Продукція > DMP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMP3099L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3099L-7 | Diodes INC. | P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 3,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 563 @ 25, Qg, нКл = 5,2 @ 4,5 В, Rds = 65 мОм @ 3,8 A, 10 В, Ugs(th) = 2,1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,08, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 30 Од. кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3099L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 549000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3099L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 144624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3099L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 563 pF @ 25 V | на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3099L-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; 1.08W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.9A Power dissipation: 1.08W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 22988 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3099L-7 | DIODES/ZETEX | P-MOSFET 30V 3.8A 65mΩ 1.08W DMP3099L-7 Diodes TDMP3099l кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3099L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3099L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.08W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 12665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3099L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Ch ENH FET -30V 65mOhm -20V -3.8A | на замовлення 296899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3099L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 567000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3099L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3099L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3099L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3099L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3099L-7-50 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.08W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 563 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3099L-7-50 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3099LQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 5578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3099LQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.08W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 563 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3099LQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3099LQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.08W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 563 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 127329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3099LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3099LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.08W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 563 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3099LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3099LQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3099LQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.08W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3099LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.08W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 563 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3099LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3099LQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3099LQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.08W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3099LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 180930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3100L | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| DMP3100L | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3100L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 227 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3105LVT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3105LVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.1 A, 0.065 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.15W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3105LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 TSOT23,3K | на замовлення 4847 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3105LVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 839 pF @ 15 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3105LVT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3105LVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.1 A, 0.065 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.15W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3105LVT-7 | Diodes | MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT23-6 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3105LVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 839 pF @ 15 V | на замовлення 12629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3120L | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| DMP3120L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3125L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 650mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 254 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3125L-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 14600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3125L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 650mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 254 pF @ 25 V | на замовлення 4780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3125L-7 | Diodes | MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3125L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3125L-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.65W; SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2A On-state resistance: 0.145Ω Power dissipation: 0.65W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape | на замовлення 21 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3125L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3125L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.095 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3125L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 192285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3125L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 650mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 254 pF @ 25 V | на замовлення 291000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3125L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3125L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3125L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.095 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3125L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3125L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 650mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 254 pF @ 25 V | на замовлення 292194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3130L | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| DMP3130L | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3130L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V | на замовлення 38689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3130L-7 | Diodes | P-Channel 30V 3.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3130L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3130L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V 3.5A P-CHANNEL | на замовлення 17870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3130L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3130L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3130LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3130LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3130LQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3130LQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.059 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3130LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-CH. MOSFET BVDSS: 25V-30V, AEC-Q101 | на замовлення 47720 шт: термін постачання 329-338 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3130LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3130LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 15 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 31286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3130LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3130LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3130LQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3130LQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.059 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3130LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3130LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 15 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3130LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3130LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3160L | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3160L | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| DMP3160L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Channel 1.08W | на замовлення 4767 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3160L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 227 pF @ 10 V | на замовлення 5105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3160L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 227 pF @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3160LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384.4 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3160LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K | на замовлення 2546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3164LVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3164LVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 2.8A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.7A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3164LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R 3K | на замовлення 16622 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3164LVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.7A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3164LVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.7A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 | на замовлення 785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3165L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3165L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3165L-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 10K | на замовлення 153 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3165L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3165L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3165L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K | на замовлення 2337 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3165L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3165L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.059 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 800mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm | на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3165L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V | на замовлення 2971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3165L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3165L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.059 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 800mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm | на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3165LQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3165LQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT23 T&R 10K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3165LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K | на замовлення 4942 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP3165LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3165LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMP3165SVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V TSOT26 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. |

