Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 35 40 45 50  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN038-100YLXNXPMOSFET N-CH 100V 30A LFPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 94.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1905 pF @ 25 V
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.79 грн
10+52.99 грн
100+34.84 грн
500+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+17.20 грн
45+16.93 грн
100+16.06 грн
250+14.62 грн
500+13.80 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
445+79.59 грн
500+71.64 грн
1000+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 445 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLXNexperiaMOSFETs SOT669 100V 30A
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 94.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1905 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN038-100YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0302 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94.9W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0302ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21.3A
Power dissipation: 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 103.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 120A
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 589 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.03 грн
10+45.04 грн
25+40.76 грн
100+37.74 грн
250+35.98 грн
500+32.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLX (LFPAK56-5, Nexperia) транзистор N-канал
Код товару: 153433
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115NexperiaMOSFETs PSMN039-100YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 33852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 28.1A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1847 pF @ 50 V
на замовлення 24428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.71 грн
10+55.48 грн
50+41.12 грн
100+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
449+78.91 грн
500+71.03 грн
1000+65.49 грн
10000+56.31 грн
Мінімальне замовлення: 449 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 28.1A LFPAK56
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1847 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.28 грн
3000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN040-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN040-100MSEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+27.82 грн
4500+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN040-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.89 грн
4500+34.29 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN040-100MSEXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 121A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN040-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+39.46 грн
4500+34.78 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN040-100MSEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN040-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0294 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 91W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0294ohm
на замовлення 3190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN040-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+39.54 грн
4500+34.85 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN040-100MSEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 38747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.76 грн
10+59.93 грн
50+44.65 грн
100+37.26 грн
500+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN040-100MSEXNexperiaMOSFETs PSMN040-100MSE/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 26323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN040-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN040-200WNXP SemiconductorsMOSFETs RAIL PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN040-200W
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN040-200W,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9530 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN040-200W,127NXP SemiconductorsMOSFETs RAIL PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 40190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
631+56.06 грн
1000+51.70 грн
10000+46.09 грн
Мінімальне замовлення: 631 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN041-80YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25 A, 0.0328 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 64W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V
на замовлення 5503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.11 грн
10+43.10 грн
50+31.76 грн
100+26.38 грн
500+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 80V 25A
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+21.60 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN041-80YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25 A, 0.0328 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.39 грн
4500+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 100A
на замовлення 811 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.09 грн
13+34.89 грн
25+29.86 грн
100+26.92 грн
250+24.91 грн
500+23.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-100HLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2152pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 53W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-100HLXNexperiaMOSFETs PSMN045-100HL/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 2093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-100HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN045-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21 A, 21 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-100HLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 53W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2152pF @ 25V
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.09 грн
10+88.31 грн
100+68.66 грн
500+54.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-100HLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+133.18 грн
500+120.22 грн
1000+110.55 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-100HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN045-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21 A, 21 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN045-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 24 A, 0.037 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+31.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.88 грн
3000+19.55 грн
9000+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 40 V
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.63 грн
4500+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
682+20.74 грн
Мінімальне замовлення: 682 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
454+21.25 грн
500+20.90 грн
1000+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 454 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN045-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 24 A, 0.037 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 56W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+33.85 грн
6000+30.93 грн
9000+28.78 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+30.20 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+34.65 грн
7500+31.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.04 грн
3000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 80V 24A
на замовлення 12309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 40 V
на замовлення 10574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.11 грн
10+43.55 грн
50+32.11 грн
100+26.67 грн
500+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
666+21.25 грн
Мінімальне замовлення: 666 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN047-100NSEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN047-100NSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18.4 A, 0.0534 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0534ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN047-100NSEXNexperiaMOSFETs DFN 100V 18.4A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN047-100NSEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN047-100NSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18.4 A, 0.0534 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0534ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN05+7-200B
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN05+7-200P
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN050-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN050-80BS,118NexperiaMOSFET N-CH 80 V 46 MOHM MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN050-80PS,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 22A TO220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200BNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200BNXPN-MOSFET 39A 200V 250W 0.057Ω PSMN057-200B TPSMN057-200b
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+100.29 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200B,118NexperiaMOSFETs PSMN057-200B/SOT404/D2PAK
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
на замовлення 4972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.09 грн
10+161.75 грн
50+124.80 грн
100+105.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+130.83 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+125.97 грн
1600+118.52 грн
2400+114.19 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+90.77 грн
2400+78.43 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+125.97 грн
2400+114.19 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+127.25 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200P
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200P,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+302.91 грн
500+286.41 грн
1000+271.08 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200P,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 156A
на замовлення 548 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.28 грн
10+166.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200P,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+302.91 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200P,127NexperiaMOSFET PSMN057-200P/SOT78/SIL3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200P,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 39A TO220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN059-150Y,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1529 pF @ 30 V
на замовлення 11231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.11 грн
10+79.55 грн
50+59.79 грн
100+50.14 грн
500+39.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN059-150Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN059-150Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+51.91 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 35 40 45 50  [ Наступна Сторінка >> ]