Продукція > FFS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 14 21 28 35 42 49 56 63 70 77 79  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FFSB0865AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+164.54 грн
2400+161.80 грн
4800+157.84 грн
5600+147.93 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865AonsemiSiC Schottky Diodes 650V 8A SIC SBD
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.36 грн
10+174.53 грн
100+173.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865AON Semiconductor
на замовлення 635 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 15.4A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 15.4A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 4789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.61 грн
10+215.72 грн
100+153.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+182.36 грн
82+174.53 грн
100+173.78 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 15.4A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 15.4A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+125.09 грн
1600+112.84 грн
2400+108.96 грн
4000+101.54 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 10.1A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 10.1A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865BON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 10.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 10.1A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 10.1A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.22 грн
10+163.56 грн
100+132.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865BonsemiSchottky Diodes & Rectifiers 650V 8A SIC SBD GEN1.5
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 10.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 10.1A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 10.1A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+175.08 грн
1600+144.36 грн
2400+135.93 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB0865B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865B-F085onsemiSiC Schottky Diodes 650V 8A SIC SBD GEN1.5
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB0865B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0865B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 10.1A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 10.1A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.01 грн
10+234.51 грн
100+189.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1OMCDescription: OMC - FFSB1 - LED-Lichtband, 400 mm, 36 LED(s), Blau, 12 VDC
tariffCode: 85414100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IP-Schutzart: -
Eingangsspannung: 12VDC
Länge des Lichtstreifens: 400mm
Farbe der Beleuchtung: Blau
Produktpalette: Front Firing Flexistrip
Eingangsleistung: -
productTraceability: No
Anzahl der LEDs: 36LEDs
usEccn: EAR99
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB10120AonsemiSiC Schottky Diodes SIC TO263 SBD 10A 1 200V
на замовлення 3621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB10120AonsemiDescription: DIODE SBD 10A 120V D2PAK-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB10120AON SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB10120A-F085ON Semiconductor
на замовлення 640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB10120A-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 21A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 21A
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+436.80 грн
1600+378.56 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB10120A-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB10120A-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 62 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 62nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB10120A-F085ON SemiconductorAutomotive Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, 1200V Automotive Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, 1200V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+704.91 грн
10+613.92 грн
25+553.01 грн
100+494.07 грн
250+412.01 грн
500+388.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB10120A-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB10120A-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 62 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 62nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB10120A-F085onsemiSiC Schottky Diodes 1200V 10A AUTO SIC SBD
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB10120A-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 21A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 21A
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+692.89 грн
10+572.05 грн
100+476.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB10120A-F085ON SemiconductorAutomotive Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, 1200V Automotive Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, 1200V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065AonsemiSiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 14A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065AON Semiconductor
на замовлення 640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 14A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.96 грн
10+236.62 грн
100+168.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065BonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.90 грн
10+192.92 грн
100+135.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065BON Semiconductor
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB1065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 27 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85419000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065BonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB1065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 27 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85419000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065BonsemiSiC Schottky Diodes 650V 10A SIC GEN1.5
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.61 грн
10+214.96 грн
100+152.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B-F085onsemiSiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD G EN1.5
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 10 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+119.37 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B-F085ON Semiconductor
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 10 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1265AonsemiSchottky Diodes & Rectifiers 650V 12A SIC SBD
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1265AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 14A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+397.39 грн
10+256.10 грн
100+184.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1265AON Semiconductor
на замовлення 720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1265AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 14A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB20120AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 32A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz
Current - Average Rectified (Io): 32A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB20120AON Semiconductor
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB20120AonsemiSiC Schottky Diodes SIC TO263 SBD 20A 1 200V
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB20120AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 32A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz
Current - Average Rectified (Io): 32A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+612.94 грн
10+404.11 грн
100+322.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB20120A-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB20120A-F085 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 120 nC, TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 120
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB20120A-F085onsemiSiC Schottky Diodes 1200V 20A AUTO SIC SBD
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB20120A-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 32A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz
