Продукція > IPL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPL65R660E6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 7A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.58 грн
500+110.32 грн
1000+101.74 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R660E6AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 63W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 63W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R660E6AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 7A THIN-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R725CFDAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 4VSON
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL70R2K1CESATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET COOLMOS 700V 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL70R2K1CESATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL76Hammond ManufacturingDescription: PLINTH 700 X 600MM X 4"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL78Hammond ManufacturingDescription: PLINTH 700 X 800MM X 4"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL86Hammond ManufacturingDescription: PLINTH 800 X 600MM X 4"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLA32L1R0KDVishayHigh Current Planar Choke Shielded 1uH 10% 22A Solder Lug
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1524.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLA32L1R0KDVishay SferniceDescription: FIXED IND 1UH 22A CHAS MNT
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2841.33 грн
10+2641.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLA32L1R0KDVISHAYDescription: VISHAY - IPLA32L1R0KD - Induktivität, geschirmt, 1µH, 22A, 7W, ± 10%, Produktreihe IPLA 32
tariffCode: 85045000
Sättigungsstrom (Isat): 110A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Induktivitätstoleranz: ± 10%
Induktivität: 1µH
euEccn: NLR
isCanonical: Y
RMS-Strom Irms: 22A
DC-Widerstand, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Produktpalette: IPLA 32 Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLA32L1R0KDVishay / SfernicePower Inductors - Leaded 1uH 10% High Current
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLA32L1R0KDVishayHigh Current Planar Choke Shielded 1uH 10% 22A Solder Lug
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLA32L2R0KDVishay / SferniceFixed Inductors 2uH 10% High Current
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLA32L2R0KDVishayHigh Current Planar Choke Shielded 2uH 10% 20A Solder Lug
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLA32L2R0KDVishayHigh Current Planar Choke Shielded 2uH 10% 20A Solder Lug
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1330.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLA32L2R0KDVishay SferniceDescription: FIXED IND 2UH 20A CHAS MNT
Current Rating (Amps): 20 A
Inductance: 2 µH
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.874" (22.20mm)
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Current - Saturation (Isat): 100A
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Type: Planar
Shielding: Shielded
Mounting Type: Chassis Mount
Size / Dimension: 1.189" L x 0.965" W (30.20mm x 24.50mm)
Package / Case: Nonstandard
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3136.83 грн
10+2869.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLA32L3R0KDVishayHigh Current Planar Choke Shielded 3uH 10% 14A Solder Lug
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1314.40 грн
5+1293.66 грн
10+1277.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLA32L3R0KDVISHAYDescription: VISHAY - IPLA32L3R0KD - Induktivität, geschirmt, 3µH, 14A, 2.8W, ± 10%, Produktreihe IPLA 32
Sättigungsstrom (Isat): 70
Induktivitätstoleranz: ± 10%
Induktivität: 3
RMS-Strom Irms: 14
DC-Widerstand, max.: -
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Produktpalette: IPLA 32
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLA32L3R0KDVishayHigh Current Planar Choke Shielded 3uH 10% 14A Solder Lug
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLA32L3R0KDVishay SferniceDescription: FIXED IND 3UH 14A CHAS MNT
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 14 A
Inductance: 3 µH
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.874" (22.20mm)
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Current - Saturation (Isat): 70A
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Type: Planar
Shielding: Shielded
Mounting Type: Chassis Mount
Size / Dimension: 1.189" L x 0.965" W (30.20mm x 24.50mm)
Package / Case: Nonstandard
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3136.83 грн
10+2869.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLA32L3R0KDVishay / SferniceFixed Inductors 3uH 10% High Current
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLA32L4R0KDVishay SferniceDescription: FIXED IND 4UH 10A CHAS MNT
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Type: Planar
Shielding: Shielded
Mounting Type: Chassis Mount
Size / Dimension: 1.189" L x 0.965" W (30.20mm x 24.50mm)
Package / Case: Nonstandard
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 10 A
Inductance: 4 µH
Height - Seated (Max): 0.874" (22.20mm)
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Current - Saturation (Isat): 50A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLA32L4R0KDVishay / SfernicePower Inductors - Leaded 4uH 10% High Current
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLA32L4R0KDVishayHigh Current Planar Choke Shielded 4uH 10% 10A Solder Lug
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLED-16X32RGB7-CIP DisplaysDescription: DISPLAY MODULE BL/G/R LED 7STACK
Packaging: Retail Package
Type: Display Module
Operating Temperature: -34°C ~ 65°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 95 ~ 260VAC
Lamp Type: LED
Part Status: Active
Number of Stacks: 7
Light Color: Blue, Green, Red
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+39269.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLED-16X96RGB7-CIP DisplaysDescription: Compact Indoor Display with 6mm
Packaging: Retail Package
Type: Display Module
Operating Temperature: -34°C ~ 65°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 95 ~ 260VAC
Lamp Type: LED
Part Status: Active
Number of Stacks: 7
Light Color: Blue, Green, Red
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+107069.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLED-24X128-RGB7-C-ODNIP DisplaysDescription: DISPLAY MODULE LED 7STACK
Lamp Type: LED
Voltage - Supply: 95 ~ 260VAC
Termination Style: Connector
Operating Temperature: -34°C ~ 65°C
Type: Display Module
Packaging: Retail Package
Number of Stacks: 7
Part Status: Active
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+287032.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLED-24X32RGB7-C-DSIP DisplaysDescription: DISPLAY MODULE BL/G/R LED 7STACK
Packaging: Retail Package
Type: Display Module
Operating Temperature: -34°C ~ 65°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 95 ~ 260VAC
Lamp Type: LED
Part Status: Active
Number of Stacks: 7
Light Color: Blue, Green, Red
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+107069.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLED-24X64-RGB7-C-ODNIP DisplaysDescription: Compact Indoor Display with 6mm
Packaging: Retail Package
Light Color: Green, Red
Number of Stacks: 7
Part Status: Active
Lamp Type: LED
Voltage - Supply: 95 ~ 260VAC
Termination Style: Connector
Operating Temperature: -34°C ~ 65°C
Type: Display Module
