Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF530AONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530AonsemiMOSFETs TO-220 N-Ch A-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530Aonsemi / FairchildMOSFET TO-220 N-Ch A-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530AONSEMIDescription: ONSEMI - IRF530A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.06 грн
12+72.83 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N
Код товару: 30162
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NInternational RectifierN-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NJSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530Nonsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NNXPN-channel TrenchMOS, TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NInfineonN-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NNXP SemiconductorsMOSFETs RAIL IR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NL
Код товару: 121833
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NLPBFInternational RectifierN-channel TrenchMOS, TO262 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NLPBFInfineon / IRMOSFET D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+112.98 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF
Код товару: 50641
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 10,5
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
у наявності: 469 шт
  • 416 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+17.50 грн
10+15.90 грн
100+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBFInternational RectifierHEXFET Power MOSFET, 100V, 17A, 0,09 Ohm, TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
585+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 585 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.55 грн
10+46.82 грн
25+42.87 грн
50+38.50 грн
100+32.61 грн
250+27.65 грн
500+25.30 грн
1000+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 9517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.75 грн
10+85.92 грн
100+49.37 грн
500+38.82 грн
1000+33.17 грн
2000+30.03 грн
5000+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 5055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.09 грн
11+77.88 грн
100+51.32 грн
500+38.58 грн
1000+31.98 грн
5000+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+45.54 грн
338+42.06 грн
500+35.69 грн
1000+31.81 грн
2000+27.94 грн
5000+26.55 грн
10000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 11420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.12 грн
10+62.11 грн
100+41.23 грн
500+30.27 грн
1000+27.57 грн
2000+25.29 грн
5000+22.45 грн
10000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.35 грн
27+28.71 грн
100+28.01 грн
500+25.55 грн
1000+22.98 грн
2000+21.63 грн
5000+21.41 грн
10000+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 920 @ 25, Rds = 90 мОм @ 9 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 70, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+20.44 грн
100+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.25 грн
17+45.65 грн
100+42.17 грн
500+34.50 грн
1000+29.53 грн
2000+26.89 грн
5000+26.62 грн
10000+23.53 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF/IRIR08+;
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSInternational RectifierN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+52.57 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSJSMSEMITransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530NS; IRF530NSTRL; IRF530NSTRR; SP001551118; SP001563332; SP001554040; IRF530NS JSMICRO TIRF530 ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS
Код товару: 117672
1 Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: SMD
у наявності: 28 шт
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+39.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSPBFInternational RectifierHEXFET Power MOSFET, 100V, 17A, 0,09 Ohm, D2PAK (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=100V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.09R, P=70W, T=-55 to 175C).... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSPBFInfineon / IRMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 90mOhms 24.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+124.69 грн
116+122.57 грн
160+88.86 грн
250+84.83 грн
500+67.05 грн
1000+53.34 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 6994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.18 грн
10+94.56 грн
100+64.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 2871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.19 грн
10+105.91 грн
100+70.96 грн
500+59.46 грн
1000+48.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+185.84 грн
111+128.78 грн
155+91.62 грн
500+66.31 грн
800+53.60 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+61.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBFInternational RectifierHEXFET Power MOSFET, 100V, 17A, 0,09 Ohm, D2PAK (SMD) T/R Right Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF
Код товару: 144837
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+61.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 28800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+50.03 грн
1600+44.45 грн
2400+42.55 грн
4000+37.93 грн
5600+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 11040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.71 грн
10+109.21 грн
100+64.87 грн
500+55.02 грн
800+48.74 грн
2400+46.09 грн
4800+43.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.51 грн
10+124.69 грн
25+122.57 грн
100+85.68 грн
250+78.54 грн
500+64.37 грн
1000+53.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 2871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.96 грн
500+59.46 грн
1000+48.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 28800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.04 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+112.98 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 646 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+148.45 грн
10+85.56 грн
20+60.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRR
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRRPBFInfineon / IRMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 90mOhms 24.7nC
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRRPBFInternational RectifierHEXFET Power MOSFET, 100V, 17A, 0,09 Ohm, D2PAK (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRRPBFIR
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N_R4942onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+79.91 грн
187+75.94 грн
250+70.38 грн
500+63.92 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.53 грн
12+72.50 грн
100+60.28 грн
500+50.76 грн
1000+43.43 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Pulsed drain current: 56A
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+95.95 грн
10+48.92 грн
50+43.88 грн
100+41.61 грн
250+38.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 100V 14A N-CH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBFIRF530PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.68 грн
50+48.24 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 100V 14A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.61 грн
50+81.79 грн
100+73.47 грн
500+55.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF-BE3.VISHAYDescription: VISHAY - IRF530PBF-BE3. - MOSFET, N-CH, 100V, 14A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.39 грн
12+71.61 грн
25+67.70 грн
50+59.46 грн
100+51.46 грн
500+48.74 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SSiliconixN-MOSFET 14A 100V 3.7W 0.160? IRF530S IRF530S TIRF530 s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+32.58 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530S
Код товару: 53545
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
Монтаж: SMD
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+26.50 грн
10+23.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 493 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+143.92 грн
10+88.25 грн
50+70.60 грн
100+65.56 грн
250+60.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+160.08 грн
110+129.65 грн
118+120.39 грн
250+107.16 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF530SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.36 грн
10+109.98 грн
100+92.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 100V 14A N-CH MOSFET
на замовлення 1876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.33 грн
10+91.54 грн
100+71.22 грн
500+60.68 грн
1000+53.42 грн
2000+48.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SPBFVishay100V, 14A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF530STRLPBF - MOSFET, N CHANNEL, 100V, 14A, TO-263-3
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+193.07 грн
10+145.01 грн
25+136.05 грн
50+118.77 грн
100+100.55 грн
250+94.97 грн
500+88.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 100V 14 Amp
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.11 грн
10+115.63 грн
100+66.69 грн
500+52.65 грн
800+48.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.89 грн
14+54.52 грн
25+53.97 грн
100+39.70 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 2738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.97 грн
10+108.93 грн
100+74.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.52 грн
1600+52.14 грн
2400+49.99 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]