Продукція > STG

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STGW8M120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 16A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/126ns
Switching Energy: 390µJ (on), 370µJ (Off)
Test Condition: 600V, 8A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+310.65 грн
30+166.25 грн
120+136.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW8M120DF3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+322.16 грн
10+177.04 грн
100+107.00 грн
600+102.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW8M120DF3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW8M120DF3 - IGBT, Trench-Gate, 16 A, 1.85 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 16A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+289.14 грн
10+186.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA100H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 145A 441W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+497.83 грн
31+460.40 грн
100+401.13 грн
250+359.94 грн
600+235.87 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA100H65DFB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA100H65DFB2 - IGBT, 145 A, 1.55 V, 441 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 145A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+526.73 грн
5+456.66 грн
10+386.59 грн
50+324.58 грн
100+267.16 грн
250+263.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA100H65DFB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 145A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/130ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 288 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 441 W
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+481.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA100H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 145A 441W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+502.93 грн
10+497.83 грн
25+460.40 грн
100+401.13 грн
250+359.94 грн
600+235.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA100H65DFB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 lon
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+525.12 грн
10+343.76 грн
100+241.62 грн
600+214.70 грн
1200+189.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15H120DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 231 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/111ns
Switching Energy: 380µJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 67 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 259 W
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.77 грн
10+195.27 грн
100+138.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15H120DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.11 грн
10+236.58 грн
25+198.82 грн
100+166.37 грн
250+160.16 грн
600+151.18 грн
1200+118.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15H120DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA15H120DF2 - IGBT, 30 A, 2.1 V, 259 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 259W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 1200V H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15H120F2STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15H120F2STMicroelectronicsDescription: IGBT HB 1200V 15A HS TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/111ns
Switching Energy: 380µJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 67 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 259 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+186.64 грн
3000+184.18 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15M120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 30A 259W
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/122ns
Switching Energy: 550µJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 259 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15M120DF3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+417.20 грн
10+269.92 грн
100+174.66 грн
600+136.69 грн
1200+129.09 грн
3000+126.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+186.64 грн
3000+184.18 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15S120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Power - Max: 259 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Gate Charge: 53 nC
Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 540µJ (on), 1.38mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/140ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15S120DF3STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 15 A low drop
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15S120DF3 STGWA15S120DSTMIGBT 1200V 15A TO247-3L Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA19NC60HDSTMIGBT 600V 52A 208W TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA19NC60HDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 52A 208W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 52 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 208 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA19NC60HDSTMicroelectronicsIGBTs 19A 600V Very Fast IGBT Ultrafast Diode
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+298.00 грн
10+188.95 грн
100+124.95 грн
600+93.89 грн
1200+90.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA20H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 147W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+232.54 грн
81+175.04 грн
110+129.93 грн
500+115.24 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA20H65DFB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 215 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/78.8ns
Switching Energy: 265µJ (on), 214µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 147 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA20H65DFB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA20H65DFB2 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 147 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+250.48 грн
10+157.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA20H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 147W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.09 грн
10+176.96 грн
100+131.35 грн
500+116.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA20H65DFB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.51 грн
10+137.34 грн
100+80.08 грн
600+73.87 грн
1200+64.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA20HP65FB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.76 грн
10+148.46 грн
100+111.84 грн
250+109.07 грн
600+90.43 грн
1200+76.63 грн
3000+72.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA20HP65FB2STMicroelectronicsDescription: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/78.8ns
Switching Energy: 214µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 147 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA20IH65DFSTMicroelectronicsDescription: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/120ns
Switching Energy: 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 159 W
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA20IH65DFSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop 650 V, 20 A, soft-switching IH series IGBT
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.99 грн
10+183.39 грн
25+154.64 грн
100+130.47 грн
600+111.14 грн
1200+94.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA20IH65DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA20IH65DF - IGBT, 40 A, 1.55 V, 159 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 159W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+258.53 грн
10+136.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA20M65DF2STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.92 грн
100+207.21 грн
600+135.31 грн
1200+127.71 грн
3000+123.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA20M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA20M65DF2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA20M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH 650V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 166 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/108ns
Switching Energy: 140µJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 166 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25H120DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 303 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns
Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+429.48 грн
30+235.73 грн
120+196.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25H120DF2STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 41400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+225.48 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25H120F2STMicroelectronicsDescription: IGBT HB 1200V 25A HS TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns
Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 41400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+225.48 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+594.55 грн
30+339.45 грн
120+280.86 грн
510+229.25 грн
600+209.73 грн
1020+201.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25H120F2STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+440.59 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+583.96 грн
43+333.27 грн
120+275.68 грн
510+225.04 грн
600+203.48 грн
1020+190.88 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25IH135DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 1350 V, 25 A, soft-switching IH2 series IGBT
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.81 грн
10+193.71 грн
30+144.97 грн
120+131.16 грн
270+123.57 грн
510+121.50 грн
1020+120.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25IH135DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA25IH135DF2 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 340 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IH2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+267.39 грн
