Продукція > HGT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
HGTG11N120CNonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 43A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/180ns
Switching Energy: 400µJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 960V, 11A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 43 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CNonsemi / FairchildIGBT Transistors 43A 1200V N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CNON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+225.12 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CNFairchild SemiconductorDescription: IGBT NPT 1200V 43A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/180ns
Switching Energy: 400µJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 960V, 11A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 43 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+167.21 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CNON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+225.12 грн
500+213.33 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CNON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+225.12 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CNDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+315.50 грн
60+306.41 грн
120+295.31 грн
270+277.72 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CNDONS/FAITO-247 1200 V 43 A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CNDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+331.19 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CNDON-SemiconductorTransistor IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;   HGTG11N120CND THGTG11n120cnd
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+229.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CNDONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG11N120CND - IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 43A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+493.40 грн
10+283.68 грн
100+262.55 грн
500+224.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CNDonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 43A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/180ns
Switching Energy: 950µJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 960V, 11A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 43 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CNDonsemiIGBTs 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dd
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CND
Код товару: 63369
Додати до обраних Обраний товар
FAIRТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, V: 1200 V
Напруга насичення Vce, V: 2,1 V
Струм колектора Ic при 25°C, A: 43 A
Струм колектора Ic при 100°C, A: 22 A
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°C, ns: 23/180
товару немає в наявності
1+103.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CNDON-SemiconductorTransistor IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;   HGTG11N120CND THGTG11n120cnd
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+229.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60A4
на замовлення 9826 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60A4onsemiDescription: IGBT 600V 54A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60A4Donsemi / FairchildIGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60A4DONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG12N60A4D - IGBT, 54 A, 2.7 V, 167 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 54A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.70 грн
10+182.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60A4DON-SemiconductorTransistor IGBT ; 600V; 20V; 54A; 96A; 167W; 5.6V; 120nC; -55°C~150°C;   HGTG12N60A4D THGTG12n60a4d
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60A4DonsemiIGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60A4D
Код товару: 31158
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, V: 600 V
Напруга насичення Vce, V: 2,7 V
Струм колектора Ic при 25°C, A: 54 A
Струм колектора Ic при 100°C, A: 23 A
Розсіювана потужність Pd при 25°C, W: 167 W
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°C, ns: 17/96
у наявності: 9 шт
  • 7 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 20 шт
  • 20 шт - очікується 05.07.2026
1+260.00 грн
10+242.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60A4DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+405.98 грн
10+336.69 грн
25+322.91 грн
50+282.21 грн
100+234.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60A4DONS/FAI600V, SMPS Series N-Channel IGBT, TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60A4DonsemiDescription: IGBT 600V 54A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60A4D_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V, SMPS SERIES NCH IGBT W/ ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60B3onsemiDescription: IGBT 600V 27A TO-247-3
Power - Max: 104 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 51 nC
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Switching Energy: 150µJ (on), 250µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60B3DHarris CorporationDescription: HGTG12N27600UN-CHANNIGWIANTI-PAR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60C3Donsemi / FairchildIGBTs 24a 600V IGBT UFS N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60C3DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60C3DHarris CorporationDescription: IGBT 600V 24A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 380µJ (on), 900µJ (off)
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+347.84 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60C3DTE Connectivity
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60C3DHARRISHGTG12N60C3D
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+487.95 грн
100+463.20 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60C3D TO-247
Код товару: 109889
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60C3DRHarris CorporationDescription: UFS SERIES N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60D1DHARRISHGTG12N60D1D
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+733.10 грн
100+696.57 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60D1DHARRISHGTG12N60D1D
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+733.10 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60D1DHARRISHGTG12N60D1D
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+733.10 грн
100+696.57 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60D1DHarris CorporationDescription: IGBT 600V 21A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+521.76 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60DIDHARRISHGTG12N60DID
на замовлення 15378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+365.37 грн
102+347.69 грн
500+328.84 грн
1000+300.04 грн
10000+260.98 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60DIDHarris CorporationDescription: 24A, 600V, RUGGED, UFS SERIES N
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 15378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+260.54 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG15N1203DHarris CorporationDescription: 35A, 1200V, UFS SERIES N-CHANNEL
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG15N120C3Harris CorporationDescription: IGBT 1200V 35A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+336.64 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG15N120C3HARRISHGTG15N120C3
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+462.02 грн
100+438.45 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG18N120BNonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 54A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 800µJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 960V, 18A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 165 A
Power - Max: 390 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG18N120BNonsemi / FairchildIGBT Transistors 54A 1200V N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG18N120BNON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG18N120BNDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG18N120BNDONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG18N120BND - IGBT, 54 A, 2.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 54A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+388.54 грн
10+380.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG18N120BNDonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 54A TO-247-3
Power - Max: 390 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 165 nC
Test Condition: 960V, 18A, 3Ohm, 15V
