Продукція > MOT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MOT20N50W | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To247s Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 260W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT211 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MOT22N65HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 650V 22A 0.35 To220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 52W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT2301AB2 | MOT | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 100mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Substitute: TSM2301ACX; MOT2301AB2 MOT2301 SOT23 MOT TTSM2301cx MOT кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT2302AB2 | MOT- | Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 70mOhm; 3A; 900mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: BSS205N; BSS205NH6327; (MOT2302AB2 non-Automotive grade); KI2300; PT2302B; BSS205NH6327XTSA1; MOT2302AB2; RC2302A; BSS806NH6327XTSA1; MOT2302AB2 SOT23(T/R) MOT TMOT2302A кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT2302B2 | MOT- | Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 2A; 600mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: MOT2302B2; PT2302B; MOT2302B2 SOT23 MOT TMOT2302B2 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT2305B2 | MOT | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,83W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6402TR; IRLML2244TR; DMP2305U-7; SI2305; FDN304P; MOT2305B2 SOT23 MOT TIRLML6402 MOT кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT2310B2 | MOT- | 60V 3A 1.7W 3V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs Similar to: SI2308BDS-T1-E3; RC2310A; MOT2310B2; LGE2308; YFW3N06; TSM2308CX RFG; MOT2310B2 SOT23 MOT TMOT2310B2 MOT кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT2312B2 | MOT | Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 28mOhm; 6,8A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6244; MOT2312; IRLML6244TR; MOT2312B2; LGE8810; PT2312; YFW3416; MOT2312B2 SOT23 MOT TIRLML6244 MOT кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT25N50N | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 500V 25A 0.2 To247 Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT25N50W | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 500V 25A 0.21 To247s Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 297W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 30 V | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT2620J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N+P-CH 20V 20A 9m PDFN3x Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 13W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 704pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT28N50HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 500V 28A 0.20 To220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 55W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT28N50Q | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 500V 28A 0.2 To3PB Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 312.5W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PB Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT28N50Q | MOT | N-Channel 500V 28A 479W TO-3PB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MOT28N60HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 600V 28A 0.24 To220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 50W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT2N | VELLEMAN | Description: VELLEMAN - MOT2N - DC-Motor, 6 VDC, 14500 rpm, 46.2 gcm, 5.94 W, 23.8 mm tariffCode: 85011099 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Nennleistung: 5.94W Außenlänge: 30.5mm isCanonical: Y Motorgröße: 23.8mm Drehmoment, max.: 46.2gcm Drehzahl, max.: 14500rpm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) DC-Motor: - Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, V DC: 6VDC | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT2N65A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 650V 2A 2.9 To220 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT2N7002 | MOT | Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; similar to: 2N7002L; 2N7002-7-F; BSS138LT1G; NX3008NBKW; MOT2N7002 SOT-23 T2N7002 MOT кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT3021 | MOT | 09+ TSSOP16 | на замовлення 1225 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MOT3024 | SILICON | 06PB | на замовлення 735000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MOT3054 | FREESCALE | на замовлення 24647 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| MOT3054-RW | на замовлення 2306 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MOT30N06D | MOT- | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2705; IRLR2705TR; IRLR2705TRL; IRLR2705-GURT; IRLR2705; YFW50N06AD; MOT30N06D; DH300N08D; IRLR2705TR MOT TIRLR2705 MOT кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT30N06D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 60V 30A 20m To-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 50W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 938 pF @ 20 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT30N10BD | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 100V 30A 32m To-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 54W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT31137M | Seeed Studio | Power Management IC Development Tools 6-Ch High Current driver 1X3 Kit v1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MOT3400AB2 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT3400AB2 | MOT- | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 40mOhm; 5,8A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6346; MOT3400AB2 SOT23 MOT TMOT3400AB2 MOT кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT3400AB2 | MOT | TRANSISTOR MOT3400AB2 ODPOWIEDNIK: IRLML6346TR; YJL3400B; AOS AO3400; MOT3400AB2; BSS306NH6327XTSA1; RC2304A; YFW3404B; PT3404; BSS306N-VB; LGE3404; MOT3400A3-5.8A SOT-23 TAO3400 MOT кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT3401AA3 | MOT- | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 75mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C~150°C; Similar to: AO3401; MOT3401AA3 SOT23 MOT TMOT3401AA3 MOT кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT3401AA3 | MOT | TRANSISTOR P-Channel 30V 4A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount SOT-23-3 ODPOWIEDNIK: AOS AO3401; MOT3401AA3 SOT-23 TAO3401 MOT кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 5800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT3407A3 | MOT- | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 4,1A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Similar to: AO3407A; MOT3407A3; KO3407; LGE3407; RC3407; PT3407; MOT3407A3 SOT23(T/R) MOT TMOT3407A3 MOT кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT3415A3 | MOT | 30V 7A 25mOhm@10V 1.6W 2.5V@250uA 1 N-Channel SOT-23A-3L Single FETs, MOSFETs Equivalent: AO3419; MOT3415A3 (with ESD) SOT23 MOT TAO3419 MOT кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT3728J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET P-CH 30V 10A 25m PDFN3x3 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 20W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 821 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT3N | VELLEMAN | Description: VELLEMAN - MOT3N - DC-Motor, 12 VDC, 11500 rpm, 62.5 gcm, 5.617 W, 27.9 mm tariffCode: 85011099 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Außenlänge: 32.6mm Nennleistung: 5.617W isCanonical: Y Motorgröße: 27.9mm Drehmoment, max.: 62.5gcm Drehzahl, max.: 11500rpm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) DC-Motor: - Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, V DC: 12VDC | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT3N150V | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 1500V 3A 6 To3PF Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 90W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT4287986C01 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MOT4435BS | MOT- | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm; 9,1A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Similar to: IRFR7404TR; IRF7404; IRF7404-GURT; MOT4435BS SOIC-8 MOT TMOT4435BS MOT кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT4606S | MOT- | Transistor N+P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 27mOhm; 6,5A/-7A; 2W; -55°C ~ 150°C; LTB:31-JULY-2024; Equivalent: IRFR7404TR; IRF7404; IRF7404-GURT; MOT4606S SOIC-8 MOT TMOT4606S MOT кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 600 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT4618D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N+P-CH 40V 28A/-25A 16m Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 38W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT4733J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET P-CH 40V 15A 33m PDFN3x3 