Продукція > AIM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 23 24 25 26 27
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
AIMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -7V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1716.55 грн
30+1059.01 грн
120+1013.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R045M1XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1454.99 грн
5+1290.80 грн
10+1125.79 грн
50+1024.24 грн
100+926.64 грн
250+907.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R045M1XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 114W
Case: TO247
Gate-source voltage: -7...20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2040.68 грн
8+2020.37 грн
10+1603.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: 1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2082.60 грн
30+1300.54 грн
120+1286.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R060M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMW120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2141.85 грн
5+2131.28 грн
10+2120.71 грн
50+1289.93 грн
100+1177.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R060M1HXKSA1 IMW120R060M1HInfineonCOOLSIC MOSFETS 1200V Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R080M1XKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R080M1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: 1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 13A, 15V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1160.83 грн
30+692.64 грн
120+615.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R080M1XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMW120R080M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1061.58 грн
5+885.19 грн
10+708.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R007M2HInfineon Technologies AUTOMOTIVE_SICMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Automotive SiC MOSFET, 750 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R008M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_SICMOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 90.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 32.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6137 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3126.64 грн
30+1996.98 грн
120+1775.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R008M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 163A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R008M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 163A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R008M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R011M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Automotive SiC MOSFET, 750 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R016M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 89A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1670.82 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R016M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R016M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 89A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R016M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 750V; 89A; 319W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 89A
Power dissipation: 319W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
240+1343.90 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R016M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZA75R016M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 89 A, 750 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1633.82 грн
5+1607.81 грн
10+1581.80 грн
50+993.30 грн
100+905.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R016M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 89A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1670.82 грн
5+1662.33 грн
10+1229.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R016M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 750V 89A PG-TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 41.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1409.30 грн
30+844.38 грн
120+776.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R016M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Automotive SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R020M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZA75R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 750 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1377.77 грн
5+1333.88 грн
10+1289.98 грн
50+828.00 грн
100+688.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Automotive SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R025M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Automotive SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 60A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+826.26 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 60A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 60A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1019.46 грн
10+839.28 грн
25+834.56 грн
50+796.75 грн
100+715.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R027M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZA75R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 750 V, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1056.70 грн
5+1039.63 грн
10+1022.56 грн
50+648.36 грн
100+548.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Automotive SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 44A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+525.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R040M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZA75R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 44 A, 750 V, 0.037 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+831.54 грн
5+822.60 грн
10+812.84 грн
50+483.82 грн
100+399.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 44A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 44A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+525.95 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Automotive SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Automotive SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+415.91 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+415.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R060M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZA75R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32 A, 750 V, 0.055 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+667.35 грн
5+655.15 грн
10+642.15 грн
50+395.51 грн
100+327.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Automotive SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 23A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 23A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+161.33 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R090M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZA75R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 750 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+561.68 грн
10+540.54 грн
100+320.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 23A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.33 грн
10+157.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R140M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZA75R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 16 A, 750 V, 0.129 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+437.31 грн
10+274.74 грн
100+231.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 16A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+124.65 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 16A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.65 грн
10+121.73 грн
100+121.63 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.21 грн
30+228.17 грн
120+190.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 16A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R010M1TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 93A, 20V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 30mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5703 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2811.54 грн
30+1848.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R010M1TXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R010M1TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZH120R010M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 202 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3235.94 грн
5+2722.22 грн
10+2208.50 грн
50+2009.99 грн
100+1817.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R020M1TXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R020M1TXKSA1InfineonN-Channel 1200 V 100A (Tc) 429W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-11 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R020M1TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2667 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO247-4-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 13.7mA
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 43A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1703.23 грн
30+1050.01 грн
120+981.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R030M1TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 27A, 20V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1297.21 грн
30+780.72 грн
120+693.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R040M1TXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R040M1TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 6.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1264 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1069.91 грн
30+632.99 грн
120+546.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R060M1TXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC_DISCRETE
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R060M1TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZH120R060M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1147.74 грн
5+986.79 грн
10+825.85 грн
50+685.34 грн
100+557.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R060M1TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO247-4-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.3mA
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 13A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+864.55 грн
30+502.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R080M1TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 671 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+762.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R120M1TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7A, 20V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+588.64 грн
30+331.40 грн
120+279.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R120M1TXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R160M1TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5A, 20V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+624.70 грн
30+352.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R160M1TXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R160M1TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZH120R160M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.2 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 109W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+796.59 грн
5+708.80 грн
10+620.20 грн
50+536.65 грн
100+458.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R010M1TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZHN120R010M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 202 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3515.55 грн
5+3284.71 грн
10+3053.86 грн
50+2554.95 грн
100+2099.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R010M1TXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 50 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R020M1TXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R020M1TXKSA1InfineonN-Channel 1200 V 100A (Tc) 429W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-14 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R040M1TXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC_DISCRETE
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R060M1TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZHN120R060M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1079.46 грн
5+1015.24 грн
10+950.22 грн
50+810.64 грн
100+682.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R120M1TXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R120M1TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7A, 20V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-14
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 23 24 25 26 27