Продукція > STG
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGW30NC60KD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW30NC60KD Код товару: 155289
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| STGW30NC60KD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW30NC60VD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW30NC60VD | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 44 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off) Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 250 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW30NC60VD | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW30NC60VD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW30NC60VD | STMicroelectronics | IGBTs PowerMESH | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW30NC60VD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW30NC60W | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGW30NC60W | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 60A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 29.5ns/118ns Switching Energy: 305µJ (on), 181µJ (off) Test Condition: 390V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 102 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 200 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW30NC60W | STMicroelectronics | IGBTs N-Ch 600 V 30 A Ultra Fast PowerMESH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW30NC60W | STM | IGBT 600V 60A 200W TO247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW30NC60WD | STMicroelectronics | IGBTs PowerMESH" IGBT | на замовлення 359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW30NC60WD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW30NC60WD | STM | IGBT 600V 60A 200W TO247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW30NC60WD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW30NC60WD Код товару: 19151
Додати до обраних
Обраний товар
| ST | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Напруга колектор-емітер Vces, V: 600 Напруга насичення Vce, V: 2,5 Струм колектора Ic при 25°C, A: 60 Струм колектора Ic при 100°C, A: 30 | у наявності: 41 шт
|
| ||||||||||||
| STGW30NC60WD | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3 Mounting: THT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 150A Power dissipation: 200W Collector-emitter voltage: 600V Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate charge: 0.14µC | на замовлення 167 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW30NC60WD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW30NC60WD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW30NC60WD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW30NC60WD | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGW30NC60WD - IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW30NC60WD | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 60A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 29.5ns/118ns Switching Energy: 305µJ (on), 181µJ (off) Test Condition: 390V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 102 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 200 W | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW30NC60WD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW30V60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW30V60DF | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGW30V60DF - IGBT, 60 A, 1.85 V, 258 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 258W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: V Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW30V60DF | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 53 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 163 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 258 W | на замовлення 275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW30V60DF | STMicroelectronics | IGBTs 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT | на замовлення 597 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW30V60DF Код товару: 161376
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| STGW30V60DF | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 258W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 163nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | на замовлення 388 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW30V60F | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGW30V60F - IGBT, 60 A, 1.85 V, 260 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Verlustleistung: 260W SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench V Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW30V60F | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 163 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 260 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW30V60F | STMicroelectronics | IGBT Transistors 600V 30A Hi Spd TrenchGate FieldStop | на замовлення 514 шт: термін постачання 500-509 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW30V60F | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW33IH120D | STMicroelectronics | Description: IGBT 1200V 60A 220W TO247 Power - Max: 220 W Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Gate Charge: 127 nC Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 1.5mJ (on), 3.4mJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 46ns/284ns Supplier Device Package: TO-247 Long Leads Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW35HF60W | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 60A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 30ns/175ns Switching Energy: 290µJ (on), 185µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 140 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 200 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW35HF60W | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW35HF60W Код товару: 108450
Додати до обраних
Обраний товар
| STM | Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW35HF60W | STMicroelectronics | IGBT Transistors Ultra Fast IGBT 35A 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW35HF60WD | STMicroelectronics | IGBTs 35 A 600 V Ultra fast IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW35HF60WD | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 35A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 35A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW35HF60WD | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 60A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 30ns/175ns Switching Energy: 290µJ (on), 185µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 140 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 200 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW35HF60WD | STM | IGBT 600V 60A 200W TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW35HF60WD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW35HF60WDA | STM | IGBT 600V 60A 200W TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW35HF60WDA транзистор Код товару: 40488
Додати до обраних
Обраний товар
| ST | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Напруга колектор-емітер Vces, V: 600 V Напруга насичення Vce, V: 1,65 V Струм колектора Ic при 25°C, A: 60 A Струм колектора Ic при 100°C, A: 35 A Розсіювана потужність Pd при 25°C, W: 200 W УКТЗЕД: 8541 29 00 10 | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||
