Продукція > SI3
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI3433CDV-T1-E3 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI3433CDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI3433CDV-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3433CDV-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI3433CDV-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 2536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3433CDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: 6-TSOP | на замовлення 1280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3433CDV-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3433CDV-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs -20V Vds 8V Vgs TSOP-6 | на замовлення 11517 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3433CDV-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 2536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3433CDV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3433CDV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3433CDV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 5.2A 6-Pin TSOP SI3433CDV-T1-E3; SI3433CDV-T1-GE3; SI3433CDV-T1-BE3; SI3433CDV-T1-E3 VISHAY TSI3433cdv кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 580 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3433CDV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3433CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V | на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3433CDV-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -20V Vds 8V Vgs TSOP-6 | на замовлення 4998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3433CDV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3433CDV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 2303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3433CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP Транзистори | на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3433CDV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3433CDV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3433CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V | на замовлення 22664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3433CDV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 2303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3433DV | VISHAY | 09+ | на замовлення 180018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI3433DV-T1 | VISHAY | на замовлення 9200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SI3433DV-T1-E3 | VISHAY | на замовлення 9200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SI3433DVT1 | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI3434-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 54000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI3434-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT23 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI3434-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI3434BDY-T1-E3 | на замовлення 3478 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI3434DV | VISHAY | SOT23-6 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI3434DV-T1 | на замовлення 9200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI3434DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI3434DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI3434DV-T1-E3 | VISHAY | 0523NO | на замовлення 514 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI3434DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI3435DV-T1 | VISHAY | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SI3435DV-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 12V 4.8A 2W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI3435DV-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 12V 6.3A 2.0W 36mohm @ 4.5V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI3437DV | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI3437DV-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V | на замовлення 2695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3437DV-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI3437DV-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 150-V (D-S) | на замовлення 36543 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3437DV-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3437DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V | на замовлення 32202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3437DV-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3437DV-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -150V Vds 20V Vgs TSOP-6 | на замовлення 65581 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3437DV-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3437DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3437DV-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3437DV-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI3437DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 150V 1.1A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3437DV-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI3437DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1.4 A, 0.75 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 11705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3437DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3437DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI3437DV-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI3437DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1.4 A, 0.61 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.61ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3437DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3437DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V | на замовлення 7751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3437DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 150V 1.1A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3437DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI3437DV-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI3437DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1.4 A, 0.75 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 11705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3437DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3437DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3437DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3437DV-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -150V Vds 20V Vgs TSOP-6 | на замовлення 122714 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3438DV | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI3438DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI3438DV-T1-E3 | VISHAY | SOT26 | на замовлення 39990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI3438DV-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 5.5A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI3438DV-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 40V Vds 20V Vgs TSOP-6 | на замовлення 2776 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3438DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6TSOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3438DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 40V 7.4A 3.5W 35.5mohm @ 10V Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI3438DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3438DV-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V Vds 20V Vgs TSOP-6 | на замовлення 34559 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3438DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3438DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3438DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 20 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3438DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3438DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3438DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3438DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3438DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 20 V | на замовлення 11993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3438DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3439KDW-TP | Micro Commercial Co | Description: N AND P-CHANNEL MOSFETSOT-363 | на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3439KDW-TP | Micro Commercial Co | Description: N AND P-CHANNEL MOSFETSOT-363 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI3439KDW-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET 20V N-Ch 12Vgs 0.75A P-Ch -20V 12Vgs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI3439KDWA-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3439KDWA-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363 Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V, 0.86nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 850mOhm @ 500mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 16V, 40pF @ 16V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA, 600mA Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 150mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 29391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3439KDWA-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3439KDWA-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3439KDWA-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI3439KDWA-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363 Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V, 0.86nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 850mOhm @ 500mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 16V, 40pF @ 16V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA, 600mA Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 150mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3439KDWA-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3439KDWA-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3439KDWA-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI3439KDWA-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI3439KDWAS-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs DUAL N/P-CHANNEL MOSFET,SOT-363S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI3439KDWAS-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: DUAL N/P-CHANNEL MOSFET,SOT-363S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 325mW (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), 600mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 16V, 36pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 850mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI3439KU6-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs DUAL N+P-CHANNEL MOSFET, DFN1010B-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI3440 | VISHAY | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

