Продукція > IPD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD60R380C6BTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 10.6A DPAK-2 CoolMOS C6
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380E6Infineon
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380E6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 10.6A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380E6ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
394+90.02 грн
500+81.02 грн
1000+74.71 грн
Мінімальне замовлення: 394 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380E6ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380E6ATMA2ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD60R380E6ATMA2 - IPD60R380 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 445 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380E6ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
394+90.02 грн
500+81.02 грн
1000+74.71 грн
Мінімальне замовлення: 394 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380E6ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 6650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+69.42 грн
Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380E6BTMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD60R380E6BTMA1 - IPD60R380 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 445 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380E6BTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 10.6A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380E6BTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 7551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
394+90.02 грн
500+81.02 грн
1000+74.71 грн
Мінімальне замовлення: 394 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380E6BTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.12 грн
10+87.28 грн
50+65.86 грн
100+55.32 грн
500+43.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R380P6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.342 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.342ohm
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.52 грн
5000+36.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R380P6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.342 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.342ohm
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 83W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6BTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6BTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 9A DPAK-2 CoolMOS CP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPInfineonMOSFET N-Ch 600V 9A DPAK-2 CoolMOS CP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CP(транзистор)
Код товару: 48539
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+88.74 грн
5000+85.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.52 грн
7500+54.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 27A; 83W; PG-TO252
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CP
Drain current: 5.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252
On-state resistance: 0.385Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 83W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 9A DPAK-2
на замовлення 5248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+138.21 грн
500+124.03 грн
1000+114.71 грн
Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+88.95 грн
5000+85.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
на замовлення 16067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.48 грн
10+126.76 грн
50+96.97 грн
100+81.98 грн
500+66.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD60R385CPATMA1 - IPD60R385 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 1.7A DPAK-2 CoolMOS C6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6InfineonMOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 (DPak) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6
Код товару: 167569
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.30 грн
5000+22.66 грн
10000+21.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R3K3C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 18.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
на замовлення 3230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.11 грн
10+45.99 грн
50+33.97 грн
100+28.24 грн
500+21.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.67 грн
28+27.33 грн
100+24.37 грн
250+22.34 грн
500+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
519+27.33 грн
561+25.27 грн
567+25.02 грн
622+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 519 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R3K3C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 18.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.32 грн
5000+22.67 грн
10000+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 1.7A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.1A; Idm: 4A; 18.1W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 18.1W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6BTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 1.7A DPAK-2 CoolMOS C6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K4CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K4CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.36 грн
10+32.61 грн
100+21.02 грн
500+15.03 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K4CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.94 грн
5000+12.22 грн
7500+12.10 грн
12500+11.55 грн
17500+10.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K4CEAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.6A; 29W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 3.17Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 29W
Gate charge: 4.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K4CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K4CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K4CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K4CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.97 грн
5000+12.26 грн
7500+12.12 грн
12500+11.58 грн
17500+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEATMA1InfineonMOSFET N-CH 600V TO-252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 4025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.3A; Idm: 30A; 112W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 112W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Drain current: 9.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.14 грн
5000+38.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.20 грн
5000+44.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 14.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 16936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.50 грн
10+71.05 грн
100+47.44 грн
500+35.01 грн
1000+31.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.38 грн
143+99.58 грн
235+60.48 грн
252+54.45 грн
1000+44.72 грн
2000+40.00 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14.7 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 112W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
на замовлення 4761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+97.91 грн
156+91.17 грн
217+65.38 грн
250+62.41 грн
500+45.01 грн
1000+35.62 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.38 грн
143+99.58 грн
235+60.48 грн
252+54.45 грн
1000+44.72 грн
2000+40.00 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+125.65 грн
158+90.00 грн
222+63.92 грн
500+48.51 грн
1000+41.61 грн
2500+36.35 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 14.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.69 грн
5000+28.33 грн
7500+27.22 грн
12500+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.94 грн
10+97.91 грн
25+91.17 грн
100+63.04 грн
250+57.79 грн
500+43.21 грн
1000+35.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14.7 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 112W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
на замовлення 4761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.65 грн
10+90.00 грн
100+63.92 грн
500+48.51 грн
1000+41.61 грн
2500+36.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
666+53.28 грн
1000+49.13 грн
Мінімальне замовлення: 666 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.86 грн
5000+39.45 грн
7500+39.07 грн
10000+34.29 грн
12500+31.42 грн
17500+29.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.69 грн
5000+39.29 грн
7500+38.90 грн
10000+34.14 грн
12500+31.31 грн
17500+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.14 грн
5000+38.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R450E6Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R450E6Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R450E6Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R450E6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R450E6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R450E6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 9.2A DPAK-2
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R460CEInfineon technologies
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R460CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 9.1A DPAK-2
на замовлення 3918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R460CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
788+45.02 грн
Мінімальне замовлення: 788 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R460CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9.1A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R460CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
618+57.36 грн
1000+52.90 грн
Мінімальне замовлення: 618 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R460CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
618+57.36 грн
1000+52.90 грн
Мінімальне замовлення: 618 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R460CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R460CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
618+57.36 грн
1000+52.90 грн
Мінімальне замовлення: 618 шт
В кошику  од. на суму  грн.