Продукція > TSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 23 46 69 92 115 138 161 184 207 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 230 231  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TSM600NA25CIT C0GTaiwan SemiconductorMOSFETs 250V, 22A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM600P03CSTaiwan SemiconductorMOSFET -30V, -4.7A, Single P-Channel MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM600P03CSTaiwan Semiconductor CorporationDescription: -30V, -4.7A, SINGLE P-CHANNEL PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM600P03CS RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 4.7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM600P03CS RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 3455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+6.03 грн
150+5.04 грн
152+4.99 грн
153+4.76 грн
204+3.32 грн
250+3.15 грн
500+2.45 грн
1000+1.79 грн
3000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM600P03CS RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 4.7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
13+24.00 грн
100+20.33 грн
500+14.74 грн
1000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM600P03CS RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs -30V, -4.7A, Single P-Channel Power MOSFET
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM600P03CS RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 3455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM601ifm efector, inc.Description: TEMPERATURE SENSOR, CLAMP-ON, -1
Packaging: Box
Operating Temperature: -25°C ~ 80°C
Sensor Type: Analog, Local
Accuracy - Highest (Lowest): ±0.15°C
Sensing Temperature - Local: -25°C ~ 160°C
Sensing Temperature - Remote: -25°C ~ 160°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM601TOYODA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM6025AEUR+Silicon LabsDescription: IC VREF SERIES 2.5V SOT23-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM6025AEUR+TTouchstone SemiconductorDescription: IC VREF SERIES 0.2% SOT23-3
Current - Output: 500 µA
Noise - 10Hz to 10kHz: 125µVrms
Noise - 0.1Hz to 10Hz: 50µVp-p
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Supply: 35µA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Reference Type: Series
Voltage - Input: 2.7V ~ 12.6V
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Temperature Coefficient: 20ppm/°C
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tolerance: ±0.2%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.36 грн
10+111.56 грн
25+109.47 грн
250+100.73 грн
500+98.71 грн
1000+96.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM6025AEUR+TTouchstone SemiconductorDescription: IC VREF SERIES 0.2% SOT23-3
Current - Output: 500 µA
Noise - 10Hz to 10kHz: 125µVrms
Noise - 0.1Hz to 10Hz: 50µVp-p
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Supply: 35µA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Reference Type: Series
Voltage - Input: 2.7V ~ 12.6V
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Temperature Coefficient: 20ppm/°C
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tolerance: ±0.2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+107.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM6025BEUR+Silicon LabsDescription: IC VREF SERIES 2.5V SOT23-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM6025BEUR+TTouchstone SemiconductorDescription: IC VREF SERIES 2.5V SOT23-3
Current - Output: 500 µA
Noise - 10Hz to 10kHz: 125µVrms
Noise - 0.1Hz to 10Hz: 50µVp-p
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Supply: 35µA
Reference Type: Series
Voltage - Input: 2.7V ~ 12.6V
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Temperature Coefficient: 30ppm/°C
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tolerance: ±0.4%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.14 грн
10+85.37 грн
25+83.72 грн
250+77.02 грн
500+75.48 грн
1000+73.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N03CPTaiwan SemiconductorMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N06CPTaiwan SemiconductorMOSFET 60V, 62A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N06CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 66A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 44.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4382 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N06CP ROGTaiwan SemiconductorMOSFET 60V 62A Single N-Cha nnel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N1R4CHTaiwan SemiconductorMOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 3.3A, 1400mOhm
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N1R4CPTaiwan SemiconductorMOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 3.3A, 1400mOh
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N1R4CP ROGTaiwan SemiconductorN Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N1R4CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N1R4CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N380CHTaiwan SemiconductorMOSFET 700V Power MOSFET Superjunction N-chan
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N380CITaiwan SemiconductorMOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 11A, 380mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N380CI C0GTaiwan SemiconductorMOSFETs 600V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N380CPTaiwan SemiconductorMOSFET 600V Power MOSFET Superjunction N-chan
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N380CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N380CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N380CZ C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.74 грн
10+134.05 грн
100+106.67 грн
500+84.70 грн
1000+71.87 грн
2000+68.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N380CZ C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 60V 11Amp 0,38 N channel Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N600CHTaiwan SemiconductorMOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 8A, 600mOhm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N600CH C5GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 8A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N600CH C5GTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.8A; 83W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 83W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N600CITaiwan SemiconductorMOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 8A, 600mOhm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N600CI C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 8A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N600CI C0GTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N600CPTaiwan SemiconductorMOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 8A, 600mOhm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N600CP ROGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.8A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N600CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N650CP ROGTaiwan SemiconductorMOSFET 600V, 6A, 0.75 N Channel Power Mosfet
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N750CHTaiwan SemiconductorMOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 6A, 750mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N750CH C5GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO251
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N750CPTaiwan SemiconductorMOSFETs Power MOSFET, N-CHAN 600V, 6A, 750mOhm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N750CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N750CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N900CHTaiwan SemiconductorMOSFETs Power MOSFET, N-CHAN 600V, 4.5A, 900mOhm
