Продукція > IPB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB50R250CPInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R250CPInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 550V 13A D2PAK-2 CoolMOS CP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R250CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 550V 13A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R250CPATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 114W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R299CPInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 550V 12A D2PAK-2 CoolMOS CP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R299CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 550V 12A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V
на замовлення 65886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+97.79 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R299CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 550V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+135.84 грн
500+122.85 грн
1000+112.75 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R299CPATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 104W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R299CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 550V 12A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R299CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 550V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+135.84 грн
500+122.85 грн
1000+112.75 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R299CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 550V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 50165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+135.84 грн
500+122.85 грн
1000+112.75 грн
10000+96.94 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB530N15N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 21A D2PAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB530N15N3GATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPB530N15N3GATMA1 - IPB530N15 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB530N15N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB530N15N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB530N15N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 250V 25A D2PAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 25A D2PAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+94.27 грн
3000+81.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB600N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+187.82 грн
500+168.92 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+112.45 грн
2000+110.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 25A D2PAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.27 грн
10+170.66 грн
50+132.01 грн
100+112.23 грн
500+92.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 250V 25A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB600N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+112.10 грн
2000+110.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+194.67 грн
78+182.38 грн
105+136.08 грн
500+114.82 грн
2000+92.81 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7Infineon
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1061.14 грн
10+679.97 грн
100+610.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+640.43 грн
25+572.10 грн
100+549.76 грн
250+507.26 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R040C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+685.12 грн
100+650.87 грн
500+616.61 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+640.43 грн
10+574.18 грн
25+572.10 грн
100+549.76 грн
250+507.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+834.10 грн
10+556.79 грн
50+451.58 грн
100+413.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R040C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1061.14 грн
21+679.97 грн
100+610.38 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7Infineon TechnologiesIPB60R040CFD7
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+965.35 грн
25+920.77 грн
50+883.72 грн
100+822.12 грн
250+737.61 грн
500+688.70 грн
1000+671.98 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4351 pF @ 400 V
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+667.13 грн
10+440.05 грн
50+353.46 грн
100+308.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R040CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+397.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+397.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4351 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+279.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+760.54 грн
27+528.54 грн
29+495.56 грн
100+454.62 грн
250+399.43 грн
500+362.72 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R040CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+764.98 грн
27+527.50 грн
100+426.55 грн
500+408.40 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+764.98 грн
10+527.50 грн
100+426.55 грн
500+408.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+760.54 грн
10+528.54 грн
25+495.56 грн
100+454.62 грн
250+399.43 грн
500+362.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1
Код товару: 162243
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 61A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+673.10 грн
34+429.47 грн
100+384.00 грн
500+348.31 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R045P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 201W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+319.32 грн
10+319.22 грн
25+319.13 грн
250+307.64 грн
500+284.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 61A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+319.13 грн
250+307.64 грн
500+284.77 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+673.10 грн
10+429.47 грн
100+384.00 грн
500+348.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R045P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 201W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 201W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R055CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+665.74 грн
10+445.92 грн
100+318.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R055CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R055CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.046 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 178W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R055CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R055CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 38A TO263-3
на замовлення 5304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+587.91 грн
10+385.38 грн
50+307.84 грн
100+265.51 грн
500+261.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R055CFD7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R055CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+665.74 грн
32+445.92 грн
100+318.05 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R055CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R055CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.046 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 178W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 178W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R055CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R055CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 38A TO263-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+236.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+249.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060C7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+714.05 грн
10+550.28 грн
50+480.40 грн
100+399.16 грн
500+362.21 грн
1000+313.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060C7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R060C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.052 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 162W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+714.05 грн
26+550.28 грн
50+480.40 грн
100+399.16 грн
500+362.21 грн
1000+313.75 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060C7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+368.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+612.76 грн
10+402.20 грн
50+321.82 грн
100+277.80 грн
500+275.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060C7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R060C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.052 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 162W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+446.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+369.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+528.20 грн
10+366.75 грн
50+357.17 грн
100+283.06 грн
500+241.47 грн
1000+217.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+177.11 грн
3000+165.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 164W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+528.20 грн
39+366.75 грн
50+357.17 грн
100+283.06 грн
500+241.47 грн
1000+217.38 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel
на замовлення 998 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+280.04 грн
10+254.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.