Current - Average Rectified (Io): 32A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+541.08 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB20120A-F085ON Semiconductor
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB20120A-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 32A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz
Current - Average Rectified (Io): 32A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+953.90 грн
10+644.96 грн
100+575.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB2065BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 22.8A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 22.8A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+126.00 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB2065BonsemiSiC Schottky Diodes 650V 20A SIC SBD GEN1.5
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB2065BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 22.8A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 22.8A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.04 грн
10+215.72 грн
100+153.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB2065B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+504.78 грн
10+329.01 грн
100+249.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB2065B-F085ONN
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB2065B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB2065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 22.8 A, 51 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB2065B-F085onsemiSiC Schottky Diodes Auto SiC Schottky Diode, 650 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB2065B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB2065B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB2065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 22.8 A, 51 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB2065BDN-F085ONSEMICategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 23.6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 23.6A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Max. forward voltage: 1.75V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB2065BDN-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 23.6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 23.6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+211.37 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB2065BDN-F085ON SemiconductorDiode Schottky 650V 23.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB2065BDN-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 23.6A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 23.6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+504.78 грн
10+329.01 грн
100+249.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB2065BDN-F085ONN
на замовлення 593 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB2065BDN-F085onsemiSiC Schottky Diodes Auto SiC Schottky Diode, 650 V
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065BON Semiconductor
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB3065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 73 A, 74 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85419000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 74nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 73A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065BonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 73A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 73A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 4154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+563.56 грн
10+367.73 грн
100+268.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065BonsemiSiC Schottky Diodes 650V 30A SIC SBD GEN1.5
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB3065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 73 A, 74 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85419000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 74nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 73A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065BonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 73A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 73A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+225.73 грн
1600+211.51 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065B-F085ON Semiconductor
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB3065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 74 nC, TO-263 (D2PAK)
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 650
Anzahl der Pins: 3 Pins
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kapazitive Blindleistung Qc: 74
Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 30
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 73A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+937.34 грн
18+797.79 грн
25+789.87 грн
100+629.09 грн
250+576.10 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 73A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 73A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+255.45 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065B-F085onsemiSiC Schottky Diodes 650V 30A SIC SBD G EN1.5
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 73A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+937.34 грн
10+797.79 грн
25+789.87 грн
100+629.09 грн
250+576.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065B-F085
Код товару: 198094
Додати до обраних Обраний товар
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB3065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 74 nC, TO-263 (D2PAK)
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Diodenkonfiguration: Einfach
Kapazitive Blindleistung Qc: 74
Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 30
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 650
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 73A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 73A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 73A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+625.48 грн
10+410.90 грн
100+302.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065B-F085ONSEMICategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 73A; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 73A
Max. off-state voltage: 650V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD-02-01Samtec Inc.Description: CONN RCPT 4POS IDC 30AWG GOLD
Features: Feed Through
Packaging: Tube
Connector Type: Receptacle
Contact Finish: Gold
Color: Black
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 30 AWG
Number of Positions: 4
Pitch: 0.050" (1.27mm)
Contact Type: Female Socket
Row Spacing: 0.050" (1.27mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Wire Type: Ribbon Cable
Cable Termination: IDC
Number of Rows: 2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD-02-01SamtecRibbon Cables / IDC Cables .050" Low Profile Tiger Eye IDC Ribbon Cable Assembly
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD-02-01-SSamtecRibbon Cables / IDC Cables .050" Low Profile Tiger Eye IDC Ribbon Cable Assembly
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD-02-D-02.13-01SamtecRibbon Cables / IDC Cables .050 Low Profile Tiger Eye IDC Ribbon Cable Assembly
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD-02-D-03.94-01SamtecRibbon Cables / IDC Cables .050" Tiger Eye IDC Ribbon Cable Assembly, Socket
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD-02-D-03.94-01Samtec Inc.Description: .050" LOW PROFILE TIGER EYE IDC
Packaging: Bulk
Connector Type: Socket to Socket
Contact Finish: Gold
Color: Gray, Ribbon
Length: 0.328' (100.00mm, 3.94")
Shielding: Unshielded
Number of Positions: 4
Number of Rows: 2
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Cable Termination: IDC
Pitch - Cable: 0.025" (0.64mm)
Pitch - Connector: 0.050" (1.27mm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD-02-D-04.00-01SamtecRibbon Cables / IDC Cables .050" Tiger Eye IDC Ribbon Cable Assembly, Socket
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD-02-D-10.00-01SamtecCable Assembly 0.254m 30AWG 1.27mm 4 to 4POS IDC Connector to IDC Connector F-F TIGER EYE™ Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 14 21 28 35 42 49 56 63 70 77 79  [ Наступна Сторінка >> ]