Продукція > STP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 33 44 55 66 77 88 99 110 119  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP3035QFPSUN02+
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30400100STATICTECCategory: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 100m; W: 400mm; Thk: 78um; <100GΩ
Length: 100m
Type of antistatic accessories: protection bag
Material: metallized film bag
Version: ESD
Closing system: for welding
Surface resistance: <100GΩ
Kind of protective bag: metallised; shielding
Thickness: 78µm
Width: 0.4m
Features of antistatic elements: bonded; open; possibility sealing bags of any length
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+10990.59 грн
6+9609.60 грн
10+9088.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP3045
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3055L2
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30L30CG-TR
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30L40CG-TR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30L40CT
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30L40CW
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30L60CT
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N05
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N05FI
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N05L
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N06
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N06EL
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N06ELonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N06FI
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N06L
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-channel 100 V, 0.02 Ohm typ 32 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 32A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 50 V
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.26 грн
50+81.69 грн
100+73.37 грн
500+55.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP30N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1597 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N20
на замовлення 48500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N65DM6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N65DM6AGSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V MDMesh
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 100 V
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+557.77 грн
10+364.09 грн
50+289.92 грн
100+249.71 грн
500+210.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 710V; 13A; Idm: 88A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 139mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NE03LSTTO-220
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NE03LFPSTTO220/3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NE06
Код товару: 77947
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 30 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1450/35
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NE06STTO-220
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NE06STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NE06FP
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NE06LSTM
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NE06LFP
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STMMOSFET N-CH 100V 35A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.12 грн
10+126.85 грн
50+96.88 грн
100+81.86 грн
500+65.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+282.52 грн
101+139.82 грн
120+117.80 грн
500+93.27 грн
1000+78.93 грн
2000+75.44 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STN-MOSFET 35A 100V 115W 0.038Ω Replacement: IRF540 STP30NF10 TSTP30NF10
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.90 грн
10+95.55 грн
100+87.92 грн
500+73.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 35 Amp
на замовлення 1816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+95.55 грн
161+87.92 грн
500+76.07 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP30NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 25A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 386 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+152.24 грн
5+99.04 грн
10+77.88 грн
50+55.02 грн
100+52.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STN-MOSFET 35A 100V 115W 0.038Ω Replacement: IRF540 STP30NF10 TSTP30NF10
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10
Код товару: 73219
1 Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 35 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,045 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1180/40
Монтаж: THT
у наявності: 6 шт
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+32.00 грн
10+28.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.86 грн
10+139.50 грн
100+117.52 грн
500+93.05 грн
1000+78.74 грн
2000+75.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10FPSTTO-220FP
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+170.45 грн
110+129.44 грн
159+89.07 грн
500+85.04 грн
1000+77.95 грн
2000+73.50 грн
5000+70.36 грн
10000+68.33 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF20STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 19A; 125W; TO220-3
Technology: STripFET™
Drain current: 19A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+212.28 грн
10+147.10 грн
100+92.69 грн
500+88.48 грн
1000+81.11 грн
2000+76.19 грн
5000+74.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+86.81 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1597 pF @ 25 V
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.95 грн
10+171.57 грн
50+132.24 грн
100+112.23 грн
500+91.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.22 грн
10+130.03 грн
100+89.47 грн
500+85.42 грн
1000+78.30 грн
2000+73.83 грн
5000+70.67 грн
10000+68.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF20STMicroelectronicsMOSFETs Low charge STripFET
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM30NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 300V 30A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM30NSTMN-CH 300V 30A 0.09Ohm TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM30NSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 300V Mdmesh 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+437.85 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+437.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 27A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM50N
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 25A Power II Mdmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM60N
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 25A FDMesh II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NS15LST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NS15LFPSTMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NS15LFPST
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3100BGA-100(100-4557-02)SUNBGA
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP310N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+188.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP310N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP310N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 315W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VII
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP310N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+252.71 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP310N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+256.32 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP310N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 100V 180A TO-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.38 грн
10+241.05 грн
50+188.76 грн
100+161.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP310N10F7STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; DeepGATE™; unipolar; 100V; 120A; 315W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 315W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: DeepGATE™; STripFET™ VII
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+311.52 грн
10+276.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP310N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+188.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP310N10F7STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100V 2.7 mOhm 180A STripFET VII
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP310N10F7STTrans MOSFET N-CH 100V 180A STP310N10F7 STM TSTP310N10F7
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+308.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP315N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP315N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+363.14 грн
50+181.81 грн
100+165.58 грн
500+128.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP315N10F7STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 120A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 315W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ F7
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+326.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP315N10F7STMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP315N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP31N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP31N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+416.48 грн
10+404.43 грн
25+218.58 грн
100+199.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP31N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+393.25 грн
50+373.50 грн
100+208.86 грн
200+191.42 грн
500+166.32 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP31N65M5STMicroelectronics
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP31N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+411.21 грн
36+399.31 грн
66+215.81 грн
100+196.53 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP31N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 148mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.90 грн
50+173.40 грн
100+157.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP31N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP326405AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP326405BEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 33 44 55 66 77 88 99 110 119  [ Наступна Сторінка >> ]