Продукція > IPU

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPU80R2K8CEAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
на замовлення 14499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
586+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 586 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R2K8CEBKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R2K8CEBKMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 800V 1.9A IPAK-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R2K8CEBKMA1
Код товару: 105297
Додати до обраних Обраний товар
InfineonТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, V: 800 V
Струм стоку Idd, A: 1,9 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 290/12
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
1+38.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R3K3P7AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R3K3P7AKMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R3K3P7AKMA1 - IPU80R3K3 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
908+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 908 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R3K3P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R3K3P7AKMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.43 грн
10+54.54 грн
100+31.62 грн
500+26.51 грн
1000+24.78 грн
1500+20.23 грн
4500+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R4K5P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
на замовлення 1514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.89 грн
75+31.70 грн
150+28.17 грн
525+21.72 грн
1050+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R4K5P7AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+51.15 грн
324+43.83 грн
341+41.58 грн
500+37.48 грн
1000+32.59 грн
1500+31.18 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R4K5P7AKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.28 грн
10+33.58 грн
100+26.03 грн
500+21.40 грн
1000+18.16 грн
1500+15.81 грн
4500+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R4K5P7AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R4K5P7AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R4K5P7AKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPU80R4K5P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 13W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.65 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R600P7AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R600P7AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R600P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.39 грн
10+90.57 грн
100+72.09 грн
500+57.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R600P7AKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R750P7Infineon TechnologiesInfineon LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R750P7AKMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 140-149 дні (днів)
3+113.56 грн
10+92.09 грн
100+62.06 грн
500+52.60 грн
1000+51.78 грн
1500+42.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R750P7AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R750P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.28 грн
10+87.13 грн
100+67.73 грн
500+53.87 грн
1500+43.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R750P7AKMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R750P7AKMA1 - IPU80R750 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R750P7AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R750P7AKMA1-NDInfineon TechnologiesDescription: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO-251-3-341
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
420+55.14 грн
Мінімальне замовлення: 420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R900P7AKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPU80R900P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.28 грн
14+59.76 грн
100+52.59 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R900P7AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R900P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.51 грн
75+46.85 грн
150+41.98 грн
525+32.88 грн
1050+30.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R900P7AKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.28 грн
10+57.80 грн
100+45.08 грн
500+37.62 грн
1000+34.17 грн
1500+31.82 грн
4500+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R900P7AKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.12 грн
10+64.48 грн
75+53.18 грн
150+49.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R900P7AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R1K2P7AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.96 грн
10+99.54 грн
25+97.79 грн
100+72.48 грн
500+56.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R1K2P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R1K2P7AKMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.67 грн
10+59.14 грн
100+43.56 грн
500+42.87 грн
1000+42.59 грн
1500+42.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R1K2P7AKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPU95R1K2P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.81 грн
11+76.67 грн
100+52.91 грн
500+40.83 грн
1000+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R2K0P7AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.11 грн
20+39.42 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R2K0P7AKMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU95R2K0P7AKMA1 - IPU95R2K0P7 950V COOLMOS N-CHANNEL POWE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
568+41.64 грн
Мінімальне замовлення: 568 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R2K0P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 4A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
на замовлення 23457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
405+49.64 грн
Мінімальне замовлення: 405 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R2K0P7AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R2K0P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 4A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R2K0P7AKMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 621-630 дні (днів)
3+109.53 грн
10+96.85 грн
100+66.20 грн
500+54.54 грн
1000+42.52 грн
1500+39.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R3K7P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 2A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.20 грн
75+39.46 грн
150+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R3K7P7AKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 2153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.45 грн
10+42.39 грн
100+32.93 грн
1000+25.68 грн
1500+23.68 грн
4500+23.54 грн
10500+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R3K7P7AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.83 грн
100+34.15 грн
500+30.89 грн
1000+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R3K7P7AKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPU95R3K7P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 22W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.70 грн
18+46.07 грн
100+41.16 грн
500+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R450P7Infineon TechnologiesInfineon LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R450P7AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R450P7AKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPU95R450P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.38 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.93 грн
10+104.70 грн
100+89.40 грн
500+63.34 грн
1000+54.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R450P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 14A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 400 V
