Продукція > stg

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STGW30NC60VDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+221.63 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60VDSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60VDSTMicroelectronicsIGBTs PowerMESH
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60VDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 29.5ns/118ns
Switching Energy: 305µJ (on), 181µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WSTMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 V 30 A Ultra Fast PowerMESH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WSTMIGBT 600V 60A 200W TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60W
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+444.58 грн
51+279.95 грн
52+277.12 грн
63+216.94 грн
120+197.25 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WDSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 200W
Collector-emitter voltage: 600V
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+320.04 грн
10+242.10 грн
20+220.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WDSTMIGBT 600V 60A 200W TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+444.58 грн
10+279.95 грн
25+277.12 грн
60+216.94 грн
120+197.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WD
Код товару: 19151
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, V: 600
Напруга насичення Vce, V: 2,5
Струм колектора Ic при 25°C, A: 60
Струм колектора Ic при 100°C, A: 30
у наявності: 41 шт
  • 35 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+125.00 грн
10+119.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+422.40 грн
10+278.61 грн
25+275.85 грн
60+219.50 грн
120+201.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 29.5ns/118ns
Switching Energy: 305µJ (on), 181µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+388.23 грн
30+210.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+422.99 грн
51+279.00 грн
52+276.23 грн
63+219.81 грн
120+201.65 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+197.82 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WDSTMicroelectronicsIGBTs PowerMESH" IGBT
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW30NC60WD - IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+421.09 грн
10+246.71 грн
100+223.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+197.82 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns
Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 163 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 258 W
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.92 грн
30+138.20 грн
120+112.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW30V60DF - IGBT, 60 A, 1.85 V, 258 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 258W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+257.96 грн
10+231.44 грн
100+204.92 грн
500+165.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+249.12 грн
3+209.77 грн
5+194.84 грн
10+177.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60DF
Код товару: 161376
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns
Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 163 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60FSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 30A Hi Spd TrenchGate FieldStop
на замовлення 514 шт:
термін постачання 500-509 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60FSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW30V60F - IGBT, 60 A, 1.85 V, 260 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench V Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+306.17 грн
10+216.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW33IH120DSTMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 60A 220W TO247
Power - Max: 220 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Gate Charge: 127 nC
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.5mJ (on), 3.4mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/284ns
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW35HF60WSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW35HF60W
Код товару: 108450
Додати до обраних Обраний товар
STMТранзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW35HF60WSTMicroelectronicsIGBT Transistors Ultra Fast IGBT 35A 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW35HF60WSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/175ns
Switching Energy: 290µJ (on), 185µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW35HF60WDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+361.85 грн
10+359.35 грн
50+356.96 грн
100+262.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW35HF60WDSTMicroelectronicsIGBTs 35 A 600 V Ultra fast IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW35HF60WDSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 35A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 35A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW35HF60WDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/175ns
Switching Energy: 290µJ (on), 185µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW35HF60WDSTMIGBT 600V 60A 200W TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW35HF60WDASTMIGBT 600V 60A 200W TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW35HF60WDA транзистор
Код товару: 40488
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, V: 600 V
Напруга насичення Vce, V: 1,65 V
Струм колектора Ic при 25°C, A: 60 A
Струм колектора Ic при 100°C, A: 35 A
Розсіювана потужність Pd при 25°C, W: 200 W
УКТЗЕД: 8541 29 00 10
товару немає в наявності
1+99.00 грн
10+89.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW35HF60WDISTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/175ns
Switching Energy: 185µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW35HF60WDISTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW35HF60WDISTMicroelectronicsIGBT Transistors 35 A 600 V Ultra fast IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW35IH135DLF2STMicroelectronicsSTMicroelectronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW35NB60SSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 70A 200W TO247
Power - Max: 200 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Gate Charge: 83 nC
Test Condition: 480V, 20A, 100Ohm, 15V
Switching Energy: 840µJ (on), 7.4mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 92ns/1.1µs
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW35NB60SSTMTO247 07+
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW35NB60SDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW35NB60SDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 70A 200W TO247
Power - Max: 200 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Gate Charge: 83 nC
Test Condition: 480V, 20A, 100Ohm, 15V
