Продукція > IPD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD530N15N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+94.52 грн
152+93.56 грн
192+74.17 грн
250+70.80 грн
500+53.41 грн
1000+45.68 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD530N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.23 грн
50+65.24 грн
100+53.08 грн
500+45.92 грн
1000+39.76 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.20 грн
10+94.52 грн
25+93.56 грн
100+71.52 грн
250+65.56 грн
500+51.27 грн
1000+45.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.69 грн
10+83.84 грн
100+56.54 грн
500+42.07 грн
1000+38.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 6449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.86 грн
10+99.24 грн
100+58.06 грн
500+47.08 грн
1000+42.18 грн
2500+39.42 грн
5000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1
Код товару: 182945
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GBTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MV POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD5N03LAGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD5N03LAGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD5N25S3-430Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 250V 5A DPAK-2
на замовлення 4086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.01 грн
10+65.81 грн
100+43.35 грн
500+36.45 грн
1000+34.66 грн
2500+32.17 грн
5000+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD5N25S3-430Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD5N25S3430ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD5N25S3430ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 5 A, 0.37 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD5N25S3430ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.46 грн
10+84.58 грн
100+57.11 грн
500+42.55 грн
1000+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD5N25S3430ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD5N25S3430ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 5 A, 0.37 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.22 грн
10+97.45 грн
100+65.72 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD5N25S3430ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.89 грн
5000+35.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD600N25N3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+225.88 грн
66+217.28 грн
100+209.90 грн
250+196.27 грн
500+176.79 грн
1000+165.56 грн
2500+161.91 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD600N25N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 250V 25A DPAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD600N25N3 GInfineon
на замовлення 526 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD600N25N3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+225.88 грн
66+217.28 грн
100+209.90 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+212.62 грн
77+184.28 грн
100+160.65 грн
2000+140.10 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+259.04 грн
68+209.65 грн
100+196.40 грн
500+167.31 грн
1000+145.23 грн
2000+135.29 грн
5000+130.13 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >150 - 400V
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.98 грн
10+170.69 грн
100+108.38 грн
500+90.43 грн
1000+83.53 грн
2500+78.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+132.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+107.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD600N25N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 18A; Idm: 100A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 18A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 100A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 9174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.48 грн
10+173.28 грн
100+120.46 грн
500+91.87 грн
1000+85.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+153.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+107.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD600N25N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD600N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+286.72 грн
10+175.58 грн
100+122.42 грн
500+97.22 грн
1000+86.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.98 грн
5000+77.96 грн
7500+75.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD600N25N3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD600N25N3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD600N25N3GBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 250V 25A DPAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60N10S412ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.32 грн
500+44.20 грн
1000+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+79.38 грн
180+79.14 грн
200+76.09 грн
500+70.24 грн
1000+67.34 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 100+
на замовлення 4497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.22 грн
10+88.92 грн
100+54.12 грн
500+44.87 грн
1000+41.21 грн
2500+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60N10S412ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.41 грн
10+86.98 грн
100+62.74 грн
500+43.75 грн
1000+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+64.49 грн
1000+60.90 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.23 грн
10+89.37 грн
100+60.46 грн
500+45.12 грн
1000+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L-12Infineon
на замовлення 317500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L-12Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+154.24 грн
96+148.37 грн
100+143.34 грн
250+134.03 грн
500+120.72 грн
1000+113.06 грн
2500+110.56 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L-12Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 60A DPAK-2
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.17 грн
10+90.50 грн
100+54.61 грн
500+46.32 грн
1000+40.11 грн
2500+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 94W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 94W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
554+64.05 грн
1000+60.48 грн
Мінімальне замовлення: 554 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.83 грн
10+82.92 грн
100+56.08 грн
500+41.84 грн
1000+39.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.69 грн
10+84.39 грн
25+83.08 грн
100+78.87 грн
250+71.86 грн
500+67.87 грн
1000+66.75 грн
3000+65.64 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60N10S4L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0098 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.21 грн
500+55.04 грн
1000+49.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+214.28 грн
76+187.67 грн
79+179.60 грн
92+149.77 грн
100+130.54 грн
250+114.36 грн
500+104.33 грн
1000+103.28 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
554+64.05 грн
Мінімальне замовлення: 554 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 60A DPAK-2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60N10S4L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.57 грн
50+57.34 грн
100+48.73 грн
500+44.35 грн
1000+40.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+73.36 грн
212+66.98 грн
215+66.04 грн
500+63.56 грн
1000+58.75 грн
2000+56.09 грн
2500+56.00 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+237.37 грн
66+215.67 грн
100+175.91 грн
200+158.01 грн
1000+120.49 грн
2000+107.41 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+85.69 грн
168+84.39 грн
171+83.08 грн
174+78.87 грн
250+71.86 грн
500+67.87 грн
1000+66.75 грн
3000+65.64 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7Infineon TechnologiesIPD60R145CFD7
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+357.31 грн
42+341.97 грн
50+328.94 грн
100+306.43 грн
250+275.12 грн
500+256.93 грн
1000+250.65 грн
2500+245.11 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+178.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
на замовлення 18283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.15 грн
10+173.21 грн
100+121.28 грн
500+94.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+259.34 грн
10+169.13 грн
100+119.20 грн
500+91.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+329.52 грн
65+218.48 грн
66+216.31 грн
100+158.19 грн
250+144.96 грн
500+134.06 грн
1000+128.87 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+329.52 грн
10+218.48 грн
25+216.31 грн
100+158.19 грн
250+144.96 грн
500+134.06 грн
1000+128.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+159.38 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+148.84 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+87.56 грн
5000+81.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 3404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+283.50 грн
10+182.60 грн
100+114.60 грн
500+96.65 грн
1000+90.43 грн
2500+82.84 грн
5000+79.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+119.20 грн
500+91.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+183.09 грн
500+165.38 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R170CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.144 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+205.38 грн
10+141.75 грн
100+102.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+95.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.86 грн
10+153.24 грн
100+106.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R170CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.144 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+102.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+154.74 грн
500+139.39 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+94.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+235.30 грн
80+177.66 грн
100+149.34 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.18 грн
10+143.69 грн
100+91.12 грн
500+75.25 грн
2500+59.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]