Продукція > IPW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R041C6FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R041C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77.5 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 481W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm | на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R041C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3 Transistor: N-MOSFET On-state resistance: 41mΩ Mounting: THT Power dissipation: 481W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ C6 Drain current: 77.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO247-3 | на замовлення 23 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R041P6 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R041P6 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R041P6 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R041P6 | Infineon technologies | на замовлення 230 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPW60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R041P6FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R041P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77.5 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 481W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm | на замовлення 181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R041P6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3 Transistor: N-MOSFET On-state resistance: 41mΩ Mounting: THT Power dissipation: 481W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ P6 Drain current: 77.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V Power Dissipation (Max): 481W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R045 | INFINEON | SMD | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R045C | на замовлення 1440 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R045CP Код товару: 105994
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPW60R045CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R045CPA | Infineon | IPW60R045CPA MOSFETs N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R045CPA | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA | на замовлення 262 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R045CPA | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R045CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R045CPAFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R045CPAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 431W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm | на замовлення 431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R045CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R045CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R045CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R045CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R045CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R045CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 431W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R045CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R045CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R045CPAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R045CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R045CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R045CPFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 431W; PG-TO247-3 Transistor: N-MOSFET On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Power dissipation: 431W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ CP Drain current: 60A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO247-3 | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R045CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 431W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V | на замовлення 1377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R045CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R045CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP | на замовлення 3882 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R045CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R045CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R045CPFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R045CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 431W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm | на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R045CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R045CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R045CPFKSA1 Код товару: 211767
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPW60R045CPXK | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R045P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R045P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R045P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R045P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 201W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R045P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R045P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 473 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R045P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 422160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R045P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 61A; 201W; TO247 Transistor: N-MOSFET On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Power dissipation: 201W Gate charge: 90nC Polarisation: unipolar Drain current: 61A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 650V Case: TO247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R045P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 201W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V | на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R045P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R055CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R055CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 433 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R055CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R055CFD7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R055CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 178W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R055CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R055CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R055CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 6720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R055CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 14340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R055CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R055CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.046 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 178W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm | на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R055CFD7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Transistor: N-MOSFET | на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R055CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R055CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R055CM8XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R055CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 44 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm | на замовлення 151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R055CM8XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 44A; 227W; TO247-3 Transistor: N-MOSFET On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Power dissipation: 227W Gate charge: 51nC Technology: CoolMOS™ Drain current: 44A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Application: automotive industry Gate-source voltage: 20V Case: TO247-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R055CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R055CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor | на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R055CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R055CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPW60R055CM8XKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 18.2A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 400 V | на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R055CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R060C7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R060C7 | Infineon Technologies | Description: IPW60R060 - 600V COOLMOS N-CHANN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Power Dissipation (Max): 162W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R060C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R060C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 162W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm | на замовлення 537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R060C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; 162W; TO247-3 Transistor: N-MOSFET On-state resistance: 52mΩ Mounting: THT Power dissipation: 162W Gate charge: 68nC Polarisation: unipolar Drain current: 35A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Case: TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V Power Dissipation (Max): 162W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R060C7XKSA1 Код товару: 161478
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 195 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R060P7 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R060P7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R060P7 | Infineon | на замовлення 117090 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPW60R060P7XKSA1 Код товару: 192082
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPW60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R060P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 164W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm | на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

