Продукція > IPD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPD046N08N5 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD046N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 65µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 45A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD046N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD046N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD046N08N5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD046N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 4000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm | на замовлення 974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD046N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD046N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 45A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 65µA | на замовлення 7418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD046N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD046N08N5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD046N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 4000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm | на замовлення 974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD047N03LF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 71A TO-252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V | на замовлення 1564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD047N03LF2SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD047N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 71 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V Verlustleistung: 65W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm | на замовлення 3616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD047N03LF2SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency | на замовлення 1979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD047N03LF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 71A TO-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD047N03LF2SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD047N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 71 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V Verlustleistung: 65W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm | на замовлення 3616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD047N03LF2SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 71A; 65W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 71A Power dissipation: 65W Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD048N06L3 G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD048N06L3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD048N06L3G | Infineon technologies | на замовлення 14 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IPD048N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-311 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V | на замовлення 7308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD048N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD048N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD048N06L3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD048N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | на замовлення 3204 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD048N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-311 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD048N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 90 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 8400 @ 30, Qg, нКл = 50, Rds = 4,8 мОм, Ugs(th) = 2,2 В, Р, Вт = 115, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TO-252-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 2500 шт | на замовлення 55 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD048N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD048N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD048N06L3GBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD048N06L3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD048N06L3GBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD04N03L | infineon | 07+ to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD04N03LA | infineon | to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD04N03LA G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD04N03LA G | INFINEON | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD04N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 25V 50A DPAK-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD04N03LA G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD04N03LAG | infineon | to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD04N03LB G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD04N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD04N03LB G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD04N03LBG | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD04N03LBG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD050N03L G | Infineon Technologies | Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD050N03L G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3 | на замовлення 9979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD050N03LGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Power dissipation: 68W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | на замовлення 1132 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD050N03LGATMA1 | UMW | Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD050N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 3216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD050N03LGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 68W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm | на замовлення 4871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD050N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD050N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3 | на замовлення 4694 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD050N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V | на замовлення 4783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD050N03LGATMA1 | UMW | Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK | на замовлення 1817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD050N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD050N03LGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 68W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm | на замовлення 4871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD050N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD050N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD050N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD050N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD050N10N5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm | на замовлення 2246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD050N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD050N10N5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm | на замовлення 2246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD050N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V | на замовлення 8721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD050N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD050N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS | на замовлення 5524 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD050N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD050N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD050N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Part Status: Discontinued at Digi-Key Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD050N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD052N10NF2SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD052N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 118 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 118A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD052N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 118A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V | на замовлення 3412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD052N10NF2SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD052N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 118 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 118A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD052N10NF2SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD052N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 118A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD052N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >80 - 100V | на замовлення 1458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD053N06N | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 45A DPAK-2 | на замовлення 1613 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD053N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 90A DPAK-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD053N06N3GBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD053N06N3GBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V | на замовлення 7331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 140000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 6968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 6968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD053N06NATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 83W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm | на замовлення 19850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 45A DPAK-2 | на замовлення 3279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 140000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD053N06NATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 83W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm | на замовлення 19850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD053N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD053N08N3 G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD053N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4088 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD053N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD053N08N3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; 150W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 90A Power dissipation: 150W Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPD053N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPD053N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|