| STGW35HF60WDI | STMicroelectronics | IGBT Transistors 35 A 600 V Ultra fast IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW35HF60WDI | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 60A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 30ns/175ns Switching Energy: 185µJ (off) Test Condition: 390V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 140 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 200 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW35HF60WDI | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW35IH135DLF2 | STMicroelectronics | STMicroelectronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW35NB60S | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 70A 200W TO247 Power - Max: 200 W Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Gate Charge: 83 nC Test Condition: 480V, 20A, 100Ohm, 15V Switching Energy: 840µJ (on), 7.4mJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 92ns/1.1µs Supplier Device Package: TO-247-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW35NB60S | STM | TO247 07+ | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW35NB60SD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW35NB60SD | STMicroelectronics | IGBT Transistors N Ch 35A 600V | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW35NB60SD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW35NB60SD | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 70A 200W TO247 Power - Max: 200 W Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Gate Charge: 83 nC Test Condition: 480V, 20A, 100Ohm, 15V Switching Energy: 840µJ (on), 7.4mJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 92ns/1.1µs Supplier Device Package: TO-247-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A Reverse Recovery Time (trr): 44 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW35NB60SD | STM | IGBT 600V 30A TO-247 Транзистори | на замовлення 4 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW35NB60SD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW35NC120HD | STMicroelectronics | Description: IGBT 1200V 60A 235W TO247 Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Power - Max: 235 W Current - Collector Pulsed (Icm): 135 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 110 nC Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 1.66mJ (on), 4.44mJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 29ns/275ns Supplier Device Package: TO-247-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 20A Reverse Recovery Time (trr): 152 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW35NC120HD | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGW35NC120HD | STM | Very fast IGBT, 1200V, 35A, TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW35NC60WD | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGW35NC60WD | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 70A 260W TO247 Switching Energy: 305µJ (on), 181µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 29.5ns/118ns Supplier Device Package: TO-247-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Power - Max: 260 W Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Gate Charge: 102 nC Test Condition: 390V, 20A, 10Ohm, 15V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW38IH130 | на замовлення 6023 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGW38IH130D | STMicroelectronics | Description: IGBT 1300V 63A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads Td (on/off) @ 25°C: -/284ns Switching Energy: 3.4mJ (off) Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 127 nC Current - Collector (Ic) (Max): 63 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1300 V Current - Collector Pulsed (Icm): 125 A Power - Max: 250 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW38IH130D | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 1300V 63A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW38IH130D | STM | IGBT, 1300V, 33A, TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW38IH130D Код товару: 124642
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| STGW38IH130D | STMicroelectronics | IGBTs 33A -1300V very fast IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW38IH130D | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 1300V 63A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW38IHL20D | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGW39NC60V | STMicroelectronics | IGBT Transistors 40 A - 600 V Very Fast IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW39NC60VD | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 33ns/178ns Switching Energy: 333µJ (on), 537µJ (off) Test Condition: 390V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 126 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A Power - Max: 250 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW39NC60VD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW39NC60VD | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 220A Mounting: THT Gate charge: 126nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | на замовлення 187 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW39NC60VD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW39NC60VD Код товару: 116027
Додати до обраних
Обраний товар
| ST | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Напруга колектор-емітер Vces, V: 600 V Напруга насичення Vce, V: 1,7 V Струм колектора Ic при 25°C, A: 80 A Струм колектора Ic при 100°C, A: 40 A Розсіювана потужність Pd при 25°C, W: 250 W Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°C, ns: 33/178 | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||
| STGW39NC60VD | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGW39NC60VD - IGBT, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V MSL: - Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW39NC60VD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW39NC60VD | ST | 80A; 600V; 250W; IGBT STGW39NC60VD STMicroelectronics TSTGW39nc60vd кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 22 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW39NC60VD | STMicroelectronics | IGBTs N-CHANNEL MFT | на замовлення 468 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40H120DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40H120DF2 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGW40H120DF2 - IGBT, 80 A, 2.1 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 468W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: H Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40H120DF2 | STM | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40H120DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40H120DF2 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed | на замовлення 146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40H120DF2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247 Power - Max: 468 W Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Part Status: Active Gate Charge: 187 nC Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 1mJ (on), 1.32mJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 18ns/152ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-247-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A Reverse Recovery Time (trr): 488 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40H120DF2 | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3 Collector current: 40A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Power dissipation: 468W Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Mounting: THT Gate charge: 158nC | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40H120DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40H120F2 | STM | IGBT 1200V 40A HS TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40H120F2 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed | на замовлення 518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40H120F2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/152ns Switching Energy: 1mJ (on), 1.32mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 158 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 468 W | на замовлення 552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40H120F2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40H60DLFB | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40H60DLFB | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40H60DLFB | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40H60DLFB | STMicroelectronics | IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40H60DLFB | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGW40H60DLFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 283W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40H60DLFB | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/142ns Switching Energy: 363µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W | на замовлення 101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

