Продукція > 2N5

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2N5550_D26ZonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550_J24ZonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551ONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551Diotec SemiconductorТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 180, Ic = 600 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 80/125 @ 10 мА, Icutoff-max = 50 нА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
на замовлення 11189 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.80 грн
90+4.63 грн
136+3.05 грн
500+2.32 грн
1000+2.07 грн
2000+1.84 грн
4000+1.65 грн
8000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551Diotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+2.18 грн
8000+1.87 грн
12000+1.76 грн
20000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551----NPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551NXP SemiconductorsBipolar Transistors - BJT TRANS HV BULK STR LEAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551On SemiconductorNPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551FUXINSEMITransistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 TO92 NPN 180V 600mA 625m T2N5551 FUX
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551DIOTECDescription: DIOTEC - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551
Код товару: 193606
Додати до обраних Обраний товар
HottechТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
Гранична частота fT: 300 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 160 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 180 В
Струм колектора Ic, А: 0,6 А
Монтаж: THT
у наявності: 1487 шт
  • 1020 шт - склад
  • 340 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 88 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 39 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
10+2.00 грн
14+1.50 грн
100+1.30 грн
1000+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 12731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+20.16 грн
719+19.64 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 160V 625MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 4868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.73 грн
71+4.24 грн
115+2.60 грн
500+1.75 грн
1000+1.53 грн
2000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551Diotec2N5551 NPN, Bipolar, Uce=180V, Ic=600mA, P=625mW, TO92, Ammo Pack Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551RectronBipolar Transistors - BJT TO-92 NPN 0.6A 160V HighVol
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551DC ComponentsТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551SLKORTransistor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 SLKOR T2N5551 SLK
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551LUGUANG ELECTRONICCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.2A TO-92
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551Diotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.60 грн
44+6.85 грн
100+4.22 грн
500+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551UTCNPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551Diotec SemiconductorBipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551NXP/Nexperia/We-EnТранзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551MICNPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/15W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
200+2.28 грн
250+1.75 грн
275+1.55 грн
1000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551
Код товару: 175303
Додати до обраних Обраний товар
FairТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
Гранична частота fT: 300 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 160 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 180 В
Струм колектора Ic, А: 0,6 А
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551Lumimax Optoelectronic TechnologyDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 4742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+6.96 грн
76+3.95 грн
131+2.29 грн
500+1.65 грн
1000+1.35 грн
2000+1.22 грн
3000+1.11 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551HOTTECH2N5551 NPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551onsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551ONS/FAINPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551JSMicro SemiconductorTransistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 JSMICRO T2N5551 JSM
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 11190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3668+3.85 грн
4121+3.42 грн
4732+2.98 грн
8000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 3668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551onsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 31024
1 Додати до обраних Обраний товар
DIOTEC SEMICONDUCTORТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
Гранична частота fT: 300 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 160 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 180 В
Струм колектора Ic, А: 0,6 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 250
Монтаж: THT
у наявності: 747 шт
  • 674 шт - склад
  • 73 шт - РАДІОМАГ-Київ
10+2.00 грн
14+1.50 грн
100+1.30 грн
1000+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 160V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-92-3
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 160V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 160V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 APM TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 160V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 APP PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 APP PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 160V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-92
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 APP TIN/LEADCentral SemiconductorThrough-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 APP TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 APP TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 160V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 160V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 T/RNXP SemiconductorsBipolar Transistors - BJT TRANS HV TAPE WIDE PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.30 грн
10+71.77 грн
100+47.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 TIN/LEADCentral Semiconductor2N5551 TIN/LEAD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 TRA PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 TRA PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 TRA PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 160V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 TRA TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 160V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 TRA TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 160V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 TRE PBFREECentral Semiconductor2N5551 TRE PBFREE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 TRE PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 160V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 TRE TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 160V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 160V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551,116NXP USA Inc.Description: TRANS NPN 160V 0.3A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 630 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551,116Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551,412NXP USA Inc.Description: TRANS NPN 160V 0.3A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 630 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551-(TO-92)KLS2N5551-(TO-92) 2N5551 NPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551-AMCC Corp.Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V, TO-92-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551-APDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551-TRectronBipolar Transistors - BJT NPN 0.6A 160V
на замовлення 6158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551-YONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551-Y (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 1459
Додати до обраних Обраний товар
PhilipsТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
Гранична частота fT: 300 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 160 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 180 В
Струм колектора Ic, А: 0,6 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 250
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+2.00 грн
100+1.00 грн
10000+0.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551-Y_NLFSC08+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551.MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N5551. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551/MMBT555107+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N55512N5401
Код товару: 113018
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N55512N5401FAIRCHILD
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551AInfineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551AMOTOROLA
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BUFairchild/ON SemiconductorТранзистор NPN (Uce=160V, Ic=0.6A, P=625mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BUONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 26007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1615+8.74 грн
2193+6.44 грн
2773+5.09 грн
2815+4.84 грн
5000+3.94 грн
10000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 1615 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BUonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 405329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.33 грн
27+11.24 грн
100+6.98 грн
500+4.83 грн
1000+4.27 грн
2000+3.79 грн
5000+3.23 грн
10000+2.92 грн
50000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BUONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5551BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.58 грн
57+13.36 грн
100+8.56 грн
500+6.08 грн
1000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2942+4.80 грн
5000+4.33 грн
10000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 2942 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BUONS/FAIBipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 26007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.14 грн
55+13.70 грн
100+8.78 грн
500+6.23 грн
1000+4.56 грн
2000+4.31 грн
5000+3.80 грн
10000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BUonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 23489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551BU.ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5551BU. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551C
Код товару: 94668
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551CBUonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]