Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSS84AKMB,315NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 9083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1675+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 1675 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKMB,315NexperiaMOSFETs BSS84AKMB/SOT883B/XQFN3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKMB,315NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKMB,315NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 8930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5227+2.71 грн
5640+2.51 грн
6000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 5227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKMB,315NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS84AKMB,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 4.5 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKQBZNEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS84AKQBZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 270 mA, 3.8 ohm, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKQBZNexperia USA Inc.Description: BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKQBZNexperiaMOSFETs SOT8015 P-CH 50V .27A
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKQBZNexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.27A 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKQBZNEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS84AKQBZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 270 mA, 3.8 ohm, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKQBZNexperia USA Inc.Description: BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKSNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKSAnalog Power Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 0.4A SC70-6
Packaging: Bulk
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
14+22.12 грн
50+15.87 грн
100+12.96 грн
1000+9.90 грн
3000+7.07 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKSNXP2P-MOSFET 50V 160mA 7.5Ω 445mW BSS84AKS,115 BSS84AKS NXP TBSS84aks
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.30 грн
38+19.88 грн
100+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
23+13.13 грн
100+8.22 грн
500+5.70 грн
1000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.03 грн
6000+5.37 грн
9000+4.62 грн
15000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS84AKS,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 160 mA
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 445mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 83649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+31.13 грн
50+19.18 грн
100+12.11 грн
500+8.23 грн
1500+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 234000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.09 грн
6000+5.43 грн
9000+4.67 грн
15000+4.47 грн
21000+3.92 грн
30000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.66 грн
6000+4.04 грн
9000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115NexperiaMOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115NexperiaMOSFETs BSS84AKS/SOT363/SC-88
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.1A; 445mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.1A
Power dissipation: 445mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.35 грн
44+9.73 грн
63+6.74 грн
100+5.46 грн
250+4.87 грн
500+4.50 грн
1000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 234000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.02 грн
6000+5.37 грн
9000+4.60 грн
15000+4.42 грн
21000+3.87 грн
30000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS84AKS,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 160 mA
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 445mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 83649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.11 грн
500+8.23 грн
1500+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.03 грн
6000+5.37 грн
9000+4.62 грн
15000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS/ZLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKT,115NXP USA Inc.Description: MOSFET P-CH 50V 150MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta), 770mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV,115NexperiaMOSFETs BSS84AKV/SOT666/SOT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.17A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.24 грн
8000+7.48 грн
12000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -110mA; Idm: -0.7A; 500mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -110mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -0.7A
Gate charge: 0.35nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.17A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
19+16.15 грн
100+10.15 грн
500+7.08 грн
1000+6.29 грн
2000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS84AKV,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 50 V, 170 mA, 170 mA, 4.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 170mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.17A 6-Pin SOT-666 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.17A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.17A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.22 грн
8000+7.46 грн
12000+7.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS84AKV,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 50 V, 170 mA, 170 mA, 4.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 170mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV115Nexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BSS84AKV - SMALL SI
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKVLNexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKVLNexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3521+2.75 грн
10000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 3521 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKVLNexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 49294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5085+2.78 грн
10000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 5085 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKVLNexperiaMOSFETs SOT23 P-CH 50V .18A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKWNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKWAnalog Power Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 0.174A SC70-3
Packaging: Bulk
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
33+9.28 грн
100+5.69 грн
500+3.89 грн
1000+3.42 грн
3000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS84AKW,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 150 mA, 7.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 260mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
на замовлення 22974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+22.60 грн
59+13.82 грн
100+8.29 грн
500+5.53 грн
1500+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115NXPTransistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 13,5Ohm; 150mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84AKW.115; BSS84AKW,115; BSS84AKW; BSS84AKW,115 TBSS84akw
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.15A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 483000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4505+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 4505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.15A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 11749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3341+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 3341 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.15A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 5779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+11.05 грн
111+6.83 грн
500+4.78 грн
1000+3.77 грн
3000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 50V 150MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.15A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 11749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2227+4.23 грн
3000+3.44 грн
6000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 2227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.15A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS84AKW,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 150 mA, 7.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 260mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
на замовлення 22974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.29 грн
500+5.53 грн
1500+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115NXPTransistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 13,5Ohm; 150mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84AKW.115; BSS84AKW,115; BSS84AKW; BSS84AKW,115 TBSS84akw
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.15A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
у наявності 5779 шт:
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.15A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 483000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.60 грн
6000+3.16 грн
9000+2.50 грн
24000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115NEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.095A; 310mW; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.095A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
на замовлення 32164 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.84 грн
57+7.46 грн
100+4.58 грн
500+3.35 грн
1000+2.88 грн
3000+2.32 грн
6000+2.06 грн
9000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 50V 150MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
39+7.93 грн
100+4.87 грн
500+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115NexperiaMOSFETs BSS84AKW/SOT323/SC-70
на замовлення 6579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.15A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 5779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1272+11.13 грн
2058+6.87 грн
2831+5.00 грн
3326+4.10 грн
4121+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 1272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW-B,115NXP SemiconductorsBSS84AKW-B,115
на замовлення 160514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3116+11.35 грн
10000+10.12 грн
100000+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 3116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW-B,115NXP SemiconductorsBSS84AKW-B,115
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3116+11.35 грн
10000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 3116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW-B115NXPDescription: NXP - BSS84AKW-B115 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 193514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6410+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 6410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW-B115NXP USA Inc.Description: MOSFET P-CH
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW-BXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CHANNEL 50V 150MA SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW.115NexperiaMOSFET P-CH 50V 150MA SOT323 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW/DG/B2,215NXP SemiconductorsBSS84AKW/DG/B2,215
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3116+11.35 грн
10000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 3116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW/DG/B2215NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 pC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Supplier Device Package: SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW/DG/B2215NXPDescription: NXP - BSS84AKW/DG/B2215 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6410+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 6410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DWYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.19 грн
15000+1.96 грн
30000+1.89 грн
60000+1.63 грн
120000+1.49 грн
300000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DWDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DWYangjie Electronic TechnologyBSS84DW
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7143+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 7143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-7-01-50Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS84DW-7-F - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 10ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-7-FDiodes IncorporatedMOSFETs -50V 200mW
на замовлення 313958 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.13A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS84DW-7-F - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 10ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-7-FDiodes INC.2P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ptot, Вт = 0,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 45 @ 25, Rds = 10 Ом @ 100 мA, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 1 мА,... Транзистори Корпус: SC70-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-7-F
Код товару: 180540
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-7-F K84..DIODES/ZETEX2P-MOSFET 50V 130mA 10Ω 300mW BSS84DW-7-F Diodes TBSS84dw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-7-F K84..DIODES/ZETEX2P-MOSFET 50V 130mA 10Ω 300mW BSS84DW-7-F Diodes TBSS84dw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 380 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-7-F K84..DIODES/ZETEX2P-MOSFET 50V 130mA 10Ω 300mW BSS84DW-7-F Diodes TBSS84dw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-7-F-50Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-7-F-52Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-GKGOODWORKDescription: 50V 130mA 6@5V SOT-363
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-R1-00001PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs Dual P-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 60V 0.16A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
17+18.19 грн
100+11.47 грн
500+8.04 грн
1000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DWQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.13A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33  Наступна Сторінка >> ]