Продукція > IRL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 36 40 44 48  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRLMR6401TR A12T..SLKORP-MOSFET 4.3A 12V 1.3W 0.05Ω IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 SLK
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
150+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503
Код товару: 41464
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRIR251 SOT23-6
на замовлення 39402 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 3.2A 100mOhm 6.4nC LogLvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; 1.7W; TSOP6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: TSOP6
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 3.2A
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin Micro T/R
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+9.79 грн
103+7.38 грн
115+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
на замовлення 7220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.25 грн
11+27.78 грн
100+17.81 грн
500+12.67 грн
1000+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin Micro T/R
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
461+30.73 грн
619+22.87 грн
737+19.20 грн
1000+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 461 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin Micro T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.74 грн
6000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin Micro T/R
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.12 грн
28+29.67 грн
100+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1902Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1902TRIR04+ SOT-23-6
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1902TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1902TRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLMS1902TRPBF - IRLMS1902 - PLANAR <40V
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1611+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 1611 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1902TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 20V 3.2A 100mOhm 4.7nC LogLvl
на замовлення 5077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1902TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A MICRO6
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1902TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 3.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2047+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 2047 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(SOT23-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(SOT23-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(SOT23-6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRIR04+
на замовлення 9265 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLMS2002TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.61 грн
500+16.91 грн
1500+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBFMOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 20V 6.5A 30mOhm 15nC Log Lvl
на замовлення 3937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(SOT23-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 6.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 10332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLMS2002TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+38.77 грн
50+25.04 грн
100+18.61 грн
500+16.91 грн
1500+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(SOT23-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBF транзистор
Код товару: 199695
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS4502TRInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS4502TR
Код товару: 106343
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS4502TRIR09+
на замовлення 50918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS4502TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 5.5A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS4502TRPBFIR
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS4802TRIR
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS5703IRSOT-163
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS5703Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS5703/2DOEIR09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS5703PbFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS5703TRIR01+
на замовлення 9098 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS5703TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: Micro6™(SOT23-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS5703TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS5703TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 2.4A MICRO6
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS5703TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 2.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 23109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1864+18.98 грн
10000+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 1864 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS5703TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS5703TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT P-Ch -2.3A 200mOhm 7.2nC LogLvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS5703TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 2.4A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6702Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6702International RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6702IRTO-223
на замовлення 429000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6702PbFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6702TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: Micro6™(SOT23-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6702TR SOT163-2CIR
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6702TR SOT163-2CIR
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6702TR(94-3270)
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6702TRPBF
Код товару: 53730
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6702TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT P-Ch -2.3A 200mOhm 5.8nC LogLvl
на замовлення 4507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6702TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6702TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 2.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6702TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6702TRSOT163-2CIR
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6702TR\2C0QIRFSOT-163
на замовлення 12100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6802International Rectifier/InfineonMOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP FETs - Single 50 mOhm @ 5.1A, 4.5V ,20V,5.6A,1.2V @ 250µA ,16nC @ 5V,1079pF @ 10V,2W,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6802Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6802TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(SOT23-6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6802TRIR99+
на замовлення 13068 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6802TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.6A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.08 грн
10+32.08 грн
100+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.99 грн
21+37.66 грн
25+36.45 грн
50+34.80 грн
100+23.03 грн
250+19.03 грн
500+12.23 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6802TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.16 грн
27+30.16 грн
100+21.62 грн
500+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
354+39.98 грн
539+26.24 грн
638+22.20 грн
1000+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 354 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6802TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT P-Ch -5.6A 50mOhm 11nC Log Lvl
на замовлення 14269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6802TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.6A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6802TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.62 грн
500+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6802TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
388+36.45 грн
392+36.08 грн
549+25.80 грн
637+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 388 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6802TRPBF (IR)
Код товару: 26801
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23-6
Напруга сток-витік Uds, V: 20 V
Струм стоку Id, A: 4,5 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,050 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 1079/11
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+9.00 грн
100+8.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLP3034
Код товару: 99537
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, V: 40 V
Струм стоку Idd, A: 195 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 1,7 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 10315/108
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 5 шт
  • 3 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+186.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLP3034Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLP3034PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 327A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+239.26 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLP3034PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 327A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLP3034PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 327A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+317.88 грн
10+223.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLP3034PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 327A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+491.25 грн
50+415.82 грн
100+262.13 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLP3034PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 327A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+317.69 грн
64+223.00 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLP3034PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 327A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLP3034PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 327A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+239.26 грн
500+227.47 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLP3034PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 327A 1.7mOhm 108nC TO221
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLP3034PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.93 грн
25+183.93 грн
100+162.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLP3034PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLP3034PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 327 A, 0.0014 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 327A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+354.40 грн
10+245.48 грн
100+190.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014SiliconixN-MOSFET 60V 7.7A 200mΩ 2.5W IRLR014 Vishay TIRLR014
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014Infineon / IR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014SiliconixN-MOSFET HEXFET 55V 10A 28W 0.14Ω IRLR014N TIRLR014n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 36 40 44 48  [ Наступна Сторінка >> ]