Продукція > RN1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RN1905FE,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 10961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905FE,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 10961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905FE,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ES6
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
30+10.19 грн
100+6.31 грн
500+4.34 грн
1000+3.83 грн
2000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905FE,LF(CTToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 2836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ES6
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905FE,LF(CTToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 6-Pin ES T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ES6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
18+17.44 грн
100+10.94 грн
500+7.65 грн
1000+6.80 грн
2000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ES6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905FE,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906TOSHIBASOT-363
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906(T5L,F,T)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1906,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.65 грн
123+6.64 грн
500+4.18 грн
1500+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1906,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+17.48 грн
77+10.65 грн
123+6.64 грн
500+4.18 грн
1500+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) NPN x 2 , R1=4.7kOhm, R2=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-363)
на замовлення 2577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906/XF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906FETOSHSOT26/
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906FE(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906FE(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906FE(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906FE,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built- in Transistor, 2in1
на замовлення 11985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906FE,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
на замовлення 7386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906TE85L(XF)
на замовлення 8260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907TOSHIBA
на замовлення 65300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907(TE85L)TOSHIBASOT363-XH
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907(TE85L) SOT363-XHTOSHIBA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907(TE85L)SOT363-XH
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907,LF(CTToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 7467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
15+20.61 грн
100+13.06 грн
500+9.19 грн
1000+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) NPN x 2 , R1=10kOhm, R2=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-363)
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.68 грн
6000+6.72 грн
9000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907FETOSHIBA05+PB
на замовлення 3374 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 5722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.51 грн
100+5.89 грн
500+4.04 грн
1000+3.56 грн
2000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907FE,LF(CTToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 9243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907FE,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
на замовлення 7938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
18+16.98 грн
100+10.70 грн
500+7.48 грн
1000+6.65 грн
2000+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.93 грн
8000+5.19 грн
12000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908TOSHIBA00+
на замовлення 456010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
18+16.91 грн
100+8.51 грн
500+6.52 грн
1000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908(TE85L)TOSHIBASOT323-XI
на замовлення 1445985 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908(TE85L) SOT323-XITOSHIBA
на замовлення 21350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908(TE85L) SOT363-X1TOSHIBA
на замовлення 1194000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908(TE85L)SO
на замовлення 366000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908(TE85L)SOT323-XI
на замовлення 21350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908,LF(CTToshibaDigital Transistors NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
на замовлення 8810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.51 грн
100+5.89 грн
500+4.04 грн
1000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=2
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q TR NPNx2 BRT, 22kOhm, 47kOhm, 22kOhm, 47kOhm, 50V (SOT-363)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908,LXHF(CTToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=2
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.86 грн
6000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908-TE85L
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908FE(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908FE,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=22kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
на замовлення 7897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908FE,LXHF(CTToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 6-Pin ES T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.21 грн
8000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1909(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1909(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1909(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1909,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
44+7.02 грн
100+4.70 грн
500+3.36 грн
1000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1909,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1909,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
на замовлення 7001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1909,LXHF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR NPNx2 BRT, 47kOhm, 22kOhm, 47kOhm, 22kOhm, 50V (SOT-363)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1909FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
16+18.87 грн
100+10.70 грн
500+6.65 грн
1000+5.10 грн
2000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1909FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1909FE,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=47kO, Q1BER=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
на замовлення 7997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1909FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.21 грн
8000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1909FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910TOSHIBA
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910,LF(CTToshibaSilicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased BIAS RESISTOR Built- in Transistor 2-in-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910,LXHF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) NPN x 2 , R1=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-363)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910,LXHF(CTToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910AFS
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910AFS(TPL3)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]