Продукція > IPP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPP023N08N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+409.15 грн
10+262.82 грн
50+206.28 грн
100+176.52 грн
500+146.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N08N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP023N08N5XKSA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N08N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5Infineon
на замовлення 21500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 120A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP023N10N5AKSA1 - MOSFET, N-KANAL, 100V, 120A, TO-220-3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 120A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+619.31 грн
500+281.06 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5AKSA1
Код товару: 215527
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+619.31 грн
500+281.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 56230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+302.91 грн
500+287.58 грн
1000+271.08 грн
10000+246.63 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+302.91 грн
500+287.58 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5AKSA1InfineonIPP023N10N5AKSA1 MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Транзистори
на замовлення 12 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
2+501.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP023N10N5XKSA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP023N10N5XKSA1
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+351.77 грн
11000+322.99 грн
16500+302.11 грн
22000+276.22 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP023N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+474.21 грн
50+242.83 грн
100+222.20 грн
500+174.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP023N10N5XKSA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023NE7N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023NE7N3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023NE7N3 GInfineonIPP023NE7N3 G IPP023NE7N3G MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023NE7N3GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023NE7N3GInfineon technologies
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+449.20 грн
10+419.59 грн
100+365.28 грн
500+315.44 грн
1000+264.43 грн
2500+250.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023NE7N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP023NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+376.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.58 грн
10+184.32 грн
50+142.88 грн
100+121.56 грн
500+99.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+645.79 грн
25+580.28 грн
100+475.41 грн
500+390.25 грн
1000+317.45 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+546.79 грн
10+499.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GInfineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+107.19 грн
Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+257.97 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+201.21 грн
500+199.19 грн
1000+197.20 грн
2500+188.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+393.78 грн
3+314.49 грн
10+252.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+229.60 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+200.27 грн
500+198.26 грн
1000+196.28 грн
2500+187.37 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
на замовлення 247615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+124.05 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 28A Tube
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+239.23 грн
74+193.56 грн
100+180.33 грн
500+154.19 грн
1000+133.10 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N08NF2SAKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 182A; 214W; TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 182A
Gate charge: 89nC
On-state resistance: 2.4mΩ
Power dissipation: 214W
Case: TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 28A Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 139µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.12 грн
10+154.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 28A Tube
на замовлення 256000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+126.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N08NF2SAKMA1InfineonIPP024N08NF2SAKMA1 IPP024N08NF2S N-Channel 80 V 28A (Ta), 182A (Tc) 3.8W (Ta), 214W (Tc) TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 28A Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+75.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 28A Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N08NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP024N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 182 A, 2100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 182A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 28A Tube
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+191.28 грн
85+168.17 грн
88+161.32 грн
102+134.44 грн
250+118.43 грн
500+108.50 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N04NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP026N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SInfineon Technologies IFX FET >80 - 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SInfineon TechnologiesIPP026N10NF2S
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+574.06 грн
26+549.39 грн
50+528.46 грн
100+492.30 грн
250+442.00 грн
500+412.78 грн
1000+402.68 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+188.58 грн
500+177.97 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+169.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 184A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.93 грн
10+205.30 грн
50+159.94 грн
100+136.39 грн
500+112.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+354.47 грн
68+209.69 грн
100+185.35 грн
500+146.34 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+169.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+188.58 грн
500+177.97 грн
1000+168.54 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+361.19 грн
67+213.20 грн
100+188.48 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.61 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+397.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+355.59 грн
10+210.46 грн
50+210.35 грн
100+185.93 грн
500+146.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SAKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 184A; 250W; TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 184A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 250W
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+242.95 грн
3+171.92 грн
10+150.96 грн
50+134.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP026N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 184 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 184A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+361.19 грн
10+213.30 грн
50+213.20 грн
100+188.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+152.76 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+363.14 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP027N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+152.76 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+363.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP027N08N5XKSA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP027N08N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP027N08N5XKSA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP028N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP028N08N3G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP028N08N3GHKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP028N08N3GHKSA1 - IPP028N08 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.