Продукція > BSS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSS84AKMB,315 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 9083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKMB,315 | Nexperia | MOSFETs BSS84AKMB/SOT883B/XQFN3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84AKMB,315 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKMB,315 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 8930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKMB,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS84AKMB,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 4.5 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-883B Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84AKQBZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS84AKQBZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 270 mA, 3.8 ohm, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 420mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1110D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84AKQBZ | Nexperia USA Inc. | Description: BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +12V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84AKQBZ | Nexperia | MOSFETs SOT8015 P-CH 50V .27A | на замовлення 252 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84AKQBZ | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.27A 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84AKQBZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS84AKQBZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 270 mA, 3.8 ohm, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 420mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1110D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84AKQBZ | Nexperia USA Inc. | Description: BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +12V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84AKS | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84AKS | Analog Power Inc. | Description: MOSFET P-CH 60V 0.4A SC70-6 Packaging: Bulk Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKS | NXP | 2P-MOSFET 50V 160mA 7.5Ω 445mW BSS84AKS,115 BSS84AKS NXP TBSS84aks кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 445mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 13911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 45 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84AKS,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS84AKS,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 160 mA tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 445mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 83649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 234000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 445mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKS,115 | Nexperia | MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84AKS,115 | Nexperia | MOSFETs BSS84AKS/SOT363/SC-88 | на замовлення 3216 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84AKS,115 | NEXPERIA | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.1A; 445mW Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.1A Power dissipation: 445mW Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.35nC | на замовлення 1728 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 234000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKS,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS84AKS,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 160 mA tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 445mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 83649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKS/ZLX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 445mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84AKT,115 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 50V 150MA SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta), 770mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84AKV,115 | Nexperia | MOSFETs BSS84AKV/SOT666/SOT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84AKV,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.17A 6-Pin SOT-666 T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKV,115 | NEXPERIA | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -110mA; Idm: -0.7A; 500mW Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -110mA Power dissipation: 0.5W Case: SOT666 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -0.7A Gate charge: 0.35nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84AKV,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.17A SOT666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKV,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS84AKV,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 50 V, 170 mA, 170 mA, 4.5 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 170mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84AKV,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.17A 6-Pin SOT-666 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84AKV,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.17A SOT666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKV,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.17A 6-Pin SOT-666 T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKV,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS84AKV,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 50 V, 170 mA, 170 mA, 4.5 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 170mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84AKV115 | Nexperia USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BSS84AKV - SMALL SI Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84AKVL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84AKVL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84AKVL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKVL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84AKVL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 49294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKVL | Nexperia | MOSFETs SOT23 P-CH 50V .18A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84AKW | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84AKW | Analog Power Inc. | Description: MOSFET P-CH 60V 0.174A SC70-3 Packaging: Bulk | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKW,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS84AKW,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 150 mA, 7.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 260mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm | на замовлення 22974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKW,115 | NXP | Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 13,5Ohm; 150mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84AKW.115; BSS84AKW,115; BSS84AKW; BSS84AKW,115 TBSS84akw кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 600 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.15A Automotive 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 483000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.15A Automotive 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 11749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.15A Automotive 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 5779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKW,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 50V 150MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84AKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.15A Automotive 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 11749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.15A Automotive 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84AKW,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS84AKW,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 150 mA, 7.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 260mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm | на замовлення 22974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKW,115 | NXP | Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 13,5Ohm; 150mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84AKW.115; BSS84AKW,115; BSS84AKW; BSS84AKW,115 TBSS84akw кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.15A Automotive 3-Pin SC-70 T/R | у наявності 5779 шт: | Мінімальне замовлення: 90 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84AKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.15A Automotive 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 483000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKW,115 | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.095A; 310mW; SC70,SOT323 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.095A Power dissipation: 0.31W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.35nC | на замовлення 32164 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKW,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 50V 150MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKW,115 | Nexperia | MOSFETs BSS84AKW/SOT323/SC-70 | на замовлення 6579 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84AKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.15A Automotive 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 5779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKW-B,115 | NXP Semiconductors | BSS84AKW-B,115 | на замовлення 160514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKW-B,115 | NXP Semiconductors | BSS84AKW-B,115 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKW-B115 | NXP | Description: NXP - BSS84AKW-B115 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 193514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKW-B115 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET P-CH Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84AKW-BX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CHANNEL 50V 150MA SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84AKW.115 | Nexperia | MOSFET P-CH 50V 150MA SOT323 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84AKW/DG/B2,215 | NXP Semiconductors | BSS84AKW/DG/B2,215 | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84AKW/DG/B2215 | NXP USA Inc. | Description: P-CHANNEL MOSFET Part Status: Active Packaging: Bulk Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 pC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) FET Type: P-Channel Supplier Device Package: SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84AKW/DG/B2215 | NXP | Description: NXP - BSS84AKW/DG/B2215 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84DW | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84DW | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84DW | Yangjie Electronic Technology | BSS84DW | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84DW | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84DW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363 Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA FET Feature: Logic Level Gate Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Power - Max: 300mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84DW-7-01-50 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84DW-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS84DW-7-F - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 10ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84DW-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84DW-7-F | Diodes Incorporated | MOSFETs -50V 200mW | на замовлення 313958 шт: термін постачання 301-310 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84DW-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.13A; 0.3W; SOT363 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.3W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84DW-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS84DW-7-F - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 10ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84DW-7-F | Diodes INC. | 2P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ptot, Вт = 0,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 45 @ 25, Rds = 10 Ом @ 100 мA, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 1 мА,... Транзистори Корпус: SC70-6 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84DW-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84DW-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84DW-7-F Код товару: 180540
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BSS84DW-7-F K84.. | DIODES/ZETEX | 2P-MOSFET 50V 130mA 10Ω 300mW BSS84DW-7-F Diodes TBSS84dw кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84DW-7-F K84.. | DIODES/ZETEX | 2P-MOSFET 50V 130mA 10Ω 300mW BSS84DW-7-F Diodes TBSS84dw кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 380 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84DW-7-F K84.. | DIODES/ZETEX | 2P-MOSFET 50V 130mA 10Ω 300mW BSS84DW-7-F Diodes TBSS84dw кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2600 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84DW-7-F-50 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84DW-7-F-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84DW-GK | GOODWORK | Description: 50V 130mA 6@5V SOT-363 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84DW-R1-00001 | Panjit | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84DW-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 450mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84DW-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs Dual P-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84DW-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 60V 0.16A 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84DW-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 450mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 3845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84DWQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.13A; 0.3W; SOT363 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.3W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84DWQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. |

