Продукція > STP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 33 44 55 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP30N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 100 V
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+543.43 грн
50+282.75 грн
100+259.49 грн
500+205.34 грн
1000+193.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V MDMesh
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NE03LSTTO-220
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NE03LFPSTTO220/3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NE06STTO-220
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NE06STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NE06
Код товару: 77947
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 30 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1450/35
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NE06FP
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NE06LSTM
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NE06LFP
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.11 грн
15+51.22 грн
100+48.82 грн
500+42.70 грн
1000+37.87 грн
2000+35.82 грн
5000+35.69 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 35 Amp
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
275+51.13 грн
289+48.73 грн
500+44.20 грн
1000+40.83 грн
2000+37.25 грн
5000+35.63 грн
Мінімальне замовлення: 275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP30NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STN-MOSFET 35A 100V 115W 0.038Ω Replacement: IRF540 STP30NF10 TSTP30NF10
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10
Код товару: 73219
1 Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 35 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,045 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1180/40
Монтаж: THT
у наявності: 6 шт
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+32.00 грн
10+28.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.31 грн
10+95.12 грн
100+87.04 грн
500+73.03 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+95.12 грн
162+87.04 грн
500+75.73 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STN-MOSFET 35A 100V 115W 0.038Ω Replacement: IRF540 STP30NF10 TSTP30NF10
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STMMOSFET N-CH 100V 35A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 25A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10FPSTTO-220FP
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.45 грн
10+129.45 грн
100+89.07 грн
500+85.04 грн
1000+77.95 грн
2000+73.50 грн
5000+70.36 грн
10000+68.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+169.69 грн
110+128.87 грн
159+88.68 грн
500+84.66 грн
1000+77.60 грн
2000+73.17 грн
5000+70.04 грн
10000+68.03 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF20STMicroelectronicsMOSFETs Low charge STripFET
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.33 грн
10+146.45 грн
100+92.27 грн
500+88.08 грн
1000+80.75 грн
2000+75.85 грн
5000+74.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1597 pF @ 25 V
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.50 грн
50+87.64 грн
100+78.84 грн
500+59.50 грн
1000+54.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+86.42 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM30NSTMN-CH 300V 30A 0.09Ohm TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM30NSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 300V Mdmesh 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM30NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 300V 30A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 27A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+435.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM50N
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+435.89 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM60N
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 25A Power II Mdmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 25A FDMesh II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NS15LST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NS15LFPSTMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NS15LFPST
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3100BGA-100(100-4557-02)SUNBGA
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP310N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+255.18 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP310N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+187.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP310N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+187.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP310N10F7STTrans MOSFET N-CH 100V 180A STP310N10F7 STM TSTP310N10F7
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+306.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP310N10F7STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100V 2.7 mOhm 180A STripFET VII
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP310N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP310N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 315W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VII
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP310N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 100V 180A TO-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.93 грн
50+185.48 грн
100+169.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP310N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+251.58 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP315N10F7STMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP315N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP315N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+353.31 грн
50+176.89 грн
100+161.09 грн
500+125.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP315N10F7STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 120A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 315W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ F7
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+317.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP315N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP31N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 148mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+339.45 грн
50+168.70 грн
100+153.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP31N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+409.38 грн
36+397.53 грн
66+214.85 грн
100+195.65 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP31N65M5STMicroelectronics
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP31N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP31N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+414.62 грн
10+402.63 грн
25+217.60 грн
100+198.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP31N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP31N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+391.50 грн
50+371.83 грн
100+207.93 грн
200+190.56 грн
500+165.58 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP326405AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP326405BEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP32N06LST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP32N55M5STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP32N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+393.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP32N65M5
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP32N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 100 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+479.54 грн
50+349.80 грн
100+333.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP32N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+393.84 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP32NM50NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 13.86A; Idm: 88A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.86A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP32NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 500V 22A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1973 pF @ 50 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+628.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP32NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II FET
на замовлення 1493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP32NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N10
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N10FI
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP33N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 15.5A; Idm: 96A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+301.56 грн
10+185.31 грн
50+158.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.77 грн
50+175.51 грн
100+159.73 грн
500+123.96 грн
1000+115.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 16A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 128mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.75 грн
10+211.17 грн
100+149.65 грн
500+115.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 115 mOhm typ 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2STMN-Channel 600 V 26A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+169.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+169.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 104A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+322.84 грн
10+180.36 грн
50+154.83 грн
100+151.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP33N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.108 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 100 V
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.62 грн
50+183.11 грн
100+166.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 33 44 55 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]