Продукція > IRL
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLML5203TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF | HXY MOSFET | MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23 Транзистори | на замовлення 14 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 322951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF | --- | MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF | на замовлення 20790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT P-Ch -30V -3A 98mOhm 9.5nC Log Lvl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF | MOSFET 30V 3A (24A pulse), P Channel SOT-23-3 | на замовлення 239 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| |||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 322951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 39 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF | TYS | MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF | IRLML5203TRPBF Транзисторы HEXFET | на замовлення 107 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 17675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF Код товару: 25596
2
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 30 V Струм стоку Id, A: 3 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,098 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 510/9.5 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD УКТЗЕД: 8541 29 00 90 | у наявності: 1596 шт
|
| ||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF-ML | MOSLEADER | Description: P -30V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML5302TR | IR | на замовлення 3175 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLML5703 Код товару: 38846
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLML6244 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6244TR | FUXINSEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 73mOhm; 6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6244TR; SP001558344; IRLML6244TR SOT23(T/R) FUXIN TIRLML6244 FUX кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 2990 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6244TR | UMW | Description: MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23 Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.3A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6244TR | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 31mOhm; 6,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6244TR; SP001558344; IRLML6244TR UMW TIRLML6244 UMW кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6244TR | Infineon | Transistor N-MOSFET; 20V; 12V; 27mOhm; 6,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6244TR; IRLML6244; IRLML6244; IRLML6244TR; IRLML6244TR; PT2312; IRLML6244TR TIRLML6244 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1128 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6244TR | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 73mOhm; 6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6244TR; SP001558344; IRLML6244TR HXY MOSFET TIRLML6244 HXY кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6244TR | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 31mOhm; 6,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6244TR; SP001558344; IRLML6244TR UMW TIRLML6244 UMW кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 695 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6244TR-CN | CHIPNOBO | Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 41,4mOhm; 6A; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6244TR; SP001558344; IRLML6244TR-CN CHIPNOBO TIRLML6244 CNB кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6244TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 31185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6244TRPBF Код товару: 87248
5
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 20 V Струм стоку Idd, A: 5,1 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 21 mOhm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 700/8,9 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD | у наявності: 1412 шт
|
| ||||||||||||||||
| IRLML6244TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML6244TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.3 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm | на замовлення 12641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6244TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6244TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 16 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6244TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6244TRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6,3 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 16, Qg, нКл = 8,9 @ 4,5 В, Rds = 21 мОм @ 6,3 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 124 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6244TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 20V 6.3A 21mOhm 2.5V cpbl | на замовлення 2067 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6244TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6244TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML6244TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.3 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm | на замовлення 12641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6244TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 16 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6244TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.3A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.9nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6244TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 31185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6244TRPBF | Infineon | MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6244TRPBF-(SOT-23) : IRLML6244TR-(SOT-23) IRLML6244TRPBF | KLS | MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT-23 Транзистори | на замовлення 233 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6244TRPBF-(SOT-23) IRLML6244TRPBF | KLS | MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6244TRPBF-ML | MOSLEADER | Description: N 20V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6246 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6246TR | UMW | Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23 Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 5µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6246TR Код товару: 99536
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 20 V Струм стоку Idd, A: 3,3 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,46 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 290/3,5 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRLML6246TR T... | Infineon | N-MOSFET 4.1A 20V 1.3W 0.046Ω IRLML6246 TIRLML6246 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1474 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6246TRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 16, Qg, нКл = 3,5 @ 4,5 B, Rds = 46 мОм @ 4,1 A, 4,5 B, Ugs(th) = 1,1 @ 5 мкА, Р, Вт = 1,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 190 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6246TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 5µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 16 V | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6246TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6246TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML6246TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.046 ohm, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm | на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6246TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.1A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 3.5nC On-state resistance: 46mΩ Gate-source voltage: ±12V | на замовлення 6460 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6246TRPBF | Infineon | MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6246TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6246TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 5µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 16 V | на замовлення 56749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6246TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 20V 4.1A 46mOhm 2.5V cpbl | на замовлення 29497 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6246TRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6246TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML6246TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.046 ohm, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm | на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6246TRPBF-ML | MOSLEADER | Description: N 20V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6302 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6302 | IR | 09+ | на замовлення 599018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6302 TR | IR | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLML6302GPBF-ML | MOSLEADER | Description: P -20V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6302GTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6302GTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6302GTRPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLML6302GTRPBF - IRLML6302 20V SINGLE N-CHANNEL LEAD FRE tariffCode: 85423990 euEccn: TBC hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2850 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6302GTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V | на замовлення 4798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6302GTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6302GTRPBF | International Rectifier | SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6302GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT P-Ch -0.62A 600mOhm 2.4nC LogLvl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6302GTRPBF-ML | MOSLEADER | Description: P -20V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6302PBF | Infineon | MOSFET P-CH 20V 780mA SOT-23 Транзистори | на замовлення 3 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6302PBF | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6302TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 780mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6302TR; IRLML6302GTR; SP001574060; SP001550492; IRLML6302TR UMW TIRLML6302 UMW кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6302TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.45 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6302TR/C4STH | IR | SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R | у наявності 30 шт: | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF | KLS | MOSFET P-CH 20V 780mA SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.45 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT P-Ch -0.62A 600mOhm 2.4nC LogLvl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLML6302TRPBF - IRLML6302 20V SINGLE N-CHANNEL LEAD FRE tariffCode: 85423990 euEccn: TBC hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2755 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF | MOSFET 20V 0.78A (4.9A pulse), P Channel SOT-23-3 | на замовлення 3490 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| |||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF Код товару: 45727
1
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 20 V Струм стоку Id, A: 0,78 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,60 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 97/2.4 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD | у наявності: 176 шт
|
| ||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF | TAIWAN | MOSFET P-CH 20V 780mA SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.45 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ з керуванням логічного рівня, Udss, В = 20, Id = 780 мА, Ptot, Вт = 0,54, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 97 @ 15, Qg, нКл = 3,6 @ 4,45, Rds = 600 мОм @ 610 мА, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА,... Транзистори К кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 11 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF | UMW | MOSFET P-CH 20V 780mA SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF-1 | Infineon Technologies | IRLML6302TRPBF-1 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF-1-ML | MOSLEADER | Description: P -20V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF | IRLML6302TRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal | на замовлення 95 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLML6344 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6344 | HOTTECH | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 5A; 29mOhm; 12V; 1,3W; -55°C~150°C; Substitute: YJL3400A-F2-0000HF; IRLML6344 SOT23 TIRLML6344 c кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2280 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6344TR | Infineon | Transistor N-MOSFET; 30V; 12V; 37mOhm; 5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6344TR; IRLML6344; SP001574050; MA005540618; IRLML6344; IRLML6344TR TIRLML6344 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 6892 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6344TR | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6344TR; SP001574050; IRLML6344TR HXY MOSFET TIRLML6344 HXY кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 104 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6344TR | UMW | Description: MOSFET N-CH 30V 5A SOT23 Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6344TR | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 37mOhm; 5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6344TR; SP001574050; IRLML6344TR UMW TIRLML6344 UMW кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 850 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|

