Продукція > CSD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
CSD25310Q2TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -20A; Idm: 48A; 2.9W; WSON6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 2.9W
Case: WSON6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25310Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 20A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
438+32.41 грн
618+22.97 грн
778+18.23 грн
1000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 438 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25310Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 20A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25310Q2G4Texas InstrumentsCurrent Sense Amplifiers #NAME?
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25310Q2TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -20A; Idm: 48A; 2.9W; WSON6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 2.9W
Case: WSON6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25310Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.9mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.17 грн
10+69.70 грн
100+46.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25310Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 20A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25310Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 20A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+134.13 грн
153+92.91 грн
246+57.82 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25310Q2TTexas InstrumentsMOSFETs -20-V P channel Nex FET power MOSFET si A 595-CSD25310Q2
на замовлення 16705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.59 грн
10+73.75 грн
100+37.28 грн
500+32.03 грн
1000+28.86 грн
2500+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25310Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.9mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 11750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+42.16 грн
500+36.82 грн
750+34.89 грн
1250+30.71 грн
1750+29.51 грн
2500+28.34 грн
6250+25.35 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25310Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 20A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25310Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 20A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25401Q3Texas InstrumentsMOSFET P-Ch NexFET Power MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25401Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 14A/60A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25401Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 14A/60A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25402Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25402Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 212500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.98 грн
5000+30.28 грн
12500+30.16 грн
25000+28.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25402Q3ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25402Q3A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 7700 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25402Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 10 V
на замовлення 51761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.54 грн
10+53.40 грн
100+35.23 грн
500+25.72 грн
1000+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25402Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25402Q3ATexas InstrumentsMOSFET P-CH 20V 76A 8VSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25402Q3ATexas InstrumentsMOSFET P-CH Pwr MOSFET
на замовлення 58246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.16 грн
10+53.19 грн
100+35.97 грн
500+30.31 грн
1000+24.16 грн
2500+22.92 грн
5000+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25402Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+67.86 грн
211+67.19 грн
267+53.13 грн
270+50.72 грн
500+39.24 грн
1000+30.39 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25402Q3ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25402Q3A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 7700 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.04 грн
14+60.00 грн
100+39.63 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25402Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 10 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.00 грн
5000+20.46 грн
7500+19.60 грн
12500+17.49 грн
17500+16.95 грн
25000+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25402Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.99 грн
11+74.22 грн
100+57.84 грн
500+46.08 грн
1000+33.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25402Q3ATTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+61.88 грн
500+53.14 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25402Q3ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 15A/76A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 10 V
на замовлення 7750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+35.24 грн
500+29.04 грн
1250+28.73 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25402Q3ATTexas InstrumentsMOSFET P-CH 20V 15A/76A 8VSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25402Q3ATTexas InstrumentsMOSFETs #NAME?
на замовлення 8334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.24 грн
10+54.38 грн
100+31.13 грн
500+28.23 грн
1000+27.13 грн
2500+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25402Q3ATTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25402Q3ATTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -35A; Idm: -148A; 69W; VSONP8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -148A
Power dissipation: 69W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25402Q3ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 15A/76A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 10 V
на замовлення 8142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.92 грн
10+44.05 грн
100+34.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25402Q3ATTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+61.88 грн
500+53.14 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 20V; 60A; 96W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: 12V
Power dissipation: 96W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+43.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.54 грн
5000+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3Texas InstrumentsTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 104A; 96W; -55°C ~ 150°C; CSD25404Q3T CSD25404Q3 TCSD25404q3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.84 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3Texas InstrumentsMOSFETs 20V Pch MOSFET
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.14 грн
10+58.27 грн
100+36.86 грн
500+30.72 грн
1000+28.58 грн
2500+26.03 грн
5000+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.32 грн
10+88.57 грн
25+87.33 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 10 V
на замовлення 7380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.62 грн
10+64.17 грн
100+42.79 грн
500+31.56 грн
1000+28.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 10 V
на замовлення 6402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.12 грн
10+87.43 грн
100+59.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3TTexas InstrumentsP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 104 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2120 @ 10, Qg, нКл = 14,1 @ 4,5 В, Rds = 6,5 мОм @ 10 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1,15 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,8, 96, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerVDFN-8 Од. вим:
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
250+80.87 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3TTexas InstrumentsMOSFETs -20V, P-channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.06 грн
10+77.56 грн
100+33.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 10 V
на замовлення 6250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+53.75 грн
500+47.15 грн
750+44.80 грн
1250+39.56 грн
1750+38.09 грн
2500+36.66 грн
6250+33.84 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.20 грн
10+102.53 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -60A; 96W; VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: VSON-CLIP8
Drain current: -60A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 10.9nC
Dimensions: 3.3x3.3mm
On-state resistance: 5.5mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 96W
на замовлення 373 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.70 грн
10+84.76 грн
15+76.45 грн
50+57.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25480F3Texas InstrumentsMOSFETs -20-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 159 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 14341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.89 грн
24+13.42 грн
100+6.01 грн
1000+5.38 грн
3000+4.21 грн
9000+3.59 грн
