Продукція > RN1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RN174P-I/RM | Microchip Technology | Description: MODULE GSX BOARD FOR RN-171 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN174U-I/RM | Microchip Technology | Description: MODULE GSX BOARD FOR RN-171 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN174W-I/RM | Microchip Technology | Description: MODULE GSX BOARD FOR RN-171 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1810-I/RM100 | Microchip Technology | WiFi Modules - 802.11 WiFi 802.11n Radio WiFly o UART PCB ant | на замовлення 172 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1810-I/RM100 | Microchip Technology | Module 802.11b/g/n 2.472GHz 54000Kbps 37-Pin Tray | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1810-I/RM100 | Microchip Technology | Description: RX TXRX MOD WIFI TRACE ANT SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1810-I/RM100 | Microchip Technology | Module 802.11b/g/n 2.472GHz 54000Kbps 37-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1810-I/RM110 | Microchip Technology | Module 802.11b/g/n 2.472GHz 54000Kbps 37-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1810-I/RM110 | Microchip Technology | WiFi Modules - 802.11 On board WiFiWiFly UART and PCB antenna | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1810-I/RM110 | Microchip Technology | Module 802.11b/g/n 2.472GHz 54000Kbps 37-Pin Tray | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1810-I/RM110 | Microchip Technology | Description: RX TXRX MOD WIFI TRACE ANT SMD | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1810E-I/RM100 | Microchip Technology | WiFi Modules - 802.11 WiFi 802.11n Radio WiFly o UART ex ant | на замовлення 61 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1810E-I/RM100 | Microchip Technology | Description: RF TXRX MODULE WIFIW.FL SMD Packaging: Tray Package / Case: Module Sensitivity: -95.7dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.4GHz Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 3.3V Power - Output: 21dBm Data Rate: 54Mbps Protocol: 802.11b/g/n Current - Receiving: 64mA Current - Transmitting: 247mA Antenna Type: Antenna Not Included, W.FL RF Family/Standard: WiFi Serial Interfaces: UART Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1810E-I/RM100 | Microchip Technology | Module 802.11b/g/n 2.472GHz 37-Pin Tray | на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1810E-I/RM100 | Microchip Technology | Module 802.11b/g/n 2.472GHz 37-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1810E-I/RM110 | Microchip Technology | Description: RX TXRX MOD WIFI SURFACE MOUNT | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1810E-I/RM110 | Microchip Technology | WiFi Modules (802.11) OnboardWiFi WiFly WiFly Interface UART | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1811-I/RM100 | Microchip Technology | On board Wi-Fi Radio running TCPIP stack with SPI Command support and PCB antenna | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1811-I/RM100 | Microchip Technology | WiFi Modules - 802.11 WiFi 802.11n Radio SPI PCB Ant | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1901 | TOSHIBA | 03+ SOT-363 | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1901,LF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built- in Transistor, 2in1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1901,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms Supplier Device Package: US6 | на замовлення 3291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1901,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms Supplier Device Package: US6 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1901,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP | на замовлення 2645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1901,LXHF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-sym) NPN x 2 , R1=4.7kOhm, R2=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-363) | на замовлення 5080 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1901,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1901FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1901FE,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563) | на замовлення 30280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1901FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1901FETE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | на замовлення 16104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1901FETE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1901FETE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | на замовлення 16104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1901FETE85LF | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1902 | TOS | на замовлення 51 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| RN1902(TE85LF) | TOSHIBA | SOT-363 08+ | на замовлення 281820 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1902,LF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | на замовлення 10856 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1902,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: US6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1902,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: US6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1902,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) NPN x 2 , R1=10kOhm, R2=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-363) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1902,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1902,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1902-T | на замовлення 21729 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1902/XB | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1902FE | TOSHIBA | на замовлення 48000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| RN1902FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1902FE,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A | на замовлення 3681 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1902FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1902FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 Q1BSR=10KOHM | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1902FE,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q TR NPNx2 Q1BSR=10kOhm Q1BER=10kOhm Q2BSR=10kOhm Q2BER=10kOhm VCEO=50V IC=0.1A (SOT-563) | на замовлення 3995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1902FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 Q1BSR=10KOHM | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1902T5LFT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1902T5LFT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | на замовлення 2805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1903 | TOSHIBA | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| RN1903 | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1903(T5L,F,T) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1903(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT26 | на замовлення 1894 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1903,LF(CB | Toshiba | RN1903,LF(CB | на замовлення 2580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1903,LF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased BIAS RESISTOR Built- in Transistor 2-in-1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1903,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 6-Pin US T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1903,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1903,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1903,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Mounting Type: Surface Mount | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1903,LXHF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) NPN x 2 , R1=22kOhm, R2=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-363) | на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1903,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1903FE | на замовлення 286 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1903FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1903FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1903FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1903FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: ES6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1903FE,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A | на замовлення 5849 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1903FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: ES6 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1903FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 Q1BSR=22KOHM Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: ES6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 100mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1903FE,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q TR NPNx2 Q1BSR=22kOhm Q1BER=22kOhm Q2BSR=22kOhm Q2BER=22kOhm VCEO=50V IC=0.1A (SOT-563) | на замовлення 7190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1903FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 Q1BSR=22KOHM Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: ES6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 100mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 250MHz | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1904(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANSISTOR NPN US6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1904(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANSISTOR NPN US6 | на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1904(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANSISTOR NPN US6 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1904(TE85L) | TOSHIBA | 00+ SOP6 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1904(TE85L) SOT363-XD | TOSHIBA | на замовлення 2930 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| RN1904(TE85L)SOT363-XD | на замовлення 2930 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1904,LF(CT | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1904,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 36356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1904,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1904,LF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | на замовлення 4801 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1904,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | на замовлення 8975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1904,LF(CT | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1904,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 36356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1904,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | на замовлення 8975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1904,LXHF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) NPN x 2 , R1=47kOhm, R2=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-363) | на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1904,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1904,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1904-XD | TOS | на замовлення 153000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| RN1904/XD | TOSHIBA | на замовлення 234000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| RN1904FE Код товару: 116146
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| RN1904FE | Toshiba | 2xNPN 100mA 50V bias-resistor 47k RN1904FE TRN1904FE кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 99 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1904FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1904FE,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors TRANSISTOR NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A | на замовлення 513 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1904FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | на замовлення 893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1904FE,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q TR NPNx2 Q1BSR=47kOhm Q1BER=47kOhm Q2BSR=47kOhm Q2BER=47kOhm VCEO=50V IC=0.1A (SOT-563) | на замовлення 7990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1904FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 Q1BSR=47KOHM | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1904FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 Q1BSR=47KOHM | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1904FE/YD | TOSHIBA | на замовлення 11175 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

