Продукція > NTM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTMFS5H630NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22A/120A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 30 V
на замовлення 215177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.90 грн
10+98.57 грн
100+66.95 грн
500+50.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H630NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 22A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 490500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+47.64 грн
246000+43.53 грн
369000+40.51 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H630NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22A/120A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 30 V
на замовлення 214500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+45.46 грн
3000+40.69 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H630NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 22A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H630NLT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 748A; 36W; DFN5
Power dissipation: 36W
Mounting: SMD
Case: DFN5
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 748A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H630NLT1GonsemiMOSFETs T8 60V LOW COSS
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H630NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 22A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+87.39 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H630NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H663NLT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET 60 V, 7.2 mohm?, 61 A, Single N-Channel
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6B03NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 100V 132A 4.8M
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6B03NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 19A SO8FL
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6B03NT1GON Semiconductor
на замовлення 808 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6B03NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 19A SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6B03NT3GON Semiconductor
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6B03NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 100V 132A 4.8M
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6B03NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 19A SO8FL
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6B05NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 16A/104A 5DFN
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6B05NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 100V 104A 7.7M
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6B05NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 16A/104A 5DFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6B05NT1GON Semiconductor
на замовлення 859 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6B05NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 16A SO8FL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6B05NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 100V 104A 7.7M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6B14NT1GON Semiconductor
на замовлення 1528 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6B14NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 10A/50A 5DFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6B14NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 100V 15A 14MOH
на замовлення 2577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6B14NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 10A/50A 5DFN
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6B14NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 10A SO8FL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6B14NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 100V 15A 14MOH
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6D1N08HT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 89A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6D1N08HT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+65.59 грн
218+64.93 грн
247+57.27 грн
250+54.80 грн
500+50.18 грн
1000+47.64 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6D1N08HT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS6D1N08HT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 89 A, 4500 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.65 грн
17+50.56 грн
100+50.48 грн
500+45.97 грн
1000+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6D1N08HT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.18 грн
12+65.59 грн
25+64.93 грн
100+55.23 грн
250+50.74 грн
500+48.17 грн
1000+47.64 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6D1N08HT1GOn SemiconductorMOSFETs T8 80V 1 PART PROLI FERATI Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6D1N08HT1GonsemiMOSFETs T8 80V 1 PART PROLI FERATI
на замовлення 4095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6D1N08HT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 89A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.01 грн
10+89.06 грн
100+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6D1N08HT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6D1N08HT1GON Semiconductor
на замовлення 880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6D1N08HT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS6D1N08HT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 89 A, 4500 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.48 грн
500+45.97 грн
1000+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H800NonsemiMOSFETs TRENCH 8 80V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H800NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 30A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H800NLT1GON Semiconductor
на замовлення 8425 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H800NLT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 224A; Idm: 900A; 107W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 224A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 107W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H800NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+84.59 грн
3000+80.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H800NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 30A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+152.04 грн
500+143.79 грн
1000+136.72 грн
10000+123.88 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H800NLT1GonsemiMOSFETs 80V 224A 1.8mOhm Single N-Channel
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H800NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 40 V
на замовлення 3635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.17 грн
10+159.71 грн
100+111.83 грн
500+92.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H800NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5530 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 330µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 203A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.41 грн
10+163.11 грн
100+116.23 грн
500+100.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H800NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 1800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H800NT1GON SemiconductorNTMFS6H800NT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 28A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H800NT1GonsemiMOSFETs TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H800NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5530 pF @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+91.21 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H800NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 1800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H800NT1GON SemiconductorNTMFS6H800NT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 28A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H800NT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 203A; Idm: 900A; 100W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 203A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 100W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NLonsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 24A/160A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5126 pF @ 40 V
на замовлення 44138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.41 грн
10+132.84 грн
100+92.00 грн
500+69.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NLT1GON SemiconductorMOSFET Power, Single N Channel, 80 V, 2.7 m, 160 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NLT1GonsemiMOSFET T8 80V LL SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NLT1GON Semiconductor
на замовлення 862 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 24A/160A 5DFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5126 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 43500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+68.51 грн
3000+64.68 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NT1GonsemiMOSFETs TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET
на замовлення 8288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 23A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+84.48 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.61 грн
500+83.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 23A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+133.43 грн
126+112.50 грн
127+111.38 грн
148+92.30 грн
250+84.61 грн
500+79.85 грн
1000+78.48 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.39 грн
10+139.79 грн
100+96.75 грн
500+73.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 23A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.01 грн
10+135.75 грн
100+101.61 грн
500+83.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 23A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+83.96 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+72.09 грн
3000+68.39 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 23A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+133.43 грн
10+112.50 грн
25+111.38 грн
100+92.30 грн
250+84.61 грн
500+79.85 грн
1000+78.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H818NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3844 pF @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+55.11 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H818NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H818NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3844 pF @ 40 V
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.36 грн
10+109.29 грн
100+74.92 грн
500+56.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H818NLT1GonsemiMOSFETs T8 80V LL SO8FL
на замовлення 7340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H818NT1GON SemiconductorNTMFS6H818NT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+154.43 грн
108+131.19 грн
109+129.88 грн
140+97.77 грн
250+89.63 грн
500+70.95 грн
1000+61.85 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H818NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+54.64 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H818NT1GonsemiMOSFETs TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H818NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS6H818NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.90 грн
500+60.31 грн
1000+55.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H818NT1GON SemiconductorNTMFS6H818NT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H818NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.79 грн
10+108.46 грн
100+74.32 грн
500+56.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H818NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS6H818NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.76 грн
10+110.55 грн
100+79.90 грн
500+60.31 грн
1000+55.39 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H818NT1GON SemiconductorNTMFS6H818NT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+154.43 грн
10+131.19 грн
25+129.88 грн
100+97.77 грн
250+89.63 грн
500+70.95 грн
1000+61.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NLT1GonsemiDescription: T8 80V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 140µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.41 грн
10+95.40 грн
100+64.90 грн
500+48.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS6H824NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 4000 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.55 грн
500+57.51 грн
1000+47.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NLT1GonsemiDescription: T8 80V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 140µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+47.26 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS6H824NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 4000 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.94 грн
10+108.11 грн
100+77.55 грн
500+57.51 грн
1000+47.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NLT1GonsemiMOSFETs T8 80V LL SO8FL
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NT1GonsemiDescription: T8 80V U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
на замовлення 37470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.71 грн
10+96.61 грн
100+76.89 грн
500+61.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS6H824NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 103 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+193.46 грн
10+123.55 грн
100+86.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 19A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.44 грн
10+86.77 грн
25+84.80 грн
50+81.37 грн
100+65.73 грн
250+62.71 грн
500+57.30 грн
1000+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NT1GonsemiMOSFET Power MOSFET, Single N-Channel, 80V, 103A, 4.5mohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 19A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+112.02 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NT1GonsemiDescription: T8 80V U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+57.32 грн
3000+52.44 грн
7500+50.47 грн
10500+45.80 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS6H824NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 103 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 19A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+86.77 грн
167+84.80 грн
168+84.38 грн
193+70.98 грн
250+65.32 грн
500+57.30 грн
1000+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H836NLT1GonsemiMOSFET T8 80V LL SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 509-518 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H836NLT1GON SemiconductorPower, Single N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H836NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 16A/77A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.41 грн
10+76.61 грн
100+51.50 грн
500+38.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]