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 25W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 928 pF @ 20 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT4813827A57(M181 | на замовлення 353 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MOT4813827A57(M1818) | на замовлення 353 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MOT4886741H01 | TOSHIBA | на замовлення 2980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| MOT4N65C | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To251 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 75W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V | на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT4N65D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To252 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 75W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT4N65F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 30W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT4N65T | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.4m Toll-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 75W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TOLL-8L Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT4N70D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 700V 4A 3 To252 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 50W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT4N70F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 700V 4A 3 To220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 30W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT50N03BD | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 40W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT50N03C | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-251 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 50W Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 12 V | на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT50N03D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 40W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT50N04D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8m To-252 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT50N06C | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m To-251 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 75W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V | на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT50N06D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m To-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 75W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT50N06D | MOT- | Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 75W; -55°C ~ 150°C; Similar to: IRLR2905ZTR; IRLR3636TR; YJD50N06A; AOD442; MOT50N06D TO252 MOT TMOT50N06D MOT кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT5186420W01 | SKYWORKS | 0643+ QFN | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MOT5186836W01 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MOT55N06B | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 60V 55A m To-220 Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 100W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1478 pF @ 30 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT55N06B | MOT- | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 22mOhm; 55A; 100W; -55°C ~ 150°C; Similar to: FQP50N06; IRLZ44N; STP55NF06; MOT55N06B TO220 MOT TMOT55N06B MOT кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT5809674G13 | MINI | на замовлення 517 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| MOT5N50F | MOT- | Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 1,85Ohm; 5A; 30W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; MOT5N50F TO-220F MOT T5N50F MOT кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT5N50MD | MOT- | Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 2,2Ohm; 5A; 50W; -55°C ~ 150°C; Similar to: IRFR420TR; MOT5N50MD TO-252 MOT TMOT5N50MD MOT кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT5N65A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 650V 5A 2.1 To220 Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 25 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT5N65F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 650V 5A 2 To220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 30W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 25 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT60N02D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 20V 60A 6.5m To-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V Power Dissipation (Max): 40W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MOT60N03D | MOT- | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 60A; 45W; -55°C ~ 150°C; Similar to: IRLR8729TR; MOT60N03D TO252 MOT TMOT60N03D MOT кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT6111G | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 60V 226A 2m PDFN5x6 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 147W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT62693-52 | MOT | 9949+ | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MOT62693-52(SI3014KSR) | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MOT62693-52/SI3014KSR | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MOT62693-52SI3014KSR | CAUTION | 1999 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MOT62693-53 | CAUTION | 2000 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MOT62693-54 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MOT6269351 | на замовлення 29256 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MOT6269352 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MOT6269353 | N/A | на замовлення 270 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| MOT6269354 | на замовлення 19496 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MOT6269363 | на замовлення 404 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MOT629351 | на замовлення 29256 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MOT6515G | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m PDFN5x6 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 75W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT6522G | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 60V 35A 15m PDFN5x6 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 42W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 612 pF @ 20 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT65R099HF | MOT | 650V 40A 99mOhm@10V 35W 4V@0.25mA TO-220F Single FETs, MOSFETs Equivalent: ONSEMI FCPF099N65S3; MOT65R099F TO-220F T65R099F MOT кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT65R099KN | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 650V 40A 0.099 To-24 Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 357W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT65R190HKF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 650V 20A 0.15 To-220 Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 37W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT65R380F | MOT | 650V 11A 31.8W 330mOhm@10V,5.5A 4.5V TO-220F Single FETs, MOSFETs Equivalent: ONSEMI FCPF380N65FL1; MOT65R380F TO-220F MOT T65R380F MOT кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT65R850F | MOT | 650V 4A 20W 850mOhm@10V, TO-220F Single FETs, MOSFETs ; SUPER JUNCTION N-CHANNEL MOSFET ODPOWIEDNIK: ONSEMI FCPF850N65Z; MOT65R850F TO-220F MOT T65R850F MOT кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT6809EP | на замовлення 64 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MOT70N03D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 30V 7A 5.5m To-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V Power Dissipation (Max): 53W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT740F | MOT- | Transistor N-MOSFET; 400V; 20V; 550mOhm; 5,4A; 40W; -55°C ~ 150°C; MOT740F TO-220F MOT TIRF740 iso MOT кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT75N75D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 75V 75A 7.5m To-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 115W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT7N65AC | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To251 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT7N65AD | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To252 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT7N65F | MOT | TRANSISTOR Equivalent: MAGNACHIP MDF7N65BTH; MOT7N65F TO-220F T7N65F MOT кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT7N70C | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To251 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT7N70D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To252 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT7N70F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 38W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MOT7N80F | MOT | TRANS Equivalent: MOT7N80F; MOT7N80F TO-220F MOT T7N80F MOT кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|