Switching Energy: 840µJ (on), 7.4mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 92ns/1.1µs
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 44 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW35NB60SDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+338.60 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW35NB60SDSTMIGBT 600V 30A TO-247 Транзистори
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+332.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW35NB60SDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+348.17 грн
150+319.69 грн
300+299.01 грн
450+273.40 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW35NB60SDSTMicroelectronicsIGBT Transistors N Ch 35A 600V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW35NC120HD
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW35NC120HDSTMVery fast IGBT, 1200V, 35A, TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW35NC120HDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 60A 235W TO247
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 235 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 135 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 110 nC
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.66mJ (on), 4.44mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/275ns
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 152 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW35NC60WD
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW35NC60WDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 70A 260W TO247
Switching Energy: 305µJ (on), 181µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 29.5ns/118ns
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 260 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Gate Charge: 102 nC
Test Condition: 390V, 20A, 10Ohm, 15V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW38IH130
на замовлення 6023 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW38IH130DSTMicroelectronicsDescription: IGBT 1300V 63A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: -/284ns
Switching Energy: 3.4mJ (off)
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 127 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 125 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW38IH130DSTMicroelectronicsIGBTs 33A -1300V very fast IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW38IH130DSTMIGBT, 1300V, 33A, TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW38IH130DSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1300V 63A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+210.55 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW38IH130D
Код товару: 124642
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW38IH130DSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1300V 63A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+210.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW38IHL20D
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VSTMicroelectronicsIGBT Transistors 40 A - 600 V Very Fast IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VD
Код товару: 116027
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, V: 600 V
Напруга насичення Vce, V: 1,7 V
Струм колектора Ic при 25°C, A: 80 A
Струм колектора Ic при 100°C, A: 40 A
Розсіювана потужність Pd при 25°C, W: 250 W
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°C, ns: 33/178
товару немає в наявності
1+264.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+243.25 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW39NC60VD - IGBT, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+353.59 грн
10+197.69 грн
100+163.13 грн
500+139.54 грн
1000+117.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VDSTMicroelectronicsIGBTs N-CHANNEL MFT
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VDST80A; 600V; 250W; IGBT   STGW39NC60VD STMicroelectronics TSTGW39nc60vd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+193.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/178ns
Switching Energy: 333µJ (on), 537µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+243.88 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VDSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+292.68 грн
4+262.83 грн
10+220.55 грн
30+177.43 грн
60+157.53 грн
120+143.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+556.43 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW40H120DF2 - IGBT, 80 A, 2.1 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+528.77 грн
5+509.49 грн
10+489.40 грн
50+436.53 грн
100+385.73 грн
250+369.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Power - Max: 468 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Active
Gate Charge: 187 nC
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1mJ (on), 1.32mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/152ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 488 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+512.21 грн
30+285.35 грн
120+239.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Power dissipation: 468W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+498.24 грн
3+433.63 грн
5+409.58 грн
10+364.81 грн
30+339.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+562.52 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120F2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120F2STMIGBT 1200V 40A HS TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120F2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/152ns
Switching Energy: 1mJ (on), 1.32mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 158 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 468 W
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+512.21 грн
30+283.98 грн
120+237.90 грн
510+191.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H60DLFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H60DLFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H60DLFBSTMicroelectronicsIGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H60DLFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/142ns
Switching Energy: 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.31 грн
30+198.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H60DLFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+197.31 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H60DLFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW40H60DLFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+405.02 грн
10+227.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H60DLFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+197.55 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFBSTMicroelectronicsIGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFBSTMIGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.90 грн
30+124.57 грн
120+101.44 грн
510+79.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]