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+146259.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLED-24X64-RGB7-C-SSIP DisplaysDescription: DISPLAY MODULE BL/G/R LED 7STACK
Light Color: Blue, Green, Red
Number of Stacks: 7
Part Status: Active
Lamp Type: LED
Voltage - Supply: 95 ~ 260VAC
Termination Style: Connector
Operating Temperature: -34°C ~ 65°C
Type: Display Module
Packaging: Retail Package
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+187880.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLED-24X64RGB7CIP DisplaysDescription: Compact Indoor LED Display. 7 Co
Packaging: Retail Package
Type: Display Module
Operating Temperature: -34°C ~ 65°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 95 ~ 260VAC
Lamp Type: LED
Part Status: Active
Number of Stacks: 7
Light Color: Blue, Green, Red
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+107069.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R1K0PFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R1K0PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 5.2A THIN-PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 31.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.03 грн
10+90.27 грн
100+70.38 грн
500+54.56 грн
1000+43.07 грн
2000+40.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R1K0PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 5.2A THIN-PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 31.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R1K5PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.8A THIN-PAK
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R1K5PFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK60R1K5PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.8 A, 1.5 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R1K5PFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R1K5PFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK60R1K5PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.8 A, 1.5 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R1K5PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.8A THIN-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R360PFD7Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R360PFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+156.01 грн
10+105.69 грн
100+76.65 грн
500+58.16 грн
1000+51.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R360PFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 23366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+82.56 грн
500+74.30 грн
1000+68.53 грн
10000+58.92 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R360PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A THIN-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R360PFD7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R360PFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+82.56 грн
500+74.30 грн
1000+68.53 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R360PFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK60R360PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.303 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R360PFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R360PFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R360PFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+156.01 грн
134+105.69 грн
185+76.65 грн
500+58.16 грн
1000+51.15 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R360PFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK60R360PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.303 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R360PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A THIN-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R600PFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK60R600PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.517 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R600PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7A THIN-PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R600PFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 4755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R600PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7A THIN-PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R600PFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK60R600PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.517 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R1K2P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.4 A, 0.98 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 25.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25.5W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.98ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R1K2P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.4 A, 0.98 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25.5W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R1K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.9 A, 1.15 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 22.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.15ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R1K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.9 A, 1.15 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.1 A, 1.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 21.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21.2W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.1 A, 1.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21.2W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R600P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R600P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.4 A, 0.49 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46.3W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R600P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R600P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R600P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.4 A, 0.49 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46.3W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R750P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.7 A, 0.62 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 36.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 36.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R750P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R750P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R750P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.7 A, 0.62 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 36.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R750P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R900P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R900P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.7 A, 0.74 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32.1W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R900P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R900P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.7 A, 0.74 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 32.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32.1W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.74ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R900P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R1K2P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R1K2P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 43W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R1K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R1K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]