24000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25480F3Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.7A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25480F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 1.7A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 400mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 10 V
на замовлення 51382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.08 грн
22+14.06 грн
100+8.81 грн
500+6.12 грн
1000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25480F3Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.7A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25480F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 1.7A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 400mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 10 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.03 грн
6000+4.37 грн
9000+4.12 грн
15000+3.61 грн
21000+3.46 грн
30000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25480F3Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.7A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25480F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.7A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25480F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.7A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25480F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 1.7A 3PICOSTAR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 400mA, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.30 грн
10+58.33 грн
100+38.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25480F3TTexas InstrumentsMOSFETs -20V P-channel Femto FET MOSFET A 595-CS A 595-CSD25480F3
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.45 грн
250+21.26 грн
2500+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25480F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.7A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25480F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 1.7A 3PICOSTAR
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 400mA, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 10 V
на замовлення 8250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+34.65 грн
500+30.12 грн
750+28.47 грн
1250+24.98 грн
1750+23.94 грн
2500+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25481F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x0.60)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.913 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 189 pF @ 10 V
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.52 грн
6000+5.69 грн
9000+5.38 грн
15000+4.73 грн
21000+4.55 грн
30000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25481F4Texas InstrumentsMOSFETs P-CH Pwr MOSFET 20V 90mohm A 595-CSD25481F4T
на замовлення 4521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.17 грн
14+23.18 грн
100+12.50 грн
500+8.63 грн
1000+7.04 грн
3000+6.35 грн
6000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25481F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x0.60)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.913 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 189 pF @ 10 V
на замовлення 124749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.29 грн
17+17.80 грн
100+11.23 грн
500+7.86 грн
1000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25481F4Texas InstrumentsMOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
3+132.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25481F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.97 грн
33+23.36 грн
100+14.20 грн
250+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25481F4TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25481F4T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.075 ohm, LGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: LGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.15 грн
15+55.25 грн
100+50.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25481F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 189 pF @ 10 V
на замовлення 21500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+34.02 грн
500+29.60 грн
750+27.99 грн
1250+24.57 грн
1750+23.56 грн
2500+22.58 грн
6250+20.10 грн
12500+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25481F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25481F4TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25481F4T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.075 ohm, LGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: LGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25481F4TTexas InstrumentsMOSFETs 20V PCh FemtoFET MO SFET A 595-CSD25481F4
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.65 грн
10+47.00 грн
100+21.40 грн
500+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25481F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25481F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 189 pF @ 10 V
на замовлення 22195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.97 грн
10+57.14 грн
100+37.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25483F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.959 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 198 pF @ 10 V
на замовлення 14828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.74 грн
16+19.74 грн
100+9.97 грн
500+7.63 грн
1000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25483F4Texas InstrumentsMOSFET 20V P-CH FemtoFET MOSFET
на замовлення 14153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.75 грн
21+15.48 грн
100+6.01 грн
1000+4.90 грн
3000+4.42 грн
9000+3.93 грн
24000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25483F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 198 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.959 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.27 грн
6000+4.85 грн
9000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25483F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 198 pF @ 10 V
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.46 грн
10+54.07 грн
100+37.44 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25483F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 198 pF @ 10 V
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+37.49 грн
500+31.28 грн
1250+26.62 грн
2500+22.25 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.24 грн
29+26.23 грн
100+14.29 грн
250+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25483F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 198 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
862+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 862 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25483F4TTexas InstrumentsMOSFETs 20V,P-Ch FemtoFET MOSFET
на замовлення 2322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.82 грн
100+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25484F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 25855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.51 грн
17+17.65 грн
100+11.16 грн
500+7.83 грн
1000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25484F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.52 грн
6000+5.69 грн
9000+5.40 грн
15000+4.75 грн
21000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25484F4Texas InstrumentsMOSFETs -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25484F4T
на замовлення 9076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.89 грн
17+19.13 грн
100+10.56 грн
500+7.87 грн
1000+6.97 грн
3000+5.87 грн
6000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.07 грн
33+23.16 грн
100+13.81 грн
250+12.65 грн
500+11.19 грн
1000+7.53 грн
3000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25484F4TTexas InstrumentsMOSFETs 20V P-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD25484 A 595-CSD25484F4
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.87 грн
10+61.92 грн
100+26.85 грн
500+22.57 грн
5000+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25484F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 500mA, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
на замовлення 14685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.40 грн
10+64.69 грн
100+42.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25484F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 500mA, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 14250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+27.62 грн
500+24.29 грн
750+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25485F5Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25485F5Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 900mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 533 pF @ 10 V
на замовлення 26401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.94 грн
13+24.90 грн
100+15.96 грн
500+11.33 грн
1000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25485F5Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25485F5Texas InstrumentsMOSFET -20-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.8 mm x 1.5 mm, 42 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 5599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.69 грн
12+27.15 грн
100+13.74 грн
1000+8.97 грн
3000+8.01 грн
9000+7.11 грн
24000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]