Продукція > IPW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V Power Dissipation (Max): 481W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R045 | INFINEON | SMD | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R045C | на замовлення 1440 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPW60R045CP Код товару: 105994
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPW60R045CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP | на замовлення 84 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R045CPA | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA | на замовлення 314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R045CPA | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R045CPAFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R045CPAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 431W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R045CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R045CPAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R045CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 431W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R045CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R045CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R045CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R045CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 4088 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R045CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 4088 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R045CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R045CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R045CPFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R045CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 431W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R045CPFKSA1 Код товару: 211767
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPW60R045CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R045CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R045CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP | на замовлення 338 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R045CPFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 431W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Power dissipation: 431W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ CP | на замовлення 11 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R045CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 431W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V | на замовлення 1292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R045CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R045CPXK | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R045P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R045P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R045P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 201W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R045P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R045P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 462480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R045P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R045P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 201W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V | на замовлення 1803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R045P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R045P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R045P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R045P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 402 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R055CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R055CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 178W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R055CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R055CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R055CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R055CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R055CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.046 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 178W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R055CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 11040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R055CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R055CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R055CM8XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R055CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 44 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R055CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R055CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R055CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPW60R055CM8XKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 18.2A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 400 V | на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R060C7 | Infineon Technologies | Description: IPW60R060 - 600V COOLMOS N-CHANN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Power Dissipation (Max): 162W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R060C7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R060C7XKSA1 Код товару: 161478
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | на замовлення 248 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 195 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V Power Dissipation (Max): 162W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R060C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R060C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 162W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R060P7 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R060P7 | Infineon | на замовлення 117090 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPW60R060P7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V Power Dissipation (Max): 164W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V | на замовлення 1325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R060P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 164W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R060P7XKSA1 Код товару: 192082
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPW60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R0706P | Infineon Technologies | Description: 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER MOS Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R070C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6 | на замовлення 826 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R070C6FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R070C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 391W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R070C6FKSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 600V 53A TO247 Транзистори | на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R070C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; 391W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 53A Power dissipation: 391W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 53A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25.8A, 10V Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.72mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 100 V | на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6 | на замовлення 102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 3068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 16743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R070CFD7 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 156W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 156W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.129Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 67nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R070CFD7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R070CFD7 : SP001617990 IPW60R070CFD7XKSA1 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 15.1A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V | на замовлення 824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1086 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 239 шт В кошику од. на суму грн. |

