Продукція > IPD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD65R190C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.2A; 28W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.19Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD65R190C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+195.71 грн
10+123.23 грн
100+98.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+105.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+106.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.43 грн
25+53.57 грн
100+50.84 грн
250+46.31 грн
500+43.73 грн
1000+42.99 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+165.38 грн
500+148.84 грн
1000+137.02 грн
10000+118.46 грн
100000+91.55 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
на замовлення 4215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.77 грн
10+146.58 грн
100+101.76 грн
500+77.55 грн
1000+76.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+54.43 грн
265+53.57 грн
269+52.72 грн
274+50.02 грн
500+45.55 грн
1000+42.99 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+300.64 грн
69+206.68 грн
100+142.77 грн
500+115.48 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+165.38 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1InfineonMOSFET N-CH 650V 13A TO252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+298.57 грн
10+205.26 грн
100+141.79 грн
500+114.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+165.38 грн
500+148.84 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.42 грн
10+154.81 грн
100+89.74 грн
500+74.56 грн
1000+71.11 грн
2500+67.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K0CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 7.2A TO252-3
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K0CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.45 грн
10+65.10 грн
100+50.53 грн
500+46.05 грн
1000+39.35 грн
2500+20.64 грн
5000+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K0CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD65R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.2 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.86ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.01 грн
17+49.93 грн
100+44.70 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K4C6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 3.2A DPAK-2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K4C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K4C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
на замовлення 12335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.87 грн
10+55.49 грн
100+36.76 грн
500+26.95 грн
1000+24.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K4C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K4C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K4C6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 3.2A DPAK-2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K4CFDInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 8.2A DPAK-2
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K4CFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 2.8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K4CFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K4CFDATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K4CFDATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K4CFDATMA2Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K4CFDBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K4CFDBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 8.2A DPAK-2
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K4CFDBTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; 28.4W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 1.4Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28.4W
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K5CEInfineon
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K5CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K5CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 2013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.74 грн
10+130.20 грн
100+80.77 грн
500+67.10 грн
1000+64.13 грн
2500+59.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+260.60 грн
60+237.78 грн
62+230.94 грн
100+200.37 грн
250+177.96 грн
500+159.29 грн
1000+147.92 грн
3000+146.43 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.50 грн
10+117.79 грн
100+81.11 грн
500+62.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.29 грн
10+221.81 грн
25+216.16 грн
100+189.89 грн
250+169.42 грн
500+152.77 грн
1000+142.89 грн
3000+141.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.225Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 63W
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD65R225C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.225 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.63 грн
10+128.06 грн
100+93.43 грн
500+73.14 грн
1000+66.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R250C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 16.1A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R250C6Infineon
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R250C6XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.1A; 208.3W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16.1A
On-state resistance: 0.25Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 208.3W
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R250C6XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 16.1A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R250C6XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 16.1A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 208.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R250E6Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-TO252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R250E6Infineon technologies
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R250E6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 16.1A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R250E6XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 16.1A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R250E6XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 16.1A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R250E6XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 16.1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R250E6XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 16.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+125.21 грн
500+120.49 грн
1000+113.46 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R250E6XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.1A; 208W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16.1A
On-state resistance: 0.25Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 208W
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380C6Infineon
на замовлення 5808 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 10.6A DPAK-2 CoolMOS C6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380C6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380C6BTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380E6Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 5090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+70.57 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380E6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 10.6A DPAK-2 CoolMOS E6
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380E6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380E6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD65R380E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS E6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.91 грн
10+155.44 грн
100+124.84 грн
500+95.73 грн
1000+73.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380E6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 4442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.76 грн
10+99.09 грн
100+67.38 грн
500+50.51 грн
1000+46.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380E6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380E6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380E6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380E6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.11 грн
10+104.79 грн
100+61.72 грн
500+49.08 грн
1000+45.70 грн
2500+42.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380E6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD65R380E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 83W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+124.84 грн
500+95.73 грн
1000+73.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380E6BTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380E6BTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEInfineonMOSFET N-CH 650V 15.1A TO-252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.27 грн
24+32.76 грн
25+32.25 грн
100+30.60 грн
250+27.88 грн
500+26.32 грн
1000+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD65R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.20 грн
14+58.31 грн
100+42.28 грн
500+34.40 грн
1000+29.48 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1InfineonMOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.86 грн
5000+23.09 грн
7500+22.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
433+32.76 грн
440+32.25 грн
447+31.73 грн
454+30.11 грн
500+27.42 грн
1000+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 433 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 9.5A; Idm: 30A; 118W; PG-TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 0.4Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 118W
Pulsed drain current: 30A
Technology: CoolMOS™ CE
Case: PG-TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.38 грн
10000+44.21 грн
15000+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 2271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.12 грн
10+58.99 грн
100+34.59 грн
500+27.48 грн
2500+23.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD65R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.28 грн
500+34.40 грн
1000+29.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 7984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.41 грн
10+60.43 грн
100+40.20 грн
500+29.56 грн
1000+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R420CFDInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 8.7A DPAK-2 CoolMOS CFD2
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R420CFDAATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs COOL MOS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R420CFDAATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R420CFDAATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.85 грн
10+110.31 грн
100+75.68 грн
500+57.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R420CFDATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.7A
On-state resistance: 0.42Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83.3W
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]