10+218.26 грн
100+187.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25IH135DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Switching Energy: 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 340 W
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.21 грн
10+167.97 грн
30+151.74 грн
120+128.85 грн
270+123.04 грн
510+119.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+218.77 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25M120DF3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA25M120DF3 - IGBT, 50 A, 1.85 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+453.44 грн
10+324.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+273.07 грн
62+228.78 грн
100+202.75 грн
250+175.09 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25M120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 265 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns
Switching Energy: 850µJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+218.77 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25M120DF3STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Collector current: 25A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 100A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Power dissipation: 375W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+340.06 грн
10+260.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25M120DF3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+363.23 грн
10+201.65 грн
100+144.97 грн
600+138.76 грн
1200+138.07 грн
3000+120.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+278.11 грн
10+276.05 грн
25+231.27 грн
100+204.97 грн
250+177.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25S120DF3STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 25 A low drop
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25S120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 25A TO247-3L
Power - Max: 375 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Gate Charge: 80 nC
Test Condition: 600V, 25A, 15Ohm, 15V
Switching Energy: 830µJ (on), 2.37mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/147ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Reverse Recovery Time (trr): 265 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H60DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT
Power - Max: 260 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Gate Charge: 149 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H60DFBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+287.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/146ns
Switching Energy: 382µJ (on), 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H65DFBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H65DFB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H65DFB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18.4ns/71ns
Switching Energy: 270µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.16 грн
10+168.64 грн
100+118.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H65DFB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA30H65DFB2 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 167 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.80 грн
10+156.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
Switching Energy: 151mJ (on), 293mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H65FBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30HP65FBSTMicroelectronicsSTMicroelectronics Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30HP65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/146ns
Switching Energy: 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30HP65FB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 165600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+105.83 грн
1200+101.15 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30HP65FB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/71ns
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.90 грн
30+112.35 грн
120+91.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30HP65FB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 165600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+105.83 грн
1200+101.15 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30HP65FB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.01 грн
10+129.40 грн
100+91.12 грн
600+76.63 грн
1200+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30IH160DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA30IH160DF2 - IGBT, 85 A, 1.77 V, 395 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 85A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IH2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.6kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+306.86 грн
10+246.45 грн
100+219.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30IH160DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 1600 V, 30 A, soft-switching IH2 series IGBT
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+351.15 грн
10+253.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30IH65DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A, soft-switching IH series IGBT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.54 грн
10+147.66 грн
100+98.03 грн
600+82.84 грн
1200+69.72 грн
3000+66.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30IH65DFSTMicroelectronicsDescription: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/200ns
Switching Energy: 123µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.85 грн
10+202.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 180W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+350.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30IH65DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA30IH65DF - IGBT, 60 A, 1.55 V, 180 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+298.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30M65DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA30M65DF2 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 258W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.64 грн
10+135.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Active
Gate Charge: 80 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 258 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.51 грн
30+134.94 грн
120+110.34 грн
510+86.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30M65DF2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA30M65DF2AG - IGBT, AEC-Q101, 87 A, 1.6 V, 441 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 87A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+256.92 грн
10+215.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30M65DF2AGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+295.58 грн
10+191.33 грн
120+124.26 грн
510+110.45 грн
1020+94.58 грн
2520+89.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30M65DF2AGSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 87A TO247
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 441 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 87 A
Grade: Automotive
Gate Charge: 81.6 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 756µJ (on), 1.057mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 21.6ns/138ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 151 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.20 грн
10+172.91 грн
25+158.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30N120KDSTMicroelectronicsIGBT Transistors 30A 1200V short circuit rugged IGBT
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30N120KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 60A TO-247
Power - Max: 220 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 105 nC
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.4mJ (on), 4.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/251ns
Supplier Device Package: TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.85V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 84 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA35HF60WDISTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 70A 260W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/175ns
Switching Energy: 185µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA35IH135DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 70A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Switching Energy: 1.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 258 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.13 грн
10+209.93 грн
30+190.01 грн
120+161.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA35IH135DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 1350 V, 35 A, soft-switching IH2 series IGBT
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+338.27 грн
10+244.52 грн
30+189.84 грн
120+169.13 грн
270+160.16 грн
510+154.64 грн
1020+138.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+335.05 грн
10+329.47 грн
25+180.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 488 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/152ns
Switching Energy: 1mJ (on), 1.32mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 158 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 468 W
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.28 грн
30+227.30 грн
120+189.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120DF2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Power dissipation: 468W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+386.59 грн
3+329.06 грн
10+270.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120DF2STMIGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+352.36 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]