Продукція > FFS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 14 21 28 35 42 49 56 63 70 76  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FFSB0865AON Semiconductor
на замовлення 635 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 15.4A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 15.4A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 4789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+335.51 грн
10+213.74 грн
100+151.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+182.76 грн
82+174.92 грн
100+174.16 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 15.4A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 15.4A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+123.95 грн
1600+111.81 грн
2400+107.96 грн
4000+100.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+164.90 грн
2400+162.16 грн
4800+158.19 грн
5600+148.26 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.76 грн
10+174.92 грн
100+174.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865AonsemiSiC Schottky Diodes 650V 8A SIC SBD
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.24 грн
10+162.75 грн
100+117.36 грн
500+113.91 грн
800+104.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865BON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 10.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 10.1A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 10.1A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.37 грн
10+162.06 грн
100+131.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865BonsemiSchottky Diodes & Rectifiers 650V 8A SIC SBD GEN1.5
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.40 грн
10+173.86 грн
100+122.19 грн
800+92.51 грн
2400+86.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 10.1A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 10.1A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB0865B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+139.33 грн
500+115.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865B-F085onsemiSiC Schottky Diodes 650V 8A SIC SBD GEN1.5
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+380.15 грн
10+249.28 грн
100+154.64 грн
500+128.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 10.1A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 10.1A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.35 грн
10+232.36 грн
100+187.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB0865B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.08 грн
10+182.83 грн
100+139.33 грн
500+115.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 10.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 10.1A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 10.1A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+173.47 грн
1600+143.04 грн
2400+134.68 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1OMCDescription: OMC - FFSB1 - LED-Lichtband, 400 mm, 36 LED(s), Blau, 12 VDC
tariffCode: 85414100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IP-Schutzart: -
Eingangsspannung: 12VDC
Länge des Lichtstreifens: 400mm
Farbe der Beleuchtung: Blau
Produktpalette: Front Firing Flexistrip
Eingangsleistung: -
productTraceability: No
Anzahl der LEDs: 36LEDs
usEccn: EAR99
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2195.51 грн
5+1753.35 грн
10+1717.91 грн
50+1563.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB10120AonsemiDescription: DIODE SBD 10A 120V D2PAK-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB10120AON SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB10120AonsemiSiC Schottky Diodes SIC TO263 SBD 10A 1 200V
на замовлення 3621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+567.81 грн
10+381.07 грн
100+236.10 грн
500+220.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB10120A-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 21A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 21A
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+686.54 грн
10+566.81 грн
100+472.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB10120A-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB10120A-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 62 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 62nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+644.32 грн
5+544.45 грн
10+444.58 грн
50+368.70 грн
100+298.92 грн
250+292.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB10120A-F085onsemiSiC Schottky Diodes 1200V 10A AUTO SIC SBD
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+579.08 грн
10+392.98 грн
100+268.54 грн
500+243.00 грн
800+227.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB10120A-F085ON SemiconductorAutomotive Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, 1200V Automotive Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, 1200V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB10120A-F085ON Semiconductor
на замовлення 640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB10120A-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 21A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 21A
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+432.80 грн
1600+375.09 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB10120A-F085ON SemiconductorAutomotive Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, 1200V Automotive Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, 1200V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+706.48 грн
10+615.29 грн
25+554.24 грн
100+495.17 грн
250+412.93 грн
500+388.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB10120A-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB10120A-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 62 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 62nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+444.58 грн
50+368.70 грн
100+298.92 грн
250+292.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065AON Semiconductor
на замовлення 640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 14A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+366.57 грн
10+234.46 грн
100+167.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 14A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065AonsemiSiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+384.17 грн
10+251.66 грн
100+154.64 грн
500+129.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065BonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB1065B - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 27 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.06 грн
10+115.98 грн
100+112.76 грн
500+100.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065BonsemiSiC Schottky Diodes 650V 10A SIC GEN1.5
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.47 грн
10+172.27 грн
100+104.93 грн
500+100.79 грн
800+85.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065BonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.11 грн
10+191.16 грн
100+134.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065BON Semiconductor
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 10 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.04 грн
10+154.64 грн
100+144.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B-F085onsemiSiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD G EN1.5
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.98 грн
10+160.37 грн
100+124.95 грн
500+98.72 грн
800+98.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+118.28 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B-F085ON Semiconductor
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 10 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+144.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+335.51 грн
10+212.99 грн
100+150.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1265AON Semiconductor
на замовлення 720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1265AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 14A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1265AonsemiSchottky Diodes & Rectifiers 650V 12A SIC SBD
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+365.65 грн
10+303.27 грн
100+213.32 грн
250+206.41 грн
500+180.18 грн
800+160.85 грн
2400+152.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1265AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 14A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.75 грн
10+253.75 грн
100+182.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB20120AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 32A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz
Current - Average Rectified (Io): 32A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+607.33 грн
10+400.41 грн
100+319.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB20120AonsemiSiC Schottky Diodes SIC TO263 SBD 20A 1 200V
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+630.63 грн
10+426.32 грн
100+295.47 грн
500+251.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB20120AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 32A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz
Current - Average Rectified (Io): 32A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB20120AON Semiconductor
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB20120A-F085ON Semiconductor
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB20120A-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB20120A-F085 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 120 nC, TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 120
