Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 32 36 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB5Eaton Electrical KIT INTERPHASE BARRIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50CN10NGinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50CN10NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
363+56.89 грн
Мінімальне замовлення: 363 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+77.85 грн
505+70.06 грн
1000+64.62 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50CN10NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L-16Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L-16Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L-16Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L-16Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+140.26 грн
1000+129.65 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+140.26 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+140.26 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 100W; D2PAK,TO263
Polarisation: unipolar
Transistor: N-MOSFET
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 13.1mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 100W
Gate charge: 64nC
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+140.26 грн
1000+129.65 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+140.26 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N12S3L15ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL 100+
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N12S3L15ATMA1Infineon TechnologiesPower MOSFET Transistor Automotive AEC-Q101
на замовлення 16566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+137.90 грн
500+123.76 грн
1000+114.46 грн
10000+98.41 грн
Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N12S3L15ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_100+
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R140CPInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R140CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 550V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+429.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R140CPATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB50R140CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 192W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R140CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 550V 23A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+368.39 грн
10+235.12 грн
50+183.55 грн
100+156.68 грн
500+129.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R140CPATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R140CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 550V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+129.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R140CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 550V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R140CPATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB50R140CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 192W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R140CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 550V 23A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+133.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R140CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 550V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+129.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R140CPATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 25W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R199CPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 17A TO263-3-2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R199CPInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R199CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 550V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+140.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R199CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 550V 17A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R199CPATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP
на замовлення 15656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R199CPATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; 139W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R199CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 550V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R199CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 550V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+140.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R250CPinfineon07+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R250CPInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R250CPInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 550V 13A D2PAK-2 CoolMOS CP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R250CPATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 114W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R250CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 550V 13A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R299CPInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 550V 12A D2PAK-2 CoolMOS CP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R299CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 550V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+135.54 грн
500+122.58 грн
1000+112.50 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R299CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 550V 12A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R299CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 550V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+135.54 грн
500+122.58 грн
1000+112.50 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R299CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 550V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 50165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+135.54 грн
500+122.58 грн
1000+112.50 грн
10000+96.72 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R299CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 550V 12A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V
на замовлення 65886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+98.69 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R299CPATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 104W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB530N15N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 21A D2PAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB530N15N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB530N15N3GATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPB530N15N3GATMA1 - IPB530N15 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB530N15N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB530N15N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 250V 25A D2PAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 25A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 4006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.04 грн
10+175.86 грн
50+136.09 грн
100+115.69 грн
500+95.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+112.20 грн
2000+110.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB600N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+111.85 грн
2000+109.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 25A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+97.17 грн
3000+84.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+194.24 грн
78+181.98 грн
105+135.78 грн
500+114.56 грн
2000+92.61 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB600N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 250V 25A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+187.40 грн
500+168.54 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7Infineon
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R040C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+683.60 грн
100+649.42 грн
500+615.24 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+841.82 грн
10+561.94 грн
50+455.75 грн
100+417.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+639.00 грн
10+572.91 грн
25+570.83 грн
100+548.54 грн
250+506.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R040C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1058.78 грн
21+678.45 грн
100+609.03 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1058.78 грн
10+678.45 грн
100+609.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+639.00 грн
25+570.83 грн
100+548.54 грн
250+506.14 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7Infineon TechnologiesIPB60R040CFD7
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+963.20 грн
25+918.72 грн
50+881.75 грн
100+820.29 грн
250+735.97 грн
500+687.17 грн
1000+670.49 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+758.85 грн
27+527.36 грн
29+494.46 грн
100+453.61 грн
250+398.54 грн
500+361.91 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+763.28 грн
27+526.33 грн
100+425.61 грн
500+407.50 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R040CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+763.28 грн
10+526.33 грн
100+425.61 грн
500+407.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4351 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+673.30 грн
10+444.12 грн
50+356.73 грн
100+311.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+758.85 грн
10+527.36 грн
25+494.46 грн
100+453.61 грн
250+398.54 грн
500+361.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 32 36 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]