Продукція > TSM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TSM60N600CI C0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.8A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 32W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Gate charge: 13nC Polarisation: unipolar Drain current: 4.8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60N600CP | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 8A, 600mOhm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60N600CP ROG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.8A; 83W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 83W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: tape Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Gate charge: 13nC Polarisation: unipolar Drain current: 4.8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60N600CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 8A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60N650CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 6A, 0.75 N Channel Power Mosfet | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60N750CH | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 6A, 750mOhm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60N750CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO251 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60N750CP | Taiwan Semiconductor | MOSFETs Power MOSFET, N-CHAN 600V, 6A, 750mOhm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60N750CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60N750CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60N900CH | Taiwan Semiconductor | MOSFETs Power MOSFET, N-CHAN 600V, 4.5A, 900mOhm | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60N900CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60N900CH C5G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.5A; 50W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.5A Power dissipation: 50W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Gate charge: 9.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60N900CI | Taiwan Semiconductor | MOSFETs Power MOSFET, N-CHAN 600V, 4.5A, 900mOhm | на замовлення 2044 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60N900CI C0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.5A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.5A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Gate charge: 9.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60N900CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A ITO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60N900CP | Taiwan Semiconductor | MOSFETs Power MOSFET, N-CHAN 600V, 4.5A, 900mOhm | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60N900CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60N900CP ROG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.5A; 50W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.5A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 9.7nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB041PW C1G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 21.7A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 100 V | на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB041PW C1G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V 78A Single N-Ch annel Power MOSFET | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB099CF | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 38A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2587 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB099CF C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 38A ITO220S Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2587 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB099CF C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 600V, 38A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB099CZ | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB099CZ | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 38A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2587 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB099CZ C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 600V, 38A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB099CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2587 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB099PW | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 38A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 11.7A, 10V Power Dissipation (Max): 329W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2587 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB099PW C1G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 11.7A, 10V Power Dissipation (Max): 329W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2587 pF @ 100 V | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB099PW C1G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 38A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 1830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB150CF C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 24A ITO220S | на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB150CF C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 600V, 24A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB190CF C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V 18A Single N-Ch annel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB190CF C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 18A ITO220S Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 59.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1311 pF @ 100 V | на замовлення 3524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB190CI | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 600V Power MOSFET Superjunction N-chan | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB190CI C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) ITO-220 Tube | на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB190CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V 18A Single N-Ch annel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB190CI C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) ITO-220 Tube | на замовлення 3997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB190CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 18A ITO220AB | на замовлення 3904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB190CI C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) ITO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB190CM2 RNG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB190CM2 RNG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO263 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB190CM2 RNG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB190CM2 RNG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO263 | на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB190CM2 RNG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 18A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB190CZ C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB190CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1273 pF @ 100 V | на замовлення 3858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB190CZ C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB190CZ C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V 18A Single N-Ch annel Power MOSFET | на замовлення 3755 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB190CZ C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB1R4CH C5G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB1R4CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 4A, 1.4OHMS N Channel Power Mosfet | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB1R4CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO251 | на замовлення 21686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB1R4CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO252 | на замовлення 2264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB1R4CP ROG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB1R4CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB1R4CP ROG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB1R4CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 4976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB260CI | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V Power MOSFET Superjunction N-chan | на замовлення 2081 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB260CI C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) ITO-220 Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB260CI C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) ITO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB260CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 13A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 2065 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB380CF | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB380CF C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 11A ITO220S Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB380CF C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB380CF C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) ITO-220S Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB380CF C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) ITO-220S Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB380CH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POW Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 2.85A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB380CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 9.5A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB380CH C5G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB380CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 2.85A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB380CH C5G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 1875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB380CP | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 2.85A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB380CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 2.85A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 100 V | на замовлення 212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB380CP ROG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 83W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Power dissipation: 83W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Gate charge: 19.4nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 73 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB380CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 2.85A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB380CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 9.5A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB600CF C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 600V, 8A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB600CF C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) ITO-220S Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB600CF C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 8A ITO220S | на замовлення 3582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB600CF C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) ITO-220S Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB600CH C5G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 3747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB600CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 7A, 0,6OHMS N channel Mosfet | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB600CP ROG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB600CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO252 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB600CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 7A, 0.6OHMS N Channel Power Mosfet | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB600CP ROG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB600CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO252 | на замовлення 4999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB900CH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 36.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB900CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V 4Amp 0.9OHMS N channel Power Mosfet | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB900CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 36.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB900CH C5G | Taiwan Semiconductor | TSM60NB900CH C5G Taiwan Semiconductor MOSFETs Transistor N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube - Arrow.com | на замовлення 14995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB900CP | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 36.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB900CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 36.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB900CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V 4Amp 0.9OHMS N channel Power Mosfet | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB900CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 36.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V | на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NBI190CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NC165CI | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 24A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: ITO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 300 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NC165CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 24A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: ITO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 300 V | на замовлення 3989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|