Продукція > RN1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RN1901,LF(CTToshibaBipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built- in Transistor, 2in1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1901,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
34+8.98 грн
100+5.56 грн
500+3.81 грн
1000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1901,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
14+21.74 грн
100+14.82 грн
500+10.43 грн
1000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1901,LXHF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-sym) NPN x 2 , R1=4.7kOhm, R2=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-363)
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1901,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1901FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
24+13.06 грн
100+8.78 грн
500+6.34 грн
1000+5.71 грн
2000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1901FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1901FE,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
на замовлення 34280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1901FETE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1901FETE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 16104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1901FETE85LFToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1901FETE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 16104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1902TOS
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1902(TE85LF)TOSHIBASOT-363 08+
на замовлення 281820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1902,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 10856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1902,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1902,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1902,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
15+20.61 грн
100+13.06 грн
500+9.19 грн
1000+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1902,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) NPN x 2 , R1=10kOhm, R2=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-363)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1902,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.68 грн
6000+6.72 грн
9000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1902-T
на замовлення 21729 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1902/XB
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1902FETOSHIBA
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1902FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1902FE,LF(CTToshibaDigital Transistors NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
на замовлення 7681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1902FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1902FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR NPNX2 Q1BSR=10KOHM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.34 грн
8000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1902FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR NPNX2 Q1BSR=10KOHM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
15+20.68 грн
100+12.89 грн
500+8.28 грн
1000+6.37 грн
2000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1902FE,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q TR NPNx2 Q1BSR=10kOhm Q1BER=10kOhm Q2BSR=10kOhm Q2BER=10kOhm VCEO=50V IC=0.1A (SOT-563)
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1902T5LFTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1902T5LFTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903TOSHIBA
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903(T5L,F,T)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903(TE85L,F)TOSHIBASOT26
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903,LF(CBToshibaRN1903,LF(CB
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1839+7.69 грн
1902+7.44 грн
2500+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 1839 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903,LF(CTToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
25+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased BIAS RESISTOR Built- in Transistor 2-in-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903,LXHF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) NPN x 2 , R1=22kOhm, R2=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-363)
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
16+18.87 грн
100+11.28 грн
500+9.81 грн
1000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903FE
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
28+11.10 грн
100+5.40 грн
500+4.23 грн
1000+2.94 грн
2000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903FE,LF(CTToshibaDigital Transistors NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
на замовлення 5849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR NPNX2 Q1BSR=22KOHM
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
17+18.04 грн
100+9.10 грн
500+7.56 грн
1000+5.88 грн
2000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903FE,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q TR NPNx2 Q1BSR=22kOhm Q1BER=22kOhm Q2BSR=22kOhm Q2BER=22kOhm VCEO=50V IC=0.1A (SOT-563)
на замовлення 7190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR NPNX2 Q1BSR=22KOHM
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.83 грн
8000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANSISTOR NPN US6
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANSISTOR NPN US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANSISTOR NPN US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904(TE85L)TOSHIBA00+ SOP6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904(TE85L) SOT363-XDTOSHIBA
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904(TE85L)SOT363-XD
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 8975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1904,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 36356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+19.59 грн
68+12.03 грн
109+7.48 грн
500+4.72 грн
1500+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 4801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 8975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1904,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 36356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.03 грн
109+7.48 грн
500+4.72 грн
1500+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
15+20.61 грн
100+14.04 грн
500+9.88 грн
1000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904,LXHF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) NPN x 2 , R1=47kOhm, R2=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-363)
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904-XDTOS
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904/XDTOSHIBA
на замовлення 234000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904FE
Код товару: 116146
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904FEToshiba2xNPN 100mA 50V bias-resistor 47k RN1904FE TRN1904FE
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904FE,LF(CTToshibaDigital Transistors NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
на замовлення 2513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
17+18.34 грн
100+10.39 грн
500+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR NPNX2 Q1BSR=47KOHM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.49 грн
8000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR NPNX2 Q1BSR=47KOHM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
15+21.21 грн
100+13.20 грн
500+8.47 грн
1000+6.52 грн
2000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904FE,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q TR NPNx2 Q1BSR=47kOhm Q1BER=47kOhm Q2BSR=47kOhm Q2BER=47kOhm VCEO=50V IC=0.1A (SOT-563)
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904FE/YDTOSHIBA
на замовлення 11175 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904FS
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904TE85L
на замовлення 20100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904TE85LSOT363-XDTOSHIBA
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904TE85R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905TOSHIBA09+
на замовлення 69418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 4937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
18+17.59 грн
100+9.31 грн
500+5.75 грн
1000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 3311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905,LXHF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) NPN x 2 , R1=2.2kOhm, R2=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-363)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
15+20.61 грн
100+14.04 грн
500+9.88 грн
1000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905/XE
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN DUAL NPN ES6 50V 100A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN DUAL NPN ES6 50V 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN DUAL NPN ES6 50V 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]