Продукція > AIM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 23 24 25 26 27 28  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
AIML-1206-R47K-TAbracon CorporationInductor RF Shielded Multi-Layer 0.47uH 10% 25MHz 35Q-Factor Ferrite 0.2A 0.5Ohm DCR 1206 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIML-1206-R47K-TABRACONRF Inductors - SMD IND 0.47 uH 0.200 A 600.00 mOhm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIML-1206-R56K-TAbracon CorporationInductor RF Shielded Multi-Layer 0.56uH 10% 25MHz 35Q-Factor Ferrite 0.15A 0.55Ohm DCR 1206 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIML-1206-R56K-TAbraconAIML-1206-R56K-T 0,56 мкГн 1206 10 % Індуктивності
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIML-1206-R56K-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 560NH 150MA 550MOHM SM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIML-1206-R56K-TABRACONRF Inductors - SMD IND 0.56 uH 0.150 A 700.00 mOhm
на замовлення 31468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIML-1206-R56K-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 560NH 150MA 550MOHM SM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIML-1206-R68K-TAbraconAIML-1206-R68K-T 0,68 мкГн 1206 10 % Індуктивності
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIML-1206-R68K-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 680NH 150MA 650 MOHM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIML-1206-R68K-TABRACONFixed Inductors 0.68uH, 150mA Tol.=+/-5%
на замовлення 5035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIML-1206-R82K-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 820NH 150MA 750MOHM SM
Frequency - Self Resonant: 110MHz
Q @ Freq: 35 @ 25MHz
DC Resistance (DCR): 750mOhm Max
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Type: Multilayer
Shielding: Shielded
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Current Rating (Amps): 150 mA
Inductance: 820 nH
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.055" (1.40mm)
Supplier Device Package: 1206
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Material - Core: Ferrite
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIML-1206-R82K-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 820NH 150MA 750MOHM SM
Current Rating (Amps): 150 mA
Inductance: 820 nH
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.055" (1.40mm)
Supplier Device Package: 1206
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Frequency - Self Resonant: 110MHz
Q @ Freq: 35 @ 25MHz
DC Resistance (DCR): 750mOhm Max
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Type: Multilayer
Shielding: Shielded
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Material - Core: Ferrite
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIML-1206-R82K-TABRACONRF Inductors - SMD IND 0.82 uH 0.150 A 900.00 mOhm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIML-1206HC-100M-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 10UH 670MA 500MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 500mOhm
Frequency - Self Resonant: 28MHz
Current - Saturation (Isat): 100mA
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 1206 (3216 Metric)
Height - Seated (Max): 0.055" (1.40mm)
Part Status: Obsolete
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 670 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIML-1206HC-1R0M-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 1UH 1.6A 100 MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 100mOhm
Frequency - Self Resonant: 90MHz
Current - Saturation (Isat): 300mA
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 1206 (3216 Metric)
Height - Seated (Max): 0.055" (1.40mm)
Part Status: Obsolete
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 1.6 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIML-1206HC-1R5M-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 1.5UH 1.5A 120MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 120mOhm
Frequency - Self Resonant: 75MHz
Current - Saturation (Isat): 280mA
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 1206 (3216 Metric)
Height - Seated (Max): 0.055" (1.40mm)
Inductance: 1.5 µH
Current Rating (Amps): 1.5 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIML-1206HC-1R5M-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 1.5UH 1.5A 120MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 120mOhm
Frequency - Self Resonant: 75MHz
Current - Saturation (Isat): 280mA
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 1206 (3216 Metric)
Height - Seated (Max): 0.055" (1.40mm)
Inductance: 1.5 µH
Current Rating (Amps): 1.5 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIML-1206HC-2R2M-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 2.2UH 1.3A 150 MOHM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIML-1206HC-3R3M-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 3.3UH 1.2A 200 MOHM
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIML-1206HC-3R3M-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 3.3UH 1.2A 200 MOHM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIML-1206HC-3R3M-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 3.3UH 1.2A 200 MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIML-1206HC-4R7M-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 4.7UH 980MA 320 MOHM
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 320mOhm
Frequency - Self Resonant: 41MHz
Current - Saturation (Isat): 150mA
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 1206 (3216 Metric)
Height - Seated (Max): 0.055" (1.40mm)
Part Status: Obsolete
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 980 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIML6-6100-8G-2.5S128G-P209B12EFCO Technology CorporationDescription: SBC 2.3GHZ 2/4CORE 8GB/128GB RAM
Part Status: Active
RAM Capacity/Installed: 8GB/128GB
Number of Cores: 2/4
Storage Interface: 2.5" SSD, SATA
Watchdog Timer: Yes
Digital I/O Lines: 16
RS-232 (422, 485): 4
USB: USB 3.0 (4)
Ethernet: RJ45 GbE/PoE (2)
Video Outputs: DisplayPort, VGA
Expansion Site/Bus: Mini-PCIe, M.2, SIM
Form Factor: ATX
Core Processor: Intel Core i3-6100U
Operating Temperature: -20°C ~ 50°C
Speed: 2.3GHz
Size / Dimension: 6.340" x 5.120" (161.03mm x 130.04mm)
Power (Watts): 90W
Packaging: Bulk
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+84864.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMM124807+
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMR5306Red Lion ControlsDescription: LOOP POWERED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMT-01-100-2.5(V)
Код товару: 118477
Додати до обраних Обраний товар
Індуктивності, дроселі > Індуктивності малопотужні вивідні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMT-01-100-2.5(V)---AIMT-01-100-2.5(V) 100 мкГн Силовой дроссель Індуктивності
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMT-01-101M-2.5 (V)Дросель для PWM стабілізаторів (кільце) 100uH/2.5A (збільшеного розміру)
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
19+37.54 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMT-01-150-5.0 (V)Дросель для PWM стабілізаторів (кільце) 150uH/5A
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
19+37.54 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMT-01-150-5.0(V)
Код товару: 82174
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMT-01-150-5.0(V)
Код товару: 82173
