Продукція > IPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP65R190CFDXKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V | на замовлення 388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R190CFDXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R190CFDXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R190CFDXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP65R190CFDXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 151W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R190E6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 20.2A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V | на замовлення 56890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 20.2A TO220-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R190E6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R225C7 | Infineon Technologies | MOSFETs 650V CoolMOS C7 Power Trans; 225mOhm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R225C7 | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R225C7XKSA1 Код товару: 166076
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPP65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R225C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP65R225C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R225C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 63W; PG-TO220-3 Mounting: THT Case: PG-TO220-3 Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.225Ω Drain current: 11A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 63W Drain-source voltage: 650V Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 11A TO220-3 | на замовлення 479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R280C6 | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R280C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 13.8A TO220-3 CoolMOS C6 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-3 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R280E6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 13.8A TO220-3 CoolMOS E6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R280E6 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R280E6XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP65R280E6XKSA1 - IPP65R280 650V AND 700V COOLMOS N-CHANN tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R310CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 11.4A TO220-3 CoolMOS CFD2 | на замовлення 500 шт: термін постачання 386-395 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R310CFDAAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R310CFDAAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 11.4A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R310CFDXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R310CFDXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP65R310CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104.2W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R310CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 11.4A TO220-3 CoolMOS CFD2 | на замовлення 500 шт: термін постачання 386-395 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R310CFDXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R310CFDXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R310CFDXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R310CFDXKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V | на замовлення 236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R310CFDXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R310CFDXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R380C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 10.6A TO220-3 CoolMOS C6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R380C6 | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R380C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R380C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R380C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R380E6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 10.6A TO220-3 CoolMOS E6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R380E6 | Infineon Technologies | Description: IPP65R380E6 - 650V-700V COOLMOS Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R380E6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R380E6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R420CFD | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 8.7A TO220-3 CoolMOS CFD2 | на замовлення 146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R420CFDXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 | на замовлення 333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R420CFDXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 24500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R420CFDXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R420CFDXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R420CFDXKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V | на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R420CFDXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R420CFDXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R420CFDXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R600C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 7.3A TO220-3 CoolMOS C6 | на замовлення 426 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R600C6 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V | на замовлення 1791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R600C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V | на замовлення 267850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R600C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 263850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R600C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R600C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R600C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R600C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R600C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R600C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R600E6 | Infineon Technologies | Description: 600V COOLMOS POWER TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R600E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 7.3A TO220-3 CoolMOS E6 | на замовлення 573 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R600E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 6500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R600E6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Packaging: Tube Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R600E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R600E6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V | на замовлення 24580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R660CFD | Infineon technologies | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPP65R660CFD | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 4564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R660CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 6A TO220-3 CoolMOS CFD2 | на замовлення 410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R660CFD | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 41 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R660CFDAAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 543 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R660CFDAAKSA1 | Infineon / IR | MOSFET N-Ch 650V 6A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R660CFDXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP65R660CFDXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP65R660CFDXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP70N04S3-07 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 70A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 425 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP70N04S3-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 70A TO220-3 OptiMOS-T | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP70N04S307AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP70N04S4-06 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 70A TO220-3 OptiMOS-T2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP70N04S406AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP70N04S406AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V,40V) Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 25 V | на замовлення 49890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP70N10S3-12 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 70A TO220-3 OptiMOS-T | на замовлення 373 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP70N10S312AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |