Продукція > FDS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDS8870NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8870_GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8870_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8874fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8874Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3990 pF @ 15 V
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
513+42.16 грн
Мінімальне замовлення: 513 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8874-NL
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8874NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8874_NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8875FDSSOP-8
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8876Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V
на замовлення 577941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
654+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 654 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8876FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8876ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 91A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 14.1mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 12.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 91A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8876onsemi / FairchildMOSFET 30V 12.5A 8.2 OHMS NCH
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.85 грн
10+68.43 грн
100+38.39 грн
250+38.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8876ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8876ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8876 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8876-F40onsemiDescription: 30V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8876-NLFDS
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1427+24.79 грн
Мінімальне замовлення: 1427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878
Код товару: 61968
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1427+24.79 грн
Мінімальне замовлення: 1427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.44 грн
5000+18.19 грн
7500+18.04 грн
12500+17.18 грн
17500+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
498+28.42 грн
578+24.48 грн
581+24.36 грн
671+20.33 грн
1000+18.18 грн
3000+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 314804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1427+24.79 грн
10000+22.10 грн
100000+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 1427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.2 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.33 грн
50+50.48 грн
100+34.06 грн
500+24.30 грн
1000+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1427+24.79 грн
10000+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 1427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1427+24.79 грн
Мінімальне замовлення: 1427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.20 грн
27+28.42 грн
100+23.60 грн
250+21.75 грн
500+18.07 грн
1000+17.45 грн
3000+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.93 грн
10+33.89 грн
100+20.83 грн
500+16.93 грн
1000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 15 V
на замовлення 6544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.49 грн
10+37.97 грн
100+24.69 грн
500+17.82 грн
1000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.44 грн
5000+18.19 грн
7500+18.04 грн
12500+17.18 грн
17500+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878-F123ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8878-F123 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878-F123onsemi / FairchildMOSFET 30V N-CHAN 10.2A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878-F123onsemiDescription: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 30V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
727+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 727 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878-F123ON SemiconductorFDS8878-F123
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1095+32.30 грн
Мінімальне замовлення: 1095 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878-GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878-GON SemiconductorFDS8878-G
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1527+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 1527 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878-NLFAIRCHILDSOP8 0849+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878NLFAIRCHILD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 863 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880onsemiMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 4925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.10 грн
10+51.12 грн
100+29.33 грн
500+22.78 грн
1000+20.69 грн
2500+18.32 грн
5000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.90 грн
5000+24.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,3mOhm; 11,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8880 TFDS8880
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 15 V
на замовлення 7102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.38 грн
10+47.25 грн
100+31.12 грн
500+22.69 грн
1000+20.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.90 грн
5000+24.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+62.74 грн
316+44.83 грн
500+35.06 грн
1000+30.39 грн
2500+24.79 грн
5000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.41 грн
50+59.50 грн
100+39.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.28 грн
5000+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880ON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,3mOhm; 11,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8880 TFDS8880
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.97 грн
13+61.88 грн
100+44.22 грн
500+33.35 грн
1000+27.75 грн
2500+23.48 грн
5000+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880NLFAI
на замовлення 202 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880_NLFAIRCHILD
на замовлення 54500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V,11.6A,10 OHMS, NCH, POWER TRENCH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8882FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8882ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V 9A N-Channel PowerTrench
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8882ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8882 - MOSFET, N CH, 30V, 0.0132OHM, 9A, SOIC-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+30.08 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8882onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884UMWDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
13+24.38 грн
100+15.59 грн
500+11.05 грн
1000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 8,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8884 TFDS8884
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.20 грн
20+41.29 грн
100+28.21 грн
500+21.81 грн
1000+17.14 грн
5000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+36.33 грн
512+27.66 грн
516+27.46 грн
599+22.79 грн
1000+19.19 грн
3000+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884UMWDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884
Код товару: 34721
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884ONS/FAIMOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PwrTrench MOSFET
на замовлення 7238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.92 грн
10+35.49 грн
100+21.60 грн
500+17.42 грн
1000+16.02 грн
2500+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.28 грн
21+36.61 грн
25+36.33 грн
100+26.68 грн
250+24.52 грн
500+20.26 грн
1000+18.42 грн
3000+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884-GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884-NLFAIRCHILD09+ SOP-8
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884NLFAIRCHILD
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.20 грн
10+50.32 грн
100+30.24 грн
500+25.29 грн
1000+21.53 грн
2500+19.16 грн
5000+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
955+37.05 грн
1036+34.16 грн
Мінімальне замовлення: 955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896FAIRCHILD09+
на замовлення 25018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
433+32.73 грн
1000+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 433 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896
Код товару: 104417
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.05 грн
5000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896onsemiMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 4637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.41 грн
10+55.29 грн
100+31.63 грн
500+24.59 грн
1000+22.30 грн
2500+18.53 грн
5000+17.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
955+37.05 грн
1036+34.16 грн
10000+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 6000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.46 грн
500+24.83 грн
1000+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
378+37.43 грн
Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; Idm: 110A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
955+37.05 грн
1036+34.16 грн
10000+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
на замовлення 13730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.62 грн
10+42.57 грн
100+29.41 грн
500+21.98 грн
1000+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 6000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.91 грн
50+52.27 грн
100+34.46 грн
500+24.83 грн
1000+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896S-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896_NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8912FAIRCHIL04+ SOP
на замовлення 598 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+155.77 грн
500+153.13 грн
1000+151.81 грн
2500+145.11 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+144.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.85 грн
10+169.45 грн
100+118.67 грн
500+92.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+243.04 грн
50+186.95 грн
100+130.87 грн
500+107.93 грн
1000+92.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141onsemi / FairchildMOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.60 грн
10+169.86 грн
100+103.81 грн
500+91.27 грн
1000+85.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]