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMT-148Abracon CorporationAIMT-148^ABRACON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R035M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R035M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: 1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2751.19 грн
30+1747.48 грн
120+1550.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R035M1HXKSA1Infineon TechnologiesAIMW120R035M1HXKSA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R035M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMW120R035M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228mW
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R035M1HXKSA1Infineon TechnologiesAIMW120R035M1HXKSA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R045M1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R045M1Infineon TechnologiesMOSFETs SIC_DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2040.68 грн
8+2020.37 грн
10+1603.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R045M1XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 228W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+1747.90 грн
100+1660.68 грн
500+1573.46 грн
1000+1433.17 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R045M1XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 114W
Case: TO247
Gate-source voltage: -7...20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2350.76 грн
10+2123.45 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R045M1XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 114W
Case: TO247
Gate-source voltage: -7...20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -7V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1716.55 грн
30+1059.01 грн
120+1013.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: 1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2082.60 грн
30+1300.54 грн
120+1286.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R060M1HXKSA1InfineonAIMW120R060M1HXKSA1 IMW120R060M1H COOLSIC MOSFETS 1200V Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R060M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMW120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R080M1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: 1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 13A, 15V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1160.83 грн
30+692.64 грн
120+615.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R080M1XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMW120R080M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R080M1XKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R080M1XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 74A; 75W; TO247
Mounting: THT
Pulsed drain current: 74A
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Drain current: 24A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -7...20V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 135mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R007M2HInfineon Technologies AUTOMOTIVE_SICMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Automotive SiC MOSFET, 750 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R008M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 163A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R008M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R008M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_SICMOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 90.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 32.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6137 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2921.28 грн
30+1877.83 грн
60+1776.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R008M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 163A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R011M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Automotive SiC MOSFET, 750 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R016M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZA75R016M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 89 A, 750 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R016M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 750V 89A PG-TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 41.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1409.30 грн
30+844.38 грн
120+776.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R016M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 89A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1670.82 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R016M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 89A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R016M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 750V; 89A; 319W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 89A
Power dissipation: 319W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
240+1343.90 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R016M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R016M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 89A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1670.82 грн
5+1662.33 грн
10+1229.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R016M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Automotive SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R020M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZA75R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 750 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Automotive SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R025M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Automotive SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 60A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+826.26 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R027M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZA75R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 750 V, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 60A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 60A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1019.46 грн
10+839.28 грн
25+834.56 грн
50+796.75 грн
100+715.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Automotive SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 44A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+525.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 44A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R040M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZA75R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 44 A, 750 V, 0.037 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 44A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+525.95 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Automotive SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Automotive SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R060M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZA75R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32 A, 750 V, 0.055 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+415.91 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+415.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Automotive SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 23A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 23A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+161.33 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 23 24 25 26 27 28  [ Наступна Сторінка >> ]