463DC-T1-E3
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5463EDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5463EDC-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5463EDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5463EDC-TISI1 TO23-6
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5465EDCSI
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5468DC-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI5468DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.023 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7mW
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.45 грн
500+12.98 грн
1000+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5468DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.26 грн
6000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5468DC-T1-GE3VISHAYSOT26/SOT363
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5468DC-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5468DC-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI5468DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.023 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 5.7mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 4220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.92 грн
29+27.80 грн
100+18.80 грн
500+16.27 грн
1000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5468DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 7201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.07 грн
13+24.18 грн
100+15.46 грн
500+10.97 грн
1000+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5468DC-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET
на замовлення 65502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5471DC
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5471DC-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
569+24.87 грн
573+24.69 грн
578+24.50 грн
582+23.44 грн
Мінімальне замовлення: 569 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5471DC-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5471DC-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI5471DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.02 ohm, 1206, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: 1206
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.16 грн
500+21.86 грн
1000+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5471DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2945 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.93 грн
6000+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5471DC-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET
на замовлення 47467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5471DC-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5471DC-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI5471DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.02 ohm, 1206, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: 1206
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.52 грн
23+35.12 грн
100+27.16 грн
500+21.86 грн
1000+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5471DC-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.24 грн
31+24.87 грн
100+23.80 грн
250+21.87 грн
500+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5471DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2945 pF @ 10 V
на замовлення 10099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.94 грн
10+45.59 грн
100+29.89 грн
500+21.73 грн
1000+19.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5473DC-T
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5473DC-T1VISHAY
на замовлення 6900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5473DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5473DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5475BDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5475BDC-T1-E3
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5475BDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5475DCVISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5475DC-T1VISHAY0421+
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5475DC-T1-E3
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5475DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 1mA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5475DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 1mA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5475DDC-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 12V 6.0A 5.7W 32mohm @ 4.5V
на замовлення 3956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5475DDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5475DDC-T1-GE3Vishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5475DDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5476DU-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5476DU-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5476DU-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.80 грн
10+133.92 грн
25+132.60 грн
100+99.21 грн
250+90.94 грн
500+71.70 грн
1000+60.18 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5476DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 12A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.76 грн
10+76.34 грн
100+51.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5476DU-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
на замовлення 5440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5476DU-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI5476DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.028 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 31
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 31
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5476DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 12A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5479DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 17.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5480DU
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5480DU-T1-E3
на замовлення 21947 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5480DU-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5480DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5481DU-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 17.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5481DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 17.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5482DU-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5482DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5484DU-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5484DU-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5484DU-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5484DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224  [ Наступна Сторінка >> ]