Продукція > IPD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 12 16 20 24 28 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD048N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.34 грн
5000+38.87 грн
7500+37.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.78 грн
5000+45.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 5144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.92 грн
10+85.74 грн
100+50.12 грн
500+39.69 грн
1000+36.10 грн
2500+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3GBTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3GBTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+62.34 грн
250+59.85 грн
500+57.68 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD04N03Linfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD04N03LAinfineonto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD04N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD04N03LA GINFINEON09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD04N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD04N03LA GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 50A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD04N03LAGinfineonto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD04N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD04N03LB GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD04N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD04N03LBGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
348+57.38 грн
Мінімальне замовлення: 348 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD04N03LBGinfineonto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03L GInfineon TechnologiesDescription: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03L GInfineon
на замовлення 129200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03L GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 3784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.45 грн
10+77.17 грн
100+43.84 грн
500+34.45 грн
1000+30.31 грн
2500+25.68 грн
5000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.26 грн
18+46.15 грн
100+38.10 грн
500+29.99 грн
1000+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+56.89 грн
252+56.32 грн
314+45.19 грн
317+43.14 грн
500+34.60 грн
1000+32.89 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 4281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.74 грн
10+61.62 грн
100+40.86 грн
500+29.99 грн
1000+27.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+89.49 грн
11+40.30 грн
100+32.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1UMWDescription: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.56 грн
10+44.87 грн
100+29.32 грн
500+21.24 грн
1000+19.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+71.18 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.97 грн
500+29.17 грн
1000+26.72 грн
5000+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.78 грн
14+56.89 грн
25+56.32 грн
100+43.58 грн
250+39.94 грн
500+33.22 грн
1000+32.89 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 4846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.51 грн
10+52.95 грн
100+33.69 грн
500+28.44 грн
1000+26.23 грн
2500+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1UMWDescription: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGBTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.69 грн
10+130.80 грн
100+90.34 грн
500+68.54 грн
1000+65.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+249.67 грн
50+148.19 грн
100+102.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+402.43 грн
56+256.63 грн
69+207.24 грн
100+187.06 грн
200+172.12 грн
500+147.69 грн
1000+137.36 грн
2000+134.26 грн
2500+133.22 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+127.25 грн
500+106.95 грн
1000+84.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+97.85 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 6762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.43 грн
10+135.76 грн
100+84.22 грн
500+70.41 грн
1000+65.31 грн
2500+61.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD052N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.38 грн
10+130.20 грн
100+78.01 грн
500+62.96 грн
1000+58.75 грн
2000+56.68 грн
4000+54.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD052N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 1673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.20 грн
10+103.06 грн
100+70.58 грн
500+53.19 грн
1000+49.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD052N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD052N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 118 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.37 грн
500+63.05 грн
1000+53.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD052N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 3542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.18 грн
10+111.88 грн
100+76.62 грн
500+57.74 грн
1000+53.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD052N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+54.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD052N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD052N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 118 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.68 грн
10+124.03 грн
100+85.37 грн
500+63.05 грн
1000+53.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 45A DPAK-2
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.61 грн
10+95.27 грн
100+55.43 грн
500+44.94 грн
1000+41.97 грн
2500+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 90A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06N3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06N3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.12 грн
10+113.07 грн
100+69.10 грн
500+54.55 грн
1000+50.28 грн
2500+47.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 19850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.65 грн
500+43.45 грн
1000+36.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+163.25 грн
125+113.84 грн
204+69.58 грн
500+54.93 грн
1000+50.62 грн
2500+48.11 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 6381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.36 грн
10+82.56 грн
100+55.75 грн
500+41.55 грн
1000+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
328+43.35 грн
Мінімальне замовлення: 328 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 19850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.20 грн
50+87.79 грн
100+60.65 грн
500+43.45 грн
1000+36.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.42 грн
25+46.95 грн
100+42.80 грн
250+39.23 грн
500+37.54 грн
1000+37.41 грн
3000+37.28 грн
6000+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+53.75 грн
265+53.63 грн
266+53.39 грн
1000+51.26 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 45A DPAK-2
на замовлення 3429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.91 грн
10+104.00 грн
100+60.54 грн
500+49.36 грн
1000+44.25 грн
2500+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+161.51 грн
92+155.36 грн
100+150.08 грн
250+140.33 грн
500+126.40 грн
1000+118.38 грн
2500+115.77 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3 GInfineon
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 47896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.43 грн
10+140.52 грн
100+88.36 грн
500+73.87 грн
1000+71.80 грн
2500+67.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V
на замовлення 11755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.53 грн
10+78.45 грн
100+77.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+109.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.90 грн
10+116.81 грн
25+115.64 грн
100+102.55 грн
250+94.86 грн
500+84.73 грн
1000+74.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1Infineon
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+87.27 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+105.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD053N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 8018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.10 грн
10+131.28 грн
100+96.65 грн
500+77.03 грн
1000+65.31 грн
5000+60.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+119.31 грн
134+106.44 грн
138+103.13 грн
200+98.64 грн
500+85.33 грн
1000+78.37 грн
2000+76.95 грн
2500+76.25 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD055N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.50 грн
10+80.18 грн
100+51.64 грн
500+46.94 грн
1000+45.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD055N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.97 грн
10+107.84 грн
100+73.54 грн
500+55.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD055N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD055N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 98 A, 0.0047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.78 грн
10+109.53 грн
100+77.88 грн
500+65.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD055N08NF2SATMA1
Код товару: 199783
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD055N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD055N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 98 A, 0.0047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.88 грн
500+65.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD05N03
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD05N03LAinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD05N03LA GINFINEON09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD05N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 12 16 20 24 28 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]