Продукція > stg

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STGWA100H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 145A 441W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+501.81 грн
10+496.72 грн
25+459.38 грн
100+400.24 грн
250+359.14 грн
600+235.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA100H65DFB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 lon
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15H120DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 231 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/111ns
Switching Energy: 380µJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 67 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 259 W
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.09 грн
10+194.83 грн
100+138.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15H120DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15H120DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA15H120DF2 - IGBT, 30 A, 2.1 V, 259 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 259W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 1200V H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15H120F2STMicroelectronicsDescription: IGBT HB 1200V 15A HS TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/111ns
Switching Energy: 380µJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 67 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 259 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15H120F2STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15M120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 30A 259W
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/122ns
Switching Energy: 550µJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 259 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+186.22 грн
3000+183.77 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15M120DF3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+186.22 грн
3000+183.77 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15S120DF3STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 15 A low drop
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15S120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Power - Max: 259 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Gate Charge: 53 nC
Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 540µJ (on), 1.38mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/140ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15S120DF3 STGWA15S120DSTMIGBT 1200V 15A TO247-3L Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA19NC60HDSTMIGBT 600V 52A 208W TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA19NC60HDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 52A 208W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 52 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 208 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA19NC60HDSTMicroelectronicsIGBTs 19A 600V Very Fast IGBT Ultrafast Diode
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA20H65DFB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 215 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/78.8ns
Switching Energy: 265µJ (on), 214µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 147 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA20H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 147W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+232.02 грн
81+174.65 грн
110+129.64 грн
500+114.98 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA20H65DFB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA20H65DFB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA20H65DFB2 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 147 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+249.92 грн
10+157.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA20H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 147W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+234.57 грн
10+176.57 грн
100+131.05 грн
500+116.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA20HP65FB2STMicroelectronicsDescription: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/78.8ns
Switching Energy: 214µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 147 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA20HP65FB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA20IH65DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA20IH65DF - IGBT, 40 A, 1.55 V, 159 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 159W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+257.96 грн
10+136.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA20IH65DFSTMicroelectronicsDescription: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/120ns
Switching Energy: 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 159 W
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA20IH65DFSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop 650 V, 20 A, soft-switching IH series IGBT
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA20M65DF2STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA20M65DF2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA20M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA20M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH 650V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 166 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/108ns
Switching Energy: 140µJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 166 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25H120DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 303 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns
Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+428.52 грн
30+235.20 грн
120+196.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25H120DF2STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 41400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+224.98 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25H120F2STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 41400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+224.98 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+593.23 грн
30+338.70 грн
120+280.24 грн
510+228.74 грн
600+209.26 грн
1020+200.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+439.61 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+582.67 грн
43+332.53 грн
120+275.06 грн
510+224.54 грн
600+203.03 грн
1020+190.46 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25H120F2STMicroelectronicsDescription: IGBT HB 1200V 25A HS TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns
Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25IH135DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Switching Energy: 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 340 W
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.70 грн
10+167.60 грн
30+151.41 грн
120+128.56 грн
270+122.76 грн
510+119.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25IH135DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA25IH135DF2 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 340 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IH2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+266.80 грн
10+217.78 грн
100+187.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25IH135DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 1350 V, 25 A, soft-switching IH2 series IGBT
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+218.28 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25M120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 265 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns
Switching Energy: 850µJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25M120DF3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA25M120DF3 - IGBT, 50 A, 1.85 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+452.43 грн
10+323.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+272.46 грн
62+228.27 грн
100+202.30 грн
250+174.70 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+218.28 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25M120DF3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+277.50 грн
10+275.44 грн
25+230.76 грн
100+204.51 грн
250+176.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25M120DF3STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Collector current: 25A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 100A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Power dissipation: 375W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+339.30 грн
10+260.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25S120DF3STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 25 A low drop
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25S120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 25A TO247-3L
Power - Max: 375 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Gate Charge: 80 nC
Test Condition: 600V, 25A, 15Ohm, 15V
Switching Energy: 830µJ (on), 2.37mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/147ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Reverse Recovery Time (trr): 265 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H60DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT
Power - Max: 260 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Gate Charge: 149 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H60DFBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H65DFBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+286.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/146ns
Switching Energy: 382µJ (on), 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H65DFB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18.4ns/71ns
Switching Energy: 270µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.57 грн
10+168.27 грн
100+117.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H65DFB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA30H65DFB2 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 167 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.40 грн
10+155.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H65DFB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
Switching Energy: 151mJ (on), 293mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H65FBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30HP65FBSTMicroelectronicsSTMicroelectronics Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30HP65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/146ns
Switching Energy: 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30HP65FB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 165600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+105.60 грн
1200+100.93 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30HP65FB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/71ns
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.42 грн
30+112.10 грн
120+90.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30HP65FB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30HP65FB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 165600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+105.60 грн
1200+100.93 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30IH160DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 1600 V, 30 A, soft-switching IH2 series IGBT
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30IH160DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA30IH160DF2 - IGBT, 85 A, 1.77 V, 395 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 85A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IH2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.6kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+306.17 грн
10+245.90 грн
100+219.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 180W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+350.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30IH65DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A, soft-switching IH series IGBT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30IH65DFSTMicroelectronicsDescription: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/200ns
Switching Energy: 123µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.30 грн
10+202.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30IH65DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA30IH65DF - IGBT, 60 A, 1.55 V, 180 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+298.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Active
Gate Charge: 80 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 258 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.94 грн
30+134.64 грн
120+110.09 грн
510+86.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30M65DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA30M65DF2 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 258W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.29 грн
10+135.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30M65DF2AGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30M65DF2AGSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 87A TO247
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 441 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 87 A
Grade: Automotive
Gate Charge: 81.6 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 756µJ (on), 1.057mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 21.6ns/138ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 151 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.67 грн
10+172.52 грн
25+158.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30M65DF2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA30M65DF2AG - IGBT, AEC-Q101, 87 A, 1.6 V, 441 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 87A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+256.35 грн
10+214.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30N120KDSTMicroelectronicsIGBT Transistors 30A 1200V short circuit rugged IGBT
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30N120KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 60A TO-247
Power - Max: 220 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 105 nC
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.4mJ (on), 4.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/251ns
Supplier Device Package: TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.85V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 84 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA35HF60WDISTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 70A 260W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/175ns
Switching Energy: 185µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA35IH135DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 1350 V, 35 A, soft-switching IH2 series IGBT
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA35IH135DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 70A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Switching Energy: 1.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 258 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.49 грн
10+209.46 грн
30+189.59 грн
120+161.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120DF2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Power dissipation: 468W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+385.73 грн
3+328.33 грн
10+269.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 488 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/152ns
Switching Energy: 1mJ (on), 1.32mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 158 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 468 W
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+415.35 грн
30+226.80 грн
120+188.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120DF2STMIGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120F2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/152ns
Switching Energy: 1mJ (on), 1.32mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 158 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 468 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+586.61 грн
30+327.39 грн
120+275.28 грн
510+225.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+351.58 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120F2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+355.43 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H60DLFBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 40 A high speed
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H60DLFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH 600V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 7V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 283 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.17 грн
30+151.03 грн
120+123.80 грн
510+97.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]