Продукція > IPP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPP65R095C7Infineon
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R095C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R095C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R095C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+431.88 грн
50+219.39 грн
100+200.42 грн
500+156.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R095C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+547.82 грн
10+525.73 грн
25+319.19 грн
100+283.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R095C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+443.39 грн
53+268.74 грн
54+254.23 грн
100+215.54 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R095C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+440.33 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R095C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 128W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R095C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R099C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 38A TO220-3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R099C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+325.30 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R099C6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R099C6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R099C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.089 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 38
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 278
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 278
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS C6
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.089
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R099C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 38A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R099CFD7AAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R099CFD7AAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 127W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R099CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+259.30 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R099CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R099CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R099CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+480.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R099CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+259.30 грн
500+246.33 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R099CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R099CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+522.37 грн
50+510.11 грн
200+302.67 грн
500+290.95 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R099CFD7AAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFDInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 31.2A TO220-3 CoolMOS CFD2
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+196.83 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+196.83 грн
500+186.22 грн
1000+176.79 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFD7XKSA1InfineonN-Channel 650 V 22A (Tc) 114W (Tc) Through Hole PG-TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFD7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFD7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R110CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.087 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+196.83 грн
500+186.22 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFD7XKSA1-HXYHXY MOSFETN-Channel 650 V 22A (Tc) 114W (Tc) Through Hole PG-TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFDAAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFDAAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R110CFDAAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFDAAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFDAAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFDAAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFDAAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 31.2A TO220-3
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFDXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFDXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
Power dissipation: 277.8W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFDXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R110CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CF2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFDXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+424.30 грн
100+403.09 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFDXKSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFDXKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+280.51 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFDXKSA2Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFDXKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+462.45 грн
50+236.23 грн
100+216.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFDXKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R115CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R115CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 21A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R115CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 21A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+219.22 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R115CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 21A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R115CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 21A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R115CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 21A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+219.22 грн
500+207.44 грн
1000+196.83 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R125C7
Код товару: 186997
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R125C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R125C7Infineon TechnologiesDescription: IPP65R125 - 650V AND 700V COOLMO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R125C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R125C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+396.53 грн
10+384.68 грн
25+221.45 грн
100+195.72 грн
500+145.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R125C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R125C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R125C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R125C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+390.36 грн
50+378.10 грн
500+222.97 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R125C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.17 грн
50+155.46 грн
100+146.98 грн
500+110.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R125C7XKSA1InfineonMOSFET N-CH 650V 18A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R125C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+396.57 грн
37+384.73 грн
64+221.48 грн
100+195.74 грн
500+145.96 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R125C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R145CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R145CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+192.12 грн
500+182.69 грн
1000+172.08 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R145CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R145CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R150CFD
Код товару: 127257
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R150CFDInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 22.4A TO220-3
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R150CFDAInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 22.4A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R150CFDAAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R150CFDAAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R150CFDAAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 22.4A TO220-3
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R150CFDAAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+360.55 грн
50+197.89 грн
100+184.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R150CFDAAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R150CFDAAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 22.4
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 195.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 195.3
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R150CFDXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+247.51 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R150CFDXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 22.4A TO220-3
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R150CFDXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R150CFDXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R150CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 22.4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 195.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 195.3
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS CFD2
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R150CFDXKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R150CFDXKSA2Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R150CFDXKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R155CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+146.15 грн
500+137.90 грн
1000+130.83 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R155CFD7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R155CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.131 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 77W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R155CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+327.19 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R155CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R155CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.68 грн
50+167.03 грн
100+143.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 20.2A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 20.2A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R190C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 151W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C7Infineon technologies
на замовлення 435 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]