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N900CH C5GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N900CH C5GTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.5A; 50W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 50W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N900CITaiwan SemiconductorMOSFETs Power MOSFET, N-CHAN 600V, 4.5A, 900mOhm
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N900CI C0GTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.5A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N900CI C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A ITO220AB
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ITO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N900CPTaiwan SemiconductorMOSFETs Power MOSFET, N-CHAN 600V, 4.5A, 900mOhm
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N900CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N900CP ROGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB041PW C1GTaiwan SemiconductorMOSFET 600V 78A Single N-Ch annel Power MOSFET
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB041PW C1GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 21.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 100 V
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1102.83 грн
10+935.86 грн
100+809.42 грн
500+688.40 грн
1000+631.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB099CFTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 600V, 38A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2587 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ITO-220S
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 5.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB099CF C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 38A ITO220S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2587 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB099CF C0GTaiwan SemiconductorMOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 600V, 38A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB099CZTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 600V, 38A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2587 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB099CZTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB099CZ C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2587 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB099CZ C0GTaiwan SemiconductorMOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 600V, 38A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB099PWTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 600V, 38A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2587 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 11.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB099PW C1GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2587 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 11.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+693.68 грн
25+403.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB099PW C1GTaiwan SemiconductorMOSFET 600V, 38A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB150CF C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 24A ITO220S
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB150CF C0GTaiwan SemiconductorMOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 600V, 24A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB190CF C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 18A ITO220S
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1311 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ITO-220S
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 59.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 3524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.58 грн
10+235.57 грн
100+190.53 грн
500+158.94 грн
1000+136.09 грн
2000+128.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB190CF C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 600V 18A Single N-Ch annel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB190CITaiwan SemiconductorMOSFETs 600V Power MOSFET Superjunction N-chan
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB190CI C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 18A ITO220AB
на замовлення 3904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB190CI C0GTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) ITO-220 Tube
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB190CI C0GTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) ITO-220 Tube
на замовлення 3997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+425.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB190CI C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 600V 18A Single N-Ch annel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB190CI C0GTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) ITO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB190CM2 RNGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+436.48 грн
10+435.10 грн
25+433.72 грн
50+416.91 грн
100+384.80 грн
250+368.22 грн
500+367.04 грн
1000+365.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB190CM2 RNGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO263
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB190CM2 RNGTaiwan SemiconductorMOSFET 600V, 18A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB190CM2 RNGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+371.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB190CM2 RNGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB190CZ C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1273 pF @ 100 V
на замовлення 3858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.15 грн
50+223.63 грн
100+191.69 грн
500+159.90 грн
1000+136.91 грн
2000+128.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB190CZ C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 600V 18A Single N-Ch annel Power MOSFET
на замовлення 3755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB190CZ C0GTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB190CZ C0GTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB190CZ C0GTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.96 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB1R4CH C5GTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB1R4CH C5GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO251
на замовлення 21686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB1R4CH C5GTaiwan SemiconductorMOSFET 600V, 4A, 1.4OHMS N Channel Power Mosfet
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB1R4CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB1R4CP ROGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB1R4CP ROGTaiwan SemiconductorMOSFET 600V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB1R4CP ROGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.84 грн
10+78.19 грн
25+77.46 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB1R4CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO252
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB260CITaiwan SemiconductorMOSFET 600V Power MOSFET Superjunction N-chan
на замовлення 2081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB260CI C0GTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) ITO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.96 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB260CI C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 600V, 13A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB260CI C0GTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) ITO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 23 46 69 92 115 138 161 184 207 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 230 231  [ Наступна Сторінка >> ]