Switching Energy: 1.9mJ (on), 1.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG18N120BNDONS/FAIIGBT 1200V 54A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG18N120BNDonsemi / FairchildIGBT Transistors 54A 1200V N-Ch w/Ant Parallel Hyprfst Dde
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG18N120BND_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors 1200V,54A,NPT SERIES NCH IGBT W/ ANTI-PARALLEL HYPERFAST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG18N120BN_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors PWR IGBT 36A 1200V N-CHANNEL NPT TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG201N100E2Harris CorporationDescription: HGTG201N100E2
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N100D2Harris CorporationDescription: IGBT 1000V 34A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.1V @ 10V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 163 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 150 W
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+697.34 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N100D2HARRISHGTG20N100D2
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+993.58 грн
100+944.08 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N120C3DHarris CorporationDescription: 45A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Power - Max: 208 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Part Status: Active
Gate Charge: 186 nC
Test Condition: 960V, 20A, 3Ohm, 15V
Switching Energy: 2.25mJ (on), 1.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/110ns
Supplier Device Package: TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N120CNonsemi / FairchildIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N120CNDonsemi / FairchildIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N50C1DHARRISHGTG20N50C1D
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+820.32 грн
100+779.07 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N50C1DHarris CorporationDescription: IGBT 500V 26A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 26 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+584.20 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N50C1DHARRISHGTG20N50C1D
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+820.32 грн
100+779.07 грн
500+737.82 грн
1000+672.83 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N50C1DHARRISHGTG20N50C1D
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+820.32 грн
100+779.07 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+322.95 грн
10+309.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4
Код товару: 32885
Додати до обраних Обраний товар
FAIRТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, V: 600 V
Напруга насичення Vce, V: 1,8 V
Струм колектора Ic при 25°C, A: 70 A
Струм колектора Ic при 100°C, A: 40 A
Розсіювана потужність Pd при 25°C, W: 290 W
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°C, ns: 15/73
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+230.00 грн
10+215.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4onsemiDescription: IGBT 600V 70A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/73ns
Switching Energy: 105µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4onsemi / FairchildIGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4D
Код товару: 29312
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, V: 600 V
Напруга насичення Vce, V: 1,8 V
Струм колектора Ic при 25°C, A: 70 A
Струм колектора Ic при 100°C, A: 40 A
Розсіювана потужність Pd при 25°C, W: 290 W
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°C, ns: 15/73
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+240.00 грн
10+220.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4DONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG20N60A4D - IGBT, 70 A, 2.7 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 290W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+538.92 грн
10+440.56 грн
100+347.90 грн
500+274.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4D
Код товару: 221454
Додати до обраних Обраний товар
VbsemiТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Напруга колектор-емітер Vces, V: 600 V
Напруга насичення Vce, V: 1,8 V
Струм колектора Ic при 25°C, A: 70 A
Струм колектора Ic при 100°C, A: 40 A
Розсіювана потужність Pd при 25°C, W: 290 W
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°C, ns: 15/73
товару немає в наявності
очікується: 20 шт
  • 20 шт - очікується 25.07.2026
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4DonsemiDescription: IGBT 600V 70A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/73ns
Switching Energy: 105µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4DONS/FAIIGBT N-CH SMPS 600V 70A TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4DonsemiIGBTs 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4D
Код товару: 206983
Додати до обраних Обраний товар
Alfa@OmegaТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Напруга колектор-емітер Vces, V: 600 V
Напруга насичення Vce, V: 1,8 V
Струм колектора Ic при 25°C, A: 70 A
Струм колектора Ic при 100°C, A: 40 A
Розсіювана потужність Pd при 25°C, W: 290 W
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°C, ns: 15/73
у наявності: 2 шт
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+260.00 грн
10+240.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4D_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V, SMPS SERIES NCH IGBT W/ ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors PWR IGBT 45A / 600V SMPS N-CH TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3
Код товару: 63371
Додати до обраних Обраний товар
FAIRТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, V: 600 V
Напруга насичення Vce, V: 2,1 V
Струм колектора Ic при 25°C, A: 40 A
Струм колектора Ic при 100°C, A: 20 A
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°C, ns: 25/220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3onsemiDescription: IGBT 600V 40A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Switching Energy: 475µJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3N/A09+
на замовлення 4518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3onsemi / FairchildIGBTs 600V N-Channel IGBT UFS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+306.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3Harris CorporationDescription: IGBT 600V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 475µJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W
на замовлення 2057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+260.54 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+263.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3-FSFairchild SemiconductorDescription: IGBT 600V 40A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W
на замовлення 42154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+260.54 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3DTE Connectivity
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3D
Код товару: 28558
1 Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, V: 600 V
Напруга насичення Vce, V: 1,8 V
Струм колектора Ic при 25°C, A: 40 A
Струм колектора Ic при 100°C, A: 20 A
Розсіювана потужність Pd при 25°C, W: 165 W
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°C, ns: 25/220
у наявності: 29 шт
  • 18 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+195.00 грн
10+184.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+413.52 грн
10+390.61 грн
25+374.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3DonsemiDescription: IGBT 600V 40A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Switching Energy: 475µJ (on), 1.05mJ (off)
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3DonsemiIGBTs 600V IGBT UFS N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3DONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG20N60B3D - IGBT, 40 A, 1.8 V, 165 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+517.78 грн
5+467.39 грн
10+416.18 грн
50+360.03 грн
100+307.95 грн
250+275.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3D_Qonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V IGBT UFS N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3_NLFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 40A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3_Qonsemi / FairchildIGBTs 600V N-Channel IGBT UFS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60C3onsemi / FairchildIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60C3FAIRCHILD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60C3DonsemiDescription: IGBT 600V 45A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/151ns
Switching Energy: 500µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 91 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 164 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]