Продукція > IPD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD60R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.56 грн
5000+22.12 грн
10000+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.17 грн
10+45.01 грн
100+26.30 грн
500+19.95 грн
1000+18.29 грн
2500+15.39 грн
5000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.93 грн
5000+17.25 грн
10000+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SE8228AUMA1Infineon Technologies600V Cool MOS P7 Power Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.11 грн
10+45.69 грн
100+29.94 грн
500+21.77 грн
1000+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+42.55 грн
1000+39.25 грн
Мінімальне замовлення: 833 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.01 грн
10+56.21 грн
100+32.38 грн
500+25.40 грн
1000+22.99 грн
2500+18.71 грн
5000+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+64.15 грн
252+56.35 грн
311+45.72 грн
325+42.15 грн
500+36.07 грн
2500+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R600PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.96 грн
500+31.34 грн
1000+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+42.55 грн
1000+39.25 грн
Мінімальне замовлення: 833 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R600PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.81 грн
11+75.79 грн
100+50.18 грн
500+36.27 грн
1000+30.44 грн
5000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEInfineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEInfineon technologies
на замовлення 5057 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEATMA1InfineonMOSFET N-CH 600V TO-252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 82W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.01 грн
50+56.86 грн
100+37.45 грн
500+27.07 грн
1000+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.41 грн
13+23.26 грн
100+23.02 грн
1000+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
925+38.33 грн
1003+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 925 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+24.32 грн
48+15.85 грн
53+13.81 грн
100+12.77 грн
250+12.13 грн
500+12.01 грн
1000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.17 грн
10+52.24 грн
100+30.03 грн
500+23.33 грн
1000+21.19 грн
2500+16.91 грн
5000+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
925+38.33 грн
1003+35.35 грн
10000+31.52 грн
Мінімальне замовлення: 925 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.74 грн
5000+28.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 82W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.45 грн
500+27.07 грн
1000+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 82W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 19A
Gate charge: 20.5nC
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+46.53 грн
25+41.22 грн
100+40.88 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.04 грн
5000+29.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
980+14.47 грн
991+14.31 грн
1002+13.65 грн
1012+12.51 грн
1234+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 980 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
925+38.33 грн
1003+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 925 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.88 грн
5000+28.86 грн
10000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 (60S650CE)
Код товару: 201269
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R750E6Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R750E6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 5.7A DPAK-2
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R750E6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R750E6BTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252
на замовлення 36500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 662 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEInfineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 5.6A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 5.6A DPAK-2
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD60R800CEATMA1 - IPD60R800 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 5.6A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEATMA1InfineonMOSFET N-CH 600V TO-252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1096+32.36 грн
Мінімальне замовлення: 1096 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.4A; 74W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 74W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17.2nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1096+32.36 грн
Мінімальне замовлення: 1096 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 6862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.23 грн
10+57.16 грн
100+32.65 грн
500+25.68 грн
1000+22.57 грн
2500+16.98 грн
5000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 8.4A; 74W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 74W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17.2nC
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+23.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 4.4A DPAK-2 CoolMOS C6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1
Код товару: 133580
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
685+51.79 грн
1000+47.76 грн
Мінімальне замовлення: 685 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+39.48 грн
365+38.86 грн
371+38.24 грн
377+36.29 грн
500+33.04 грн
1000+31.19 грн
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 3984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.18 грн
10+65.29 грн
100+43.44 грн
500+31.98 грн
1000+29.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.91 грн
5000+34.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.10 грн
20+39.48 грн
25+38.86 грн
100+36.88 грн
250+33.60 грн
500+31.72 грн
1000+31.19 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R950C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.7 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.55 грн
5000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+80.94 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.22 грн
5000+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R950C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.7 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.68 грн
29+28.51 грн
100+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 4.4A DPAK-2
на замовлення 2159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.36 грн
11+31.44 грн
100+26.85 грн
500+26.44 грн
1000+25.68 грн
2500+23.13 грн
5000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
685+51.79 грн
1000+47.76 грн
10000+42.58 грн
Мінімальне замовлення: 685 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6BTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 4.4A DPAK-2 CoolMOS C6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD640N06L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 18A DPAK-2
на замовлення 11316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.43 грн
10+55.73 грн
100+37.21 грн
500+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD640N06L GInfineon
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD640N06LGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD640N06LGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD64CN10N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 569 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD64CN10NGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD650P06NMATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.00 грн
5000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD650P06NMATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -22A; 83W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -22A
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD650P06NMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD650P06NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 22 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.66 грн
500+46.59 грн
1000+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD650P06NMATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V
на замовлення 6946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.69 грн
10+84.21 грн
100+57.02 грн
500+42.57 грн
1000+40.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD650P06NMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.83 грн
10+97.65 грн
100+57.09 грн
500+45.49 грн
1000+41.70 грн
2500+37.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD650P06NMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD650P06NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 22 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.76 грн
50+86.98 грн
100+62.66 грн
500+46.59 грн
1000+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD650P06NMSAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7Infineon
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.18 грн
10+150.05 грн
100+95.96 грн
500+80.08 грн
1000+75.94 грн
2500+69.72 грн
10000+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]