Продукція > IPP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPP65R190C7Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+369.74 грн
40+353.85 грн
50+340.37 грн
100+317.07 грн
250+284.68 грн
500+265.87 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C7Infineon technologies
на замовлення 435 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C7FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+190.56 грн
10+177.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C7FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+134.29 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C7FKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C7FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+134.28 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C7FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+189.52 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C7FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C7FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R190C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.168 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C7FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190CFDInfineon technologies
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190CFDInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 17.5A TO220-3 CoolMOS CFD2
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190CFDInfineonMOSFET N-CH 700V 17.5A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 14A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+266.84 грн
55+257.41 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 14A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+178.79 грн
2000+164.17 грн
3000+153.55 грн
4000+140.40 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 14A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 14A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.69 грн
500+142.61 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 14A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190CFD7AAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+264.01 грн
55+261.18 грн
102+139.55 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190CFD7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R190CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.161 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.161ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190CFD7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190CFDAAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190CFDAAKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 17.5A TO220-3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190CFDXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R190CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190CFDXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190CFDXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190CFDXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+205.08 грн
500+194.47 грн
1000+183.87 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190CFDXKSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 17.5A; 151W; TO220-3; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 171mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190CFDXKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190CFDXKSA2INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R190CFDXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190CFDXKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.47 грн
50+135.51 грн
100+122.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190CFDXKSA2Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190E6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 20.2A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+190.94 грн
500+181.51 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190E6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 20.2A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+190.94 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190E6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+190.94 грн
500+181.51 грн
1000+170.90 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+190.94 грн
500+181.51 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+190.94 грн
500+181.51 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190E6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+190.94 грн
500+181.51 грн
1000+170.90 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+190.94 грн
500+181.51 грн
1000+170.90 грн
10000+155.70 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190E6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
на замовлення 56890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+147.02 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R225C7Infineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R225C7Infineon TechnologiesMOSFETs 650V CoolMOS C7 Power Trans; 225mOhm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R225C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R225C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R225C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+128.23 грн
112+127.29 грн
115+123.52 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R225C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R225C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R225C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 11A TO220-3
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R225C7XKSA1
Код товару: 166076
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R225C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+97.37 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R225C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.59 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R225C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R280C6Infineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R280C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 13.8A TO220-3 CoolMOS C6
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R280C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+110.35 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R280C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R280C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+152.04 грн
500+136.72 грн
1000+126.11 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R280E6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 13.8A TO220-3 CoolMOS E6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R280E6Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R280E6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R280E6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R280E6XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP65R280E6XKSA1 - IPP65R280 650V AND 700V COOLMOS N-CHANN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R310CFDInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 11.4A TO220-3 CoolMOS CFD2
на замовлення 500 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R310CFDAAKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 11.4A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R310CFDAAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R310CFDXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R310CFDXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 11.4A TO220-3 CoolMOS CFD2
на замовлення 500 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R310CFDXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R310CFDXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R310CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104.2W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R310CFDXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R310CFDXKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R310CFDXKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R310CFDXKSA2Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R310CFDXKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.47 грн
50+90.95 грн
100+81.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R380C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 10.6A TO220-3 CoolMOS C6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R380C6Infineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R380C6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R380C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R380C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.36 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R380E6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 10.6A TO220-3 CoolMOS E6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R380E6Infineon TechnologiesDescription: IPP65R380E6 - 650V-700V COOLMOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R380E6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R380E6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R420CFDInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 8.7A TO220-3 CoolMOS CFD2
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R420CFDXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 24500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+143.79 грн
1000+132.01 грн
10000+113.54 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R420CFDXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R420CFDXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R420CFDXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+83.32 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R420CFDXKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.25 грн
50+76.47 грн
100+68.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]