Продукція > CSD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CSD87312Q3E | TI QFN 12+ | на замовлення 1950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| CSD87312Q3E | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A , 8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3) Part Status: Active | на замовлення 1349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87312Q3E | Texas Instruments | Dual 30-V N-Channel Power MOSFETs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87312Q3E | Texas Instruments | MOSFETs Dual 30V N-CH NexFET Pwr MOSFETs | на замовлення 2439 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87312Q3E | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A , 8V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2.5W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Bulk | на замовлення 35664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87312Q3E | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A , 8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3) Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87312Q3E | Texas Instruments | Dual 30-V N-Channel Power MOSFETs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87313DMS | Texas Instruments | 30-V Dual N-Channel Power MOSFETs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87313DMS | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WSON (3.3x3.3) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87313DMS | Texas Instruments | 30-V Dual N-Channel Power MOSFETs | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87313DMS | Texas Instruments | MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A 595-CSD87313DMST | на замовлення 1922 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87313DMS | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WSON (3.3x3.3) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87313DMS | Texas Instruments | 30-V Dual N-Channel Power MOSFETs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87313DMST | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8WSON Part Status: Active Supplier Device Package: 8-WSON (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2.7W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87313DMST | Texas Instruments | 30-V Dual N-Channel Power MOSFETs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87313DMST | Texas Instruments | 30-V Dual N-Channel Power MOSFETs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87313DMST | Texas Instruments | MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A 595-CSD87313DMS | на замовлення 922 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87313DMST | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8WSON Part Status: Active Supplier Device Package: 8-WSON (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2.7W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87313DMST | Texas Instruments | 30-V Dual N-Channel Power MOSFETs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87313DMST | Texas Instruments | 30-V Dual N-Channel Power MOSFETs | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87330Q3D | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD87330Q3D - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 20 A, 20 A tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: LSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 6W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87330Q3D | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3) Part Status: Active | на замовлення 1353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87330Q3D | Texas Instruments | Power Block 8-Pin LSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87330Q3D | Texas Instruments | Power Block 8-Pin LSON-CLIP EP T/R | на замовлення 1595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87330Q3D | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD87330Q3D - MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 20A, LSON-8 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: LSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 6W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87330Q3D | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3) Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87330Q3D | Texas Instruments | MOSFETs 30V Sync Buck NexFET Power Block | на замовлення 50092 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87330Q3D | Texas Instruments | Power Block 8-Pin LSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87330Q3DG4 | Texas Instruments | MOSFETs 30-V, N channel synchronous buck NexFET power MOSFET, SON 3 mm x 3 mm power block, 20 A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87330Q3DT | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSON Packaging: Bulk Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerLDFN Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 4.5V, 11.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.45mOhm @ 15A, 5V, 3.6mOhm @ 15A, 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V, 1632pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 6W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87331Q3D | Texas Instruments | MOSFETs 30V Sync Buck NexFET Power Block | на замовлення 7146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87331Q3D | Texas Instruments | Power Block 8-Pin LSON-CLIP EP T/R | на замовлення 856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87331Q3D | Texas Instruments | Power Block 8-Pin LSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87331Q3D | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8LSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 518pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V, 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-LSON (5x6) Part Status: Active | на замовлення 773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87331Q3D | Texas Instruments | Power Block 8-Pin LSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87331Q3D | Texas Instruments | Power Block 8-Pin LSON-CLIP EP T/R | на замовлення 856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87331Q3D | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8LSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 518pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V, 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-LSON (5x6) Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87333Q3D | Texas Instruments | Power Block 8-Pin VSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87333Q3D | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: 125°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 662pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3) Part Status: Active | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87333Q3D | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD87333Q3D - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 15 A, 15 A, 0.0119 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0119ohm Verlustleistung, p-Kanal: 6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0119ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 6W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87333Q3D | Texas Instruments | Power Block 8-Pin VSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87333Q3D | Texas Instruments | MOSFETs High Duty Cycle Sync Buck NexFET A 595-C A 595-CSD87333Q3DT | на замовлення 4011 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87333Q3D | Texas Instruments | Power Block 8-Pin VSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87333Q3D | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: 125°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 662pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3) Part Status: Active | на замовлення 3185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87333Q3D | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD87333Q3D - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 15 A, 15 A, 0.0119 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0119ohm Verlustleistung, p-Kanal: 6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0119ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 6W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87333Q3DT | Texas Instruments | MOSFETs High Duty Cycle Sync Buck NexFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87333Q3DT | Texas Instruments | Power Block 8-Pin VSON EP T/R | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87333Q3DT | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: 125°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 662pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3) Part Status: Active | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87333Q3DT | Texas Instruments | Power Block 8-Pin VSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87333Q3DT | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8VSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: 