Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 32 36 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступність_PRICE_WITHOUT_VAT
PSMN038-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
445+79.77 грн
500+71.80 грн
1000+66.21 грн
Мінімальне замовлення: 445 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 94.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1905 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN038-100YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0302 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94.9W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0302ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.14 грн
200+32.38 грн
500+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
531+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 531 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLXNexperiaMOSFETs SOT669 100V 30A
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.76 грн
10+51.84 грн
50+43.56 грн
100+29.68 грн
500+23.13 грн
1500+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN038-100YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0302 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94.9W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0302ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.84 грн
11+77.96 грн
50+64.67 грн
200+47.64 грн
500+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21.3A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 103.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 589 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+64.43 грн
10+44.62 грн
25+40.38 грн
100+37.39 грн
250+35.65 грн
500+31.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLX (LFPAK56-5, Nexperia) транзистор N-канал
Код товару: 153433
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
449+79.09 грн
500+71.19 грн
1000+65.64 грн
10000+56.43 грн
Мінімальне замовлення: 449 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.36 грн
11+74.02 грн
100+48.81 грн
500+36.27 грн
1000+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 28.1A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1847 pF @ 50 V
на замовлення 24428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.87 грн
10+54.97 грн
50+40.74 грн
100+33.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115NexperiaMOSFETs PSMN039-100YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 35352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.98 грн
10+54.06 грн
100+30.93 грн
500+24.02 грн
1000+20.64 грн
1500+18.85 грн
3000+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 28.1A LFPAK56
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1847 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.04 грн
3000+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.81 грн
500+36.27 грн
1000+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN040-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN040-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.06 грн
3000+29.18 грн
9000+28.87 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN040-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+33.76 грн
3000+32.55 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN040-100MSEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN040-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0294 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0294ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.57 грн
15+54.36 грн
100+35.68 грн
500+30.29 грн
1000+24.58 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN040-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.05 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN040-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.15 грн
13+62.90 грн
25+62.27 грн
100+40.10 грн
250+36.75 грн
500+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN040-100MSEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 27770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.72 грн
10+70.00 грн
50+52.14 грн
100+43.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN040-100MSEXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 121A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN040-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.73 грн
3000+32.44 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN040-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+62.90 грн
228+62.27 грн
341+41.59 грн
345+39.68 грн
500+28.91 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN040-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.67 грн
3000+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN040-100MSEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.49 грн
3000+28.80 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN040-100MSEXNexperiaMOSFETs SOT1210 100V 30A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN040-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.06 грн
3000+29.18 грн
9000+28.87 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN040-200WNXP SemiconductorsMOSFETs RAIL PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN040-200W
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN040-200W,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9530 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN040-200W,127NXP SemiconductorsMOSFETs RAIL PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 836 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+54.59 грн
13+34.57 грн
25+29.58 грн
100+26.67 грн
250+24.68 грн
500+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.87 грн
10+54.82 грн
50+40.55 грн
100+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN041-80YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25 A, 0.0328 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 80V 25A
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.23 грн
10+42.87 грн
100+25.06 грн
500+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
703+50.42 грн
1000+46.49 грн
10000+41.45 грн
Мінімальне замовлення: 703 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN041-80YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25 A, 0.0328 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 64W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm
на замовлення 1582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.03 грн
13+62.50 грн
100+42.28 грн
500+34.55 грн
1000+28.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-100HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN045-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21 A, 21 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.99 грн
10+120.00 грн
100+99.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-100HLXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.42 грн
10+77.17 грн
100+44.46 грн
500+36.45 грн
1000+35.00 грн
1500+33.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-100HLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 53W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2152pF @ 25V
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.06 грн
10+87.50 грн
100+68.03 грн
500+54.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-100HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN045-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21 A, 21 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-100HLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2152pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 53W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-100HLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+133.48 грн
500+120.49 грн
1000+110.79 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.54 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
666+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 666 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+24.11 грн
3000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+31.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN045-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 24 A, 0.037 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 56W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.95 грн
13+63.06 грн
100+41.08 грн
500+31.19 грн
1000+26.16 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.93 грн
3000+19.59 грн
9000+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
682+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 682 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
454+21.30 грн
500+20.95 грн
1000+20.60 грн
Мінімальне замовлення: 454 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 40 V
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.01 грн
10+39.79 грн
100+25.94 грн
500+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+33.93 грн
6000+31.00 грн
9000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+34.73 грн
7500+31.73 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.08 грн
3000+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN045-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 24 A, 0.037 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.21 грн
500+29.62 грн
1000+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+24.17 грн
3000+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 80V 24A
на замовлення 12309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.76 грн
10+35.01 грн
100+17.12 грн
500+15.88 грн
1000+15.46 грн
1500+12.84 грн
3000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN047-100NSEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN047-100NSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18.4 A, 0.0534 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0534ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.41 грн
500+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN047-100NSEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN047-100NSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18.4 A, 0.0534 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0534ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.22 грн
17+48.97 грн
100+31.41 грн
500+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN047-100NSEXNexperiaMOSFETs DFN 100V 18.4A N-CH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN05+7-200B
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN05+7-200P
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN050-80BS,118NexperiaMOSFET N-CH 80 V 46 MOHM MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN050-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN050-80PS,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 22A TO220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200BNXPN-MOSFET 39A 200V 250W 0.057Ω PSMN057-200B TPSMN057-200b
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+102.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200BNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+129.12 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200B,118NexperiaMOSFETs TO263 200V 39A N-CH TRCHMOS
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.06 грн
10+159.57 грн
100+97.34 грн
500+79.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+89.29 грн
1600+80.13 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+129.44 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+126.25 грн
1600+118.79 грн
2400+114.44 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+126.25 грн
1600+118.79 грн
2400+114.44 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.18 грн
10+159.07 грн
100+111.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200P
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200P,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+303.58 грн
500+287.04 грн
1000+271.69 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200P,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 39A TO220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200P,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 548 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+173.67 грн
10+169.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200P,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+303.58 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200P,127NexperiaMOSFET PSMN057-200P/SOT78/SIL3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN059-150Y,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1529 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN059-150Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+45.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN059-150Y,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN059-150Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.046 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 7468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+107.92 грн
200+80.02 грн
500+58.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 32 36 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]