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.91 грн
75+93.92 грн
150+85.02 грн
525+67.91 грн
1050+62.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R450P7AKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+181.21 грн
10+143.69 грн
100+91.82 грн
500+74.56 грн
1000+69.03 грн
1500+67.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R450P7AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+271.03 грн
10+199.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R750P7Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R750P7AKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPU95R750P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 73W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R750P7AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
238+59.73 грн
Мінімальне замовлення: 238 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R750P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R750P7AKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 73W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+223.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R750P7AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+56.77 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R750P7AKMA1InfineonMOSFET N-CH 950V 9A TO251-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R750P7AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R750P7AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.52 грн
25+99.97 грн
100+89.97 грн
500+74.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R750P7AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+75.98 грн
188+75.60 грн
200+71.62 грн
1000+66.23 грн
1500+63.50 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R750P7AKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R750P7AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
375+56.66 грн
Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPUD3340151M-10Laird Performance MaterialsPower Inductors - SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPUH6N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPUH6N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPUNAB18WPG16FITTIPUNAB18WPG16F
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+9994.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPUSB-180029-01AITT Cannon, LLCDescription: CUSTOM IPUSB
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPUSB-180029-02AITT Cannon, LLCDescription: CUSTOM IPUSB
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPUSB-2AABHDITT Cannon, LLCDescription: ADAPTER USB A RCPT TO USB A RCPT
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount, Bulkhead - Front Side Nut
Convert From (Adapter End): USB-A (USB TYPE-A), Receptacle
Convert To (Adapter End): USB-A (USB TYPE-A), Receptacle
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPUSB-2BABHDITT Cannon, LLCDescription: ADAPTER USB B RCPT TO USB A RCPT
Part Status: Active
Convert To (Adapter End): USB-A (USB TYPE-A), Receptacle
Convert From (Adapter End): USB-B (USB TYPE-B), Receptacle
Mounting Type: Panel Mount, Bulkhead - Front Side Nut
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPUSB-2JAFLITT Cannon, LLCDescription: JACK, PNL USB W 2.0 A/0.5M FL
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPUSB-2JAFLPEI-GenesisDescription: JACK, PNL USB W 2.0 A/0.5M FL
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPUSB-2JAPCSure-SealDescription: JACK, PNL USB W 2.0 A/PC TAIL
Features: Circular Threaded Coupling
Packaging: Box
Voltage - Rated: 30V
Number of Contacts: 4
Connector Type: USB-A (USB TYPE-A)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Panel Mount, Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 80°C
Specifications: USB 2.0
Termination: Solder
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Bulkhead - Front Side Nut; Vertical
Mating Cycles: 1000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+744.79 грн
10+594.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPUSB-2JBFLPEI-GenesisDescription: JACK, PNL USB W 2.0 B/0.5M FL
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPUSB-2JBPCITT Cannon, LLCDescription: CONN RCPT USB2.0 TYPEB 4POS PCB
Features: Circular Threaded Coupling
Packaging: Bulk
Number of Contacts: 4
Connector Type: USB-B (USB TYPE-B)
Gender: Receptacle
Mounting Type: Panel Mount, Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 2.0
Termination: Solder
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Bulkhead - Front Side Nut
Number of Ports: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPUSB-2WJAPA-05MPEI-GenesisDescription: CA, USB A W PNL / A STD 0.5M
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPUSB-2WJAPA-1MITT Cannon, LLCDescription: CA, USB A W PNL / A STD 1M
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPUSB-2WJAPA-1MPEI-GenesisDescription: CA, USB A W PNL / A STD 1M
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPUSB-2WJAPA-3MPEI-GenesisDescription: CA, USB A W PNL / A STD 3M
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPUSB-2WJAPA-5MITT Cannon, LLCDescription: CA, USB A W PNL / A STD 5M
Transfer Rate: 480Mbps
Specifications: USB 2.0
Configuration: A Female to A Male (Circular Coupling)
Shielding: Shielded
Wire Gauge: 24 AWG, 28 AWG
Length: 16.40' (5.00m)
Color: Black
Features: Data Transfer and Charge, Industrial Environments - IP67, Panel Mount
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPUSB-2WJBPA-05MPEI-GenesisDescription: CA, USB B W PNL / A STD 0.5M
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPUSB-2WJBPA-05MITT Cannon, LLCDescription: CA, USB B W PNL / A STD 0.5M
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPUSB-2WJBPA-1MITT Cannon, LLCDescription: CA, USB B W PNL / A STD 1M
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPUSB-2WJBPA-1MPEI-GenesisDescription: CA, USB B W PNL / A STD 1M
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPUSB-2WJBPA-2MITT Cannon, LLCDescription: CA, USB B W PNL / A STD 2M
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPUSB-2WJBPA-2MPEI-GenesisDescription: CA, USB B W PNL / A STD 2M
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPUSB-2WJBPA-3MPEI-GenesisDescription: CA, USB B W PNL / A STD 3M
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPUSB-2WPAPB-1MITT Cannon, LLCDescription: CA, USB AP W / B STD 1M
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPUSB-2WPAPB-1MPEI-GenesisDescription: CA, USB AP W / B STD 1M
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPUSB-2WPAPB-2MITT Cannon, LLCDescription: CA, USB AP W / B STD 2M
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPUSB-2WPAPB-2MPEI-GenesisDescription: CA, USB AP W / B STD 2M
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPUSB-2WPAWPB-1MITT Cannon, LLCDescription: CA, USB AP W / BP W 1M
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPUSB-2WPAWPB-1MPEI-GenesisDescription: CA, USB AP W / BP W 1M
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPUSB-2WPAWPB-2MPEI-GenesisDescription: CA, USB AP W / BP W 2M
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPUSB-2WPAWPB-2MITT Cannon, LLCDescription: CA, USB AP W / BP W 2M
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPUSB-2WPBPB-1MPEI-GenesisDescription: CA, USB BP W / B STD 1M
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPUSB-2WPBPB-1MITT Cannon, LLCDescription: CA, USB BP W / B STD 1M
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPUSB-2WPBPB-2MPEI-GenesisDescription: CA, USB BP W / B STD 2M
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPUSB-2WPBPB-2MITT Cannon, LLCDescription: CA, USB BP W / B STD 2M
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]