Продукція > IPA

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPAN60R360PFD7SXKSA1Infineon TechnologiesThe 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R360PFD7SXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.14 грн
50+54.72 грн
100+48.86 грн
500+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R360PFD7SXKSA1Infineon TechnologiesThe 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
556+63.67 грн
1000+58.72 грн
Мінімальне замовлення: 556 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R360PFD7SXKSA1Infineon TechnologiesThe 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R360PFD7SXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPAN60R360PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.36 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R360PFD7SXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R360PFD7SXKSA1Infineon TechnologiesThe 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R600P7SXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 6A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.03 грн
50+47.84 грн
100+42.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R600P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
660+53.59 грн
1000+49.42 грн
10000+44.06 грн
Мінімальне замовлення: 660 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R600P7SXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPAN60R600P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R600P7SXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R600P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
660+53.59 грн
1000+49.42 грн
10000+44.06 грн
Мінімальне замовлення: 660 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R650CEXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9.9A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
487+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 487 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R650CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R650CEXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9.9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R650CEXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPAN60R650CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R650CEXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R800CEXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R800CEXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R800CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+52.73 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN65R650CEXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN65R650CEXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN65R650CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R360P7SInfineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: 700V, N-CH MOSFET, TO220 FULLPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R360P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R360P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R360P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+38.90 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R360P7SXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPAN70R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26.5W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R360P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+197.70 грн
10+107.25 грн
100+85.05 грн
500+66.77 грн
1000+47.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R360P7SXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.95 грн
10+84.46 грн
50+63.63 грн
100+53.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R360P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+48.03 грн
311+45.58 грн
500+40.58 грн
1000+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R360P7SXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 26.5W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 26.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of package: tube
на замовлення 321 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+103.86 грн
6+82.19 грн
10+67.93 грн
50+54.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R360P7SXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 1669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R360P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+165.01 грн
103+137.66 грн
200+81.28 грн
500+67.19 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R450P7SXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPAN70R450P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 22.7
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R450P7SXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R450P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R450P7SXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R450P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.42 грн
18+43.26 грн
100+39.34 грн
500+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R600P7SXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 24.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+203.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R600P7SXKSA1Infineon TechnologiesP7 Power Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R600P7SXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPAN70R600P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 24.9W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R600P7SXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R600P7SXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 24.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R600P7SXKSA1Infineon TechnologiesP7 Power Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R750P7SXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6.5A TO220
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 20.8W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R750P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
409+34.60 грн
Мінімальне замовлення: 409 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R750P7SXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPAN70R750P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20.8W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R750P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
735+48.14 грн
1000+44.40 грн
Мінімальне замовлення: 735 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R750P7SXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R750P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.60 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R750P7SXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 20.8W
Gate charge: 8.3nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.75Ω
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.84 грн
14+31.87 грн
15+29.86 грн
50+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R750P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R750P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+58.04 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R900P7SInfineonIPAN70R900P7SXKSA1 Trans MOSFET N-CH 700V 6A TO-220FP Діоди та діодні збірки
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
10+81.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R900P7SInfineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R900P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R900P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 17059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
889+39.78 грн
1000+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R900P7SXKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPAN70R900P7SXKSA1 - CONSUMER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 741 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R900P7SXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R900P7SXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R900P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.64 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R900P7SXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPAN70R900P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.9W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R900P7SXKSA1InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 700V; 30V; 9Ohm; 600mA; 17W; -50°C ~ 150°C; Substitute: IPAN70R900P7SXKSA1; IPAN70R900P7S TIPAN70r900p7s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R280P7Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R280P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R280P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R280P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R280P7XKSA1InfineonMOSFET N-CH 800V 17A TO220 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R280P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R280P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 500 V
на замовлення 16881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+101.54 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R280P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+285.96 грн
10+241.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R280P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPAN80R280P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.24 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R360P7Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R360P7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R360P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R360P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPAN80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R360P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R450P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3-31
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 500 V
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.98 грн
50+120.80 грн
100+99.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R450P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPAN80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 11
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 29
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.38
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R450P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 897-906 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPAP-1-1-51-10.0-L-01-TAIRPAXCircuit Breakers Cir Brkr Hyd Mag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAP-1-1-51-10.0-L-01-TSensata Technologies/AirpaxDescription: CIR BRKR MAG-HYDR LEVER 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAP-1-1-51-10.0-R-01Sensata Technologies/AirpaxDescription: CIR BRKR MAG-HYDR LEVER 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAP-1-1-51-10.0-R-01AIRPAXCircuit Breakers Cir Brkr Hyd Mag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAP-1-1-51-10.0-R-01-TAIRPAXCircuit Breakers Cir Brkr,HydMag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAP-1-1-51-5.00-R-01Sensata Technologies/AirpaxDescription: CIR BRKR MAG-HYDR LEVER 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAP-1-1-51-5.00-R-01AIRPAXCircuit Breakers Cir Brkr Hyd Mag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAP-1-1-52-25.0-R-01AIRPAXCircuit Breakers Cir Brkr Hyd Mag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAP-1-1-52-30.0-AL-01AIRPAXCircuit Breakers Cir Brkr Hyd Mag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAP-1-1-52-30.0-S-01AIRPAXCircuit Breakers CIRCUIT BREAKER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAP-1-1-600-6.00-AS-01-TAIRPAXCircuit Breakers Cir Brkr Hyd Mag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAP-1-1-600F-18.0-S-01-TSensata Technologies/AirpaxDescription: CIR BRKR MAG-HYDR LEVER 18A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAP-1-1-61-10.0-R-01-TSensata-AirpaxDescription: CIR BRKR MAG-HYDR LEVER 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAP-1-1-61-10.0-R-01-TAIRPAXCircuit Breakers Cir Brkr Hyd Mag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]