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1380.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB20120A-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 32A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz
Current - Average Rectified (Io): 32A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+945.16 грн
10+639.05 грн
100+570.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB20120A-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 32A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz
Current - Average Rectified (Io): 32A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+536.12 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB20120A-F085onsemiSiC Schottky Diodes 1200V 20A AUTO SIC SBD
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+952.79 грн
10+674.01 грн
100+528.11 грн
500+493.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB2065BonsemiSiC Schottky Diodes 650V 20A SIC SBD GEN1.5
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+373.70 грн
10+245.31 грн
100+151.88 грн
500+125.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB2065BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 22.8A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 22.8A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.95 грн
10+213.74 грн
100+152.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB2065BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 22.8A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 22.8A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+124.85 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB2065B-F085onsemiSiC Schottky Diodes Auto SiC Schottky Diode, 650 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+514.65 грн
10+346.14 грн
100+227.81 грн
500+219.53 грн
800+213.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB2065B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB2065B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB2065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 22.8 A, 51 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+353.57 грн
100+268.20 грн
500+189.21 грн
1000+173.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB2065B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.15 грн
10+326.00 грн
100+246.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB2065B-F085ONN
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB2065B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB2065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 22.8 A, 51 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+512.23 грн
10+353.57 грн
100+268.20 грн
500+189.21 грн
1000+173.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB2065BDN-F085ON SemiconductorDiode Schottky 650V 23.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB2065BDN-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 23.6A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 23.6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.15 грн
10+326.00 грн
100+246.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB2065BDN-F085ONN
на замовлення 593 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB2065BDN-F085onsemiSiC Schottky Diodes Auto SiC Schottky Diode, 650 V
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+512.23 грн
10+346.14 грн
100+227.81 грн
500+213.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB2065BDN-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 23.6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 23.6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+209.43 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB3065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 73 A, 74 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85419000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 74nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 73A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+528.34 грн
10+388.20 грн
100+282.69 грн
500+261.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065BonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 73A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 73A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+545.20 грн
10+356.14 грн
100+260.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065BonsemiSiC Schottky Diodes 650V 30A SIC SBD GEN1.5
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+500.96 грн
10+362.81 грн
100+229.88 грн
250+227.81 грн
800+206.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065BonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 73A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 73A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+218.61 грн
1600+204.84 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB3065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 73 A, 74 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85419000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 74nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 73A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+388.20 грн
100+282.69 грн
500+261.01 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065BON Semiconductor
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065B-F085ONSEMICategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 73A; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 73A
Max. off-state voltage: 650V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065B-F085
Код товару: 198094
Додати до обраних Обраний товар
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB3065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 74 nC, TO-263 (D2PAK)
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 650
Anzahl der Pins: 3 Pins
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kapazitive Blindleistung Qc: 74
Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 30
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 73A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 73A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 73A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+605.77 грн
10+397.94 грн
100+292.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065B-F085ON Semiconductor
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 73A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+939.42 грн
18+799.56 грн
25+791.63 грн
100+630.49 грн
250+577.38 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 73A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 73A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+247.39 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB3065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 74 nC, TO-263 (D2PAK)
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Diodenkonfiguration: Einfach
Kapazitive Blindleistung Qc: 74
Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 30
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 650
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 73A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+939.42 грн
10+799.56 грн
25+791.63 грн
100+630.49 грн
250+577.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065B-F085onsemiSiC Schottky Diodes 650V 30A SIC SBD G EN1.5
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.28 грн
10+358.84 грн
100+260.95 грн
500+238.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD-02-01SamtecRibbon Cables / IDC Cables .050" Low Profile Tiger Eye IDC Ribbon Cable Assembly
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD-02-01Samtec Inc.Description: CONN RCPT 4POS IDC 30AWG GOLD
Features: Feed Through
Packaging: Tube
Connector Type: Receptacle
Contact Finish: Gold
Color: Black
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 30 AWG
Number of Positions: 4
Pitch: 0.050" (1.27mm)
Contact Type: Female Socket
Row Spacing: 0.050" (1.27mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Wire Type: Ribbon Cable
Cable Termination: IDC
Number of Rows: 2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD-02-01-SSamtecRibbon Cables / IDC Cables .050" Low Profile Tiger Eye IDC Ribbon Cable Assembly
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD-02-D-02.13-01SamtecRibbon Cables / IDC Cables .050" Low Profile Tiger Eye IDC Ribbon Cable Assembly
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD-02-D-03.94-01SamtecRibbon Cables / IDC Cables .050" Tiger Eye IDC Ribbon Cable Assembly, Socket
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD-02-D-03.94-01Samtec Inc.Description: .050" LOW PROFILE TIGER EYE IDC
Packaging: Bulk
Connector Type: Socket to Socket
Contact Finish: Gold
Color: Gray, Ribbon
Length: 0.328' (100.00mm, 3.94")
Shielding: Unshielded
Number of Positions: 4
Number of Rows: 2
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Cable Termination: IDC
Pitch - Cable: 0.025" (0.64mm)
Pitch - Connector: 0.050" (1.27mm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD-02-D-04.00-01SamtecRibbon Cables / IDC Cables .050" Tiger Eye IDC Ribbon Cable Assembly, Socket
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD-02-D-10.00-01SamtecCable Assembly 0.254m 30AWG 1.27mm 4 to 4 POS IDC Connector to IDC Connector F-F TIGER EYE™ Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD-02-D-10.00-01SamtecCable Assembly 0.254m 30AWG 1.27mm 4 to 4 POS IDC Connector to IDC Connector F-F TIGER EYE™ Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD-02-D-12.00-01SamtecCable Assembly 0.304m 30AWG 1.27mm 4 to 4 POS IDC Connector to IDC Connector F-F TIGER EYE™ Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 14 21 28 35 42 49 56 63 70 76  [ Наступна Сторінка >> ]