Продукція > StP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 44 55 66 77 88 99 110 119  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP32N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+395.61 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP32N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+395.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP32N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 100 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+492.89 грн
50+359.54 грн
100+342.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP32N65M5
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP32NM50NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 13.86A; Idm: 88A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.86A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP32NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II FET
на замовлення 1493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP32NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 500V 22A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1973 pF @ 50 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+645.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP32NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N10
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N10FI
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 15.5A; Idm: 96A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 190W
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+309.95 грн
10+190.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP33N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+360.77 грн
10+230.23 грн
50+179.97 грн
100+153.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 16A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 80A
Case: TO220-3
On-state resistance: 128mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 190W
Gate-source voltage: ±25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 115 mOhm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.20 грн
10+216.52 грн
50+168.81 грн
100+144.01 грн
500+118.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+170.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 100 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+375.01 грн
10+239.83 грн
50+187.75 грн
100+160.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP33N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.108 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+169.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2STMN-Channel 600 V 26A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 104A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 104A
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 190W
Gate-source voltage: ±25V
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+331.83 грн
10+185.39 грн
50+159.14 грн
100+155.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP33N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.105 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 78A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 78A
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 190W
Gate-source voltage: ±25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 100 V
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.85 грн
10+237.85 грн
50+186.12 грн
100+159.07 грн
500+131.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 96A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+246.14 грн
10+153.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.39 грн
50+151.47 грн
100+137.68 грн
500+106.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP340S
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3481
на замовлення 123800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP34N20STTO3P
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP34N65M5STMicroelectronics
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP34N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP34N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+385.92 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP34N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 17.7A; Idm: 112A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.7A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 190W
Gate charge: 62.5nC
Technology: MDmesh™ M5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP34N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP34N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 28A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP34N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+385.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP34NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP34NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+739.33 грн
10+481.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP34NM60NSTTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 105mOhm; 31,5A; 250W; -55°C ~ 150°C; STP34NM60N TSTP34NM60N
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+206.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP34NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+493.70 грн
38+379.37 грн
100+349.44 грн
500+314.40 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP34NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.092 Ohm MDmesh II 29A Switch
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP34NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2722 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+730.24 грн
50+392.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP34NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP34NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.092 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP34NM60NSTMMOSFET N-CH 600V 29A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP34NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+500.94 грн
10+491.67 грн
25+377.81 грн
100+348.00 грн
500+313.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP34NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+812.52 грн
50+466.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP34NM60NDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80.4nC
Pulsed drain current: 116A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP34NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP34NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP350F
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP354500AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP354500AEssentra Access SolutionsDescription: STP354500A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP354500BEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP354500BEssentra Access SolutionsDescription: STP354500B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP35N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 210W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 17A; 210W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-220 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 28A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+382.13 грн
10+243.72 грн
50+190.51 грн
100+162.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N60M2-EPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 26 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V TO220
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N65DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N65DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N65DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 93 mOhm typ., 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N65DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 32A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N65M5STMMOSFET N-CH 650V 27A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+409.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N65M5
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 27A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N65M5(транзистор)
Код товару: 60497
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP35NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP35NF10
Код товару: 114734
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 40 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,03 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1550/55
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+27.50 грн
10+24.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP35NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+230.29 грн
67+213.49 грн
74+191.00 грн
80+170.59 грн
100+147.29 грн
500+133.00 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP35NF10STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100 Volt 40 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP35NF10STMTO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP35NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.29 грн
10+213.49 грн
25+191.00 грн
50+170.59 грн
100+147.29 грн
500+133.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP35NF10FI
на замовлення 17439 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP360N4F6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 120A STripFET VI DeepGATE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP360N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+214.03 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP360N4F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.26 грн
10+212.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP360N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36N05L
на замовлення 18949 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP36N05LFI
на замовлення 18749 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP36N06STMicroelectronicsMOSFETs TO-220 N-CH 60V 18A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP36N55M5STMicroelectronics
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP36N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+333.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+485.96 грн
31+465.08 грн
50+447.36 грн
100+416.74 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36N55M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 550V 0.006 Ohm 33A MDmesh M5 FET
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP36N55M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 33A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP36N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 44 55 66 77 88 99 110 119  [ Наступна Сторінка >> ]