Продукція > FDS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDS89141onsemi / FairchildMOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+92.48 грн
5000+87.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.34 грн
10+181.97 грн
50+114.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+187.10 грн
5000+171.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141ONS/FAIMOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+116.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.17 грн
10+129.93 грн
25+128.61 грн
100+112.29 грн
250+103.80 грн
500+99.17 грн
1000+98.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+110.18 грн
500+99.16 грн
1000+91.45 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161onsemiMOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.44 грн
10+91.35 грн
25+90.43 грн
100+68.29 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161FairchildTransistor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 176mOhm; 2,7A; 31W; -55°C ~ 150°C; FDS89161 TFDS89161
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 24523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.98 грн
10+114.73 грн
50+87.31 грн
100+73.65 грн
500+59.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Power dissipation: 31W
Gate charge: 4.1nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 2.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+77.99 грн
25+69.61 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.91 грн
5000+52.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161DYMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDS89161DY - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2.7 A, 0.105 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.105ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 302pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS89161LZ - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 100 V, 100 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.105 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.105ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.105ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 182mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS89161LZ - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 100 V, 100 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.105 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.105ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.105ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 302pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.47 грн
10+99.93 грн
50+75.69 грн
100+63.69 грн
500+50.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.31 грн
13+59.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZonsemiMOSFETs PT5 100V Logic Level with Zener
на замовлення 10793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8925AFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8926Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+73.09 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8926AONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8926AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8926Aonsemi / FairchildMOSFET SO8,DUAL NCH ENHANCEMENT MODEL FIELD EFFECT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8926AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8926AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8926AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8926A_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8928FSCSO-8
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8928AonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 5.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8928AON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 5.5A/4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
609+58.07 грн
1000+54.86 грн
Мінімальне замовлення: 609 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8928AonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 5.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8928AONS/FAIДвойной N & P-канальный полевой транзистор Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8928Aonsemi / FairchildMOSFET SO-8 COMP N-P-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8928A-NL
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8928A..ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8928A.. - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 670
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8928ANLFAIRCHILD
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8928A_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V 1/2 BR N/P, 0.03/0.055 O,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8929AFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8934
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8934AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
на замовлення 52862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+52.10 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8934ANLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8934A_NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8935ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 80V 2.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+165.09 грн
5000+152.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8935onsemi / FairchildMOSFET -80V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8935ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8935 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.1 A, 0.148 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 2.1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.148
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8935onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 183mOhm @ 2.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8935ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 80V 2.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+165.09 грн
5000+152.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8935ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8935 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.1 A, 0.148 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8935onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 183mOhm @ 2.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8936FDSSOP-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8936AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8936A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 75856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8936AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 75856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+131.66 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8936A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8936A_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8936MXFSC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8936SFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8936S-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8938AFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8945FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8947FDS07+/08+ SOP8
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8947AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+154.49 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8947AFAIRCHILDFDS8947A
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+212.15 грн
500+200.37 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8947AonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8947Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 DUAL P-CH -30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8947AFAIRCHILDFDS8947A
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+212.15 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8947A-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
324+43.68 грн
500+40.47 грн
Мінімальне замовлення: 324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.93 грн
5000+32.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949onsemiMOSFETs 40V 6A 29OHM DUAL NCH LOGIC
на замовлення 59970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.10 грн
5000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8949 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
771+45.87 грн
1000+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 771 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949
Код товару: 162449
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Gate charge: 11nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 43mΩ
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+100.25 грн
6+70.45 грн
10+60.97 грн
50+43.61 грн
100+38.07 грн
500+28.85 грн
1000+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
771+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 771 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 3976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.46 грн
10+62.95 грн
50+46.96 грн
100+39.23 грн
500+30.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8949 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8949-F085 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949-F085onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949DYMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDS8949DY - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949NLFAIRCHILD
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949_NLFAIRCHILD
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8958onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8958onsemiMOSFETs 30V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8958FDSSOP-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8958AONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.