Продукція > IPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP023NE7N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 302 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP023NE7N3 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP023NE7N3 G IPP023NE7N3G | Infineon | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP023NE7N3G | Infineon technologies | на замовлення 14 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP023NE7N3G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP023NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP023NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V | на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP023NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 4568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP023NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP023NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP023NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 4568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP023NE7N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP023NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP023NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP023NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP024N06N3G | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V | на замовлення 1151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP024N06N3G | Infineon technologies | на замовлення 24 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP024N06N3GHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP024N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 7248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP024N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP024N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP024N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP024N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 7250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP024N06N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A Power dissipation: 250W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP024N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP024N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP024N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube | на замовлення 996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP024N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 182A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 139µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V | на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP024N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube | на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP024N08NF2SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 182A; 214W; TO220-3 Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 182A Gate charge: 89nC On-state resistance: 2.4mΩ Power dissipation: 214W Case: TO220-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP024N08NF2SAKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP024N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 182 A, 2100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 182A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 214W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm | на замовлення 889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP024N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP024N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube | на замовлення 256000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP024N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP024N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP024N08NF2SAKMA1 IPP024N08NF2S | Infineon | N-Channel 80 V 28A (Ta), 182A (Tc) 3.8W (Ta), 214W (Tc) TO-220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP026N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP026N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | на замовлення 164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP026N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH PG-TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 70A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 121A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP026N04NF2SAKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP026N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 121A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP026N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP026N10NF2S | Infineon Technologies | IFX FET >80 - 100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP026N10NF2S | Infineon Technologies | IPP026N10NF2S | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP026N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP026N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP026N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 184A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V | на замовлення 1027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP026N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP026N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP026N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP026N10NF2SAKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP026N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 184 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 184A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm | на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP026N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >80 - 100V | на замовлення 1368 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP026N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP026N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP026N10NF2SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 184A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 184A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 103nC Kind of channel: enhancement | на замовлення 26 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP026N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP027N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP027N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP027N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP027N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP027N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP027N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP027N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP027N08N5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP027N08N5XKSA1 | Infineon Technologies | IPP027N08N5XKSA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP027N08N5XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET > 60-80V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP028N08N3 G | Infineon | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP028N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 100A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP028N08N3G | IFX | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP028N08N3GHKSA1 | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP028N08N3GHKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP028N08N3GHKSA1 - IPP028N08 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP028N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP028N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP028N08N3GXKSA1 | Infineon | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP028N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 6748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP028N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP028N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 6748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP028N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP028N08N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP028N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP028N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 11500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP029N06N | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 100A TO220-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP029N06N | Infineon technologies | на замовлення 8 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP029N06NAK5A1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP029N06NAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP029N06NAKSA1 Код товару: 178126
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP029N06NAKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP029N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 136W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP029N06NAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP029N06NAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 100A TO220-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP029N06NAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP029N06NXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS Power-Transistor,60V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP029N06NXKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 75µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP029N06NXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP029N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0029 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP029N15NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 197A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 1468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP029N15NM6AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 1713 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP030N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP030N06NF2SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP030N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP030N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP030N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP030N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP030N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | на замовлення 1061 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP030N06NF2SAKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP030N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 119 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 119A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

