Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 29  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPP023NE7N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+479.21 грн
10+396.95 грн
25+325.84 грн
100+279.59 грн
250+263.71 грн
500+247.83 грн
1000+220.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023NE7N3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023NE7N3 G IPP023NE7N3GInfineonMOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023NE7N3GInfineon technologies
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023NE7N3GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.90 грн
50+181.10 грн
100+178.91 грн
500+163.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+450.20 грн
10+420.52 грн
100+366.09 грн
500+316.14 грн
1000+265.02 грн
2500+251.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.97 грн
10+409.65 грн
25+335.51 грн
100+288.56 грн
250+271.99 грн
500+251.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+377.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+647.23 грн
25+581.57 грн
100+476.47 грн
500+391.12 грн
1000+318.15 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023NE7N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP023NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.04 грн
10+113.56 грн
100+111.95 грн
500+102.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+548.01 грн
10+500.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GInfineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+106.21 грн
Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GInfineon technologies
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+200.72 грн
500+198.71 грн
1000+196.72 грн
2500+187.79 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+258.54 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+222.89 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+201.65 грн
500+199.63 грн
1000+197.64 грн
2500+188.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+390.17 грн
3+311.61 грн
10+250.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 28A Tube
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+191.70 грн
85+168.54 грн
88+161.68 грн
102+134.74 грн
250+118.70 грн
500+108.74 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 139µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.55 грн
50+111.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 28A Tube
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+239.77 грн
74+193.99 грн
100+180.73 грн
500+154.53 грн
1000+133.40 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N08NF2SAKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 182A; 214W; TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 182A
Gate charge: 89nC
On-state resistance: 2.4mΩ
Power dissipation: 214W
Case: TO220-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N08NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP024N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 182 A, 2100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 182A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+267.39 грн
10+136.92 грн
100+125.64 грн
500+89.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 28A Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 28A Tube
на замовлення 256000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+127.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 28A Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+75.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 28A Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N08NF2SAKMA1 IPP024N08NF2SInfineonN-Channel 80 V 28A (Ta), 182A (Tc) 3.8W (Ta), 214W (Tc) TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.39 грн
10+96.06 грн
100+64.82 грн
500+54.68 грн
1000+44.46 грн
2000+41.90 грн
5000+39.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH PG-TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 121A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N04NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP026N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.14 грн
10+102.29 грн
100+71.36 грн
500+47.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SInfineon Technologies IFX FET >80 - 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SInfineon TechnologiesIPP026N10NF2S
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+575.33 грн
26+550.61 грн
50+529.63 грн
100+493.40 грн
250+442.99 грн
500+413.70 грн
1000+403.57 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+191.36 грн
500+181.91 грн
1000+171.28 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 184A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.08 грн
50+160.28 грн
100+145.69 грн
500+112.74 грн
1000+105.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+241.11 грн
60+238.71 грн
100+219.62 грн
500+164.67 грн
1000+150.91 грн
2000+144.13 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+230.02 грн
100+213.14 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP026N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 184 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 184A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+339.07 грн
10+189.27 грн
100+159.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+398.67 грн
10+257.22 грн
100+167.06 грн
500+139.45 грн
1000+129.09 грн
2000+121.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+191.36 грн
500+181.91 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.59 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SAKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 184A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 184A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+226.02 грн
10+138.77 грн
20+132.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.85 грн
50+239.45 грн
100+220.31 грн
500+165.18 грн
1000+151.39 грн
2000+144.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+340.21 грн
57+248.89 грн
60+236.34 грн
100+178.07 грн
250+158.87 грн
500+145.51 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+272.16 грн
71+200.34 грн
100+199.40 грн
1000+176.78 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.73 грн
10+245.61 грн
25+233.22 грн
100+175.72 грн
250+156.78 грн
500+143.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP027N08N5XKSA1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP028N08N3 GInfineon
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP028N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+347.13 грн
10+202.44 грн
100+153.26 грн
500+137.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP028N08N3GIFX
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP028N08N3GHKSA1Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP028N08N3GHKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP028N08N3GHKSA1 - IPP028N08 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP028N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP028N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+225.62 грн
500+213.81 грн
1000+201.99 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP028N08N3GXKSA1Infineon
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP028N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+433.64 грн
10+429.35 грн
25+421.94 грн
50+263.31 грн
100+226.66 грн
250+215.38 грн
500+168.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP028N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP028N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+434.79 грн
34+427.28 грн
52+266.65 грн
100+229.53 грн
250+218.11 грн
500+170.21 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP028N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP028N08N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP028N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+433.30 грн
10+321.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP028N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+653.83 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TO220-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NInfineon technologies
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NAK5A1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NAKSA1
Код товару: 178126
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP029N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+190.07 грн
10+170.74 грн
25+154.64 грн
100+127.89 грн
500+96.65 грн
1000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TO220-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.02 грн
50+102.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS Power-Transistor,60V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NXKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 75µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP029N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0029 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+276.25 грн
10+162.69 грн
100+120.00 грн
500+102.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N15NM6AKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 197A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+629.07 грн
50+483.41 грн
100+412.20 грн
500+356.91 грн
1000+356.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N15NM6AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+541.23 грн
10+387.42 грн
100+286.49 грн
500+243.69 грн
1000+222.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+57.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N06NF2SAKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+57.27 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+64.24 грн
6000+58.70 грн
9000+54.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+58.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.52 грн
10+86.53 грн
100+61.16 грн
500+48.32 грн
1000+48.25 грн
2000+38.52 грн
5000+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N06NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP030N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 119 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.83 грн
11+74.18 грн
100+66.45 грн
500+48.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 29  Наступна Сторінка >> ]