Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 44 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF5210PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 40 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 24 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+261.19 грн
10+153.73 грн
50+83.76 грн
100+79.95 грн
500+73.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 60mΩ
Gate charge: 0.12µC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 4118 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+200.56 грн
10+124.44 грн
25+108.35 грн
50+99.04 грн
100+89.73 грн
500+75.34 грн
1000+70.26 грн
1250+68.57 грн
2000+65.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 83034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+125.11 грн
184+76.78 грн
186+76.02 грн
500+72.57 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+130.54 грн
500+117.49 грн
1000+108.34 грн
10000+93.15 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 9362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.70 грн
10+175.15 грн
50+135.43 грн
100+115.09 грн
500+94.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 83035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.43 грн
10+126.60 грн
50+77.69 грн
100+74.17 грн
500+67.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC
на замовлення 15600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBFInternational RectifierMOSFET P-CH 100V 40A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+259.08 грн
93+152.48 грн
170+83.08 грн
172+79.31 грн
500+72.70 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - IRF5210S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - IRF5210S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 A, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мOм @ 38 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+362.21 грн
103+344.57 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 60mOhms 120nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBFIRF5210SPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 108 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBFInternational RectifierP-CH, 100 V, 40A, D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBF
Код товару: 37137
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 38 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,06 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 2780/150
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+39.00 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLInfineonTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF5210STRL; IRF5210S; IRF5210STRR; IRF5210S-GURT; IRF5 IRF5210STRL TIRF5210s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 580 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+109.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRL-CNCHIPNOBOTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 65mOhm; 30A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210S; IRF5210STRL; IRF5210STRR; SP001570130; SP001554020; SP001561786; IRF5210STRL-CN CHIPNOBO TIRF5210s CNB
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+57.03 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLHRInternational RectifierTrans MOSFET P-CH Si 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBFInternational RectifierP-CH, 100 V, 40A, D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC
на замовлення 30693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 323 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+233.38 грн
5+177.77 грн
10+158.30 грн
25+137.13 грн
100+113.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+280.45 грн
10+183.55 грн
25+141.03 грн
100+122.65 грн
250+112.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 17335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF
Код товару: 199795
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+252.50 грн
10+174.85 грн
25+173.10 грн
50+132.92 грн
100+111.99 грн
250+106.43 грн
500+83.91 грн
1600+75.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.45 грн
10+131.19 грн
50+100.31 грн
100+84.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Очікується: 200 Од. ви
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+88.82 грн
1600+81.27 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+280.45 грн
77+183.55 грн
101+141.03 грн
111+122.65 грн
250+112.39 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 17335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+250.46 грн
82+173.44 грн
83+171.71 грн
104+131.84 грн
114+111.08 грн
250+105.57 грн
500+83.24 грн
1600+74.74 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+89.87 грн
1600+82.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRIR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+188.16 грн
500+169.34 грн
1000+156.41 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBFInternational RectifierP-Channel, 100 V, 170 W, D2PAK-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF5210STRRPBF
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+188.16 грн
500+169.34 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+188.16 грн
500+169.34 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 60mOhms 120nC
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF522IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF522 RHARRISTO-220 04+
на замовлення 581 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF523Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 2608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
568+36.66 грн
Мінімальне замовлення: 568 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF523HARRISIRF523
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF523HARRISIRF523
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.74 грн
1000+41.25 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530Vishay SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 14 А, Ptot, Вт = 88, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 670 @ 25, Qg, нКл = 26, Rds = 0,16 Ом @ 10 B, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2...4 B,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SiliconixTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 245 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+34.34 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530
Код товару: 175506
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 14 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,16 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 26/670
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STMN-кан. MOSFET 100V, 14A, 0.115Ом, 60Вт, -55...+175, TO-220 (STripFET MOSFET) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 16 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530
Код товару: 14593
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 14 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,16 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 670/26
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305International RectifierP-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 256 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.86 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305UMWTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305International RectifierP-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, TO-220AB (HEXFET) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305Infineon / IRMOSFETs MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -31A, 60 mOhm, 42 nC Qg, TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305JSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 JSMICRO TIRF5305 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305UMWTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305International Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ -25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 110 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305LIR/FAIRCHILD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305LPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 55V 31A TO-262 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305LPBF
Код товару: 89217
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.20 грн
136+104.32 грн
250+100.13 грн
500+93.07 грн
1000+83.36 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 71476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+187.72 грн
10+95.70 грн
50+94.73 грн
100+76.46 грн
500+46.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+157.50 грн
160+88.28 грн
180+78.57 грн
190+71.82 грн
500+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
599+58.93 грн
1000+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 599 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 794 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+108.48 грн
10+60.53 грн
25+52.31 грн
50+45.63 грн
100+40.89 грн
500+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 71476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+94.46 грн
151+93.51 грн
181+78.27 грн
500+49.63 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.82 грн
13+60.64 грн
50+60.04 грн
100+53.72 грн
500+41.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+158.79 грн
10+89.01 грн
50+79.21 грн
100+72.40 грн
500+45.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+60.64 грн
236+60.04 грн
254+55.70 грн
500+44.85 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF
Код товару: 40618
3 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 31 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,06 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/63
Монтаж: THT
у наявності: 391 шт
  • 360 шт - склад
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 18301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.85 грн
10+108.49 грн
50+82.34 грн
100+69.37 грн
500+55.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+47.67 грн
2000+47.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+47.67 грн
2000+47.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 4229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305SInternational RectifierP-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, D2PAK, TO-263 (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305SPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 16 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305SPBF
Код товару: 37024
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 31 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,06 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
у наявності: 76 шт
  • 66 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+31.00 грн
10+27.80 грн
100+24.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305SPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 60mOhms 42nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305SPBFInternational RectifierP-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, D2PAK, TO-263 (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305SPBF
Код товару: 185643
Додати до обраних Обраний товар
JSMICROТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 31 А
Монтаж: SMD
у наявності: 21 шт
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+48.00 грн
10+44.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 44 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]