125°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 662pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3) Part Status: Active | на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87333Q3DT | Texas Instruments | Power Block 8-Pin VSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87333Q3DT | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: 125°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 662pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3) Part Status: Active | на замовлення 762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87334Q3D | Texas Instruments | Power Block 8-Pin VSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87334Q3D | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87334Q3D | Texas Instruments | Power Block 8-Pin VSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87334Q3D | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87334Q3D | Texas Instruments | MOSFETs 30-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD87334Q3DT | на замовлення 1658 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87334Q3DT | Texas Instruments | Power Block 8-Pin VSON EP T/R | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87334Q3DT | Texas Instruments | Power Block 8-Pin VSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87334Q3DT | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8VSON Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 8V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 6W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87334Q3DT | Texas Instruments | MOSFETs Sync Buck NexFET Power Block | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87334Q3DT | Texas Instruments | Power Block 8-Pin VSON EP T/R | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87334Q3DT | Texas Instruments | Power Block 8-Pin VSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87334Q3DT | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8VSON Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3) Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 8V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 6W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Mounting Type: Surface Mount | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87335Q3D | Texas Instruments | MOSFETs 30-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD87335Q3DT | на замовлення 3514 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87335Q3D | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8LSON Part Status: Active Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 15V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 6W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerLDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87335Q3D | Texas Instruments | Power Block 8-Pin LSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87335Q3D | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8LSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3) Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87335Q3D | Texas Instruments | Power Block 8-Pin LSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87335Q3D | Texas Instruments | Power Block 8-Pin LSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87335Q3DT | Texas Instruments | Power Block 8-Pin LSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87335Q3DT | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A 8LSON Part Status: Active Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 6W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerLDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87335Q3DT | Texas Instruments | Power Block 8-Pin LSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87335Q3DT | Texas Instruments | MOSFETs 30-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD87335Q3D | на замовлення 8140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87335Q3DT | Texas Instruments | Power Block 8-Pin LSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87335Q3DT | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A 8LSON Part Status: Active Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 6W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerLDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87350Q5D | Texas Instruments | Synchronous Buck Power Stage 8-Pin LSON-CLIP EP T/R | на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87350Q5D | Texas Instruments | MOSFETs Synch Buck NexFET Po wer Block | на замовлення 3666 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87350Q5D | Texas Instruments | Synchronous Buck Power Stage 8-Pin LSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87350Q5D | Texas Instruments | Synchronous Buck Power Stage 8-Pin LSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87350Q5D | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON Part Status: Active Supplier Device Package: 8-LSON (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 8V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 12W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerLDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87350Q5D | Texas Instruments | Synchronous Buck Power Stage 8-Pin LSON-CLIP EP T/R | на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87350Q5D | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerLDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: 8-LSON (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 8V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 12W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87350Q5DG4 | Texas Instruments | MOSFETs 30-V, N channel synchronous buck NexFET power MOSFET, SON 5 mm x 6 mm power block, 40 A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87351Q5D | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON Part Status: Active Supplier Device Package: 8-LSON (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 8V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 12W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerLDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87351Q5D | Texas Instruments | Power Block 8-Pin LSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87351Q5D | Texas Instruments | Power Block 8-Pin LSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87351Q5D | Texas Instruments | MOSFETs Synch Buck NexFET Po wer Block | на замовлення 2299 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87351Q5D | Texas Instruments | Power Block 8-Pin LSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87351Q5D | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON Part Status: Active Supplier Device Package: 8-LSON (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 8V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 12W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerLDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 9937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87351Q5D | Texas Instruments | Power Block 8-Pin LSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87351ZQ5D | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON Part Status: Active Supplier Device Package: 8-LSON (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 12W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerLDFN Packaging: Bulk | на замовлення 5432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87351ZQ5D | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 12W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerLDFN Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: 8-LSON (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A | на замовлення 2478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87351ZQ5D | Texas Instruments | Power Block 8-Pin LSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87351ZQ5D | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON Part Status: Active Supplier Device Package: 8-LSON (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 12W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerLDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87351ZQ5D | Texas Instruments | Power Block 8-Pin LSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87351ZQ5D | Texas Instruments | MOSFETs Sync Buck NexFET Pwr Block | на замовлення 1870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD87352Q5D | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A 8LSON Part Status: Active Supplier Device Package: 8-LSON (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 8.5W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerLDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 10360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87352Q5D | Texas Instruments | Power Block 8-Pin LSON-CLIP EP T/R | на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD87352Q5D | Texas Instruments | Power Block 8-Pin LSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |

