Продукція > NVT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVT4857UKAZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 20-Pin WLCSP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4857UKAZNXPDescription: NXP - NVT4857UKAZ - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 4 Eingänge, 2.9V bis 3.6V, 100mA, 3ns, WLCSP-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: WLCSP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 100mA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.9V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 3ns
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4857UKAZNXP USA Inc.Description: IC INTFACE SPECIALIZED 20WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V
Applications: Memory Card
Supplier Device Package: 20-WLCSP (2.1x1.7)
Part Status: Active
на замовлення 31515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.68 грн
10+71.93 грн
25+65.27 грн
100+54.36 грн
250+51.08 грн
500+49.10 грн
1000+46.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4857UKAZNXP USA Inc.Description: IC INTFACE SPECIALIZED 20WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V
Applications: Memory Card
Supplier Device Package: 20-WLCSP (2.1x1.7)
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+48.53 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4857UKAZNXPDescription: NXP - NVT4857UKAZ - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 4 Eingänge, 2.9V bis 3.6V, 100mA, 3ns, WLCSP-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: WLCSP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 100mA
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.9V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 3ns
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4857UKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels BL SECURE INTERFACES & POWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4857UKZNXP SemiconductorsSD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card voltage level translator with EMI filter and ESD protection
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4857UKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 20WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V
Applications: Memory Card
Supplier Device Package: 20-WLCSP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858-4557-EVBNXP SemiconductorsOther Development Tools Evalaution board for NVT4857 and NVT4858
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858-4557-EVBNXPDescription: NXP - NVT4858-4557-EVB - Referenzdesign-Board, INN3879C-H801, USB-Power-Delivery (PD)-Controller, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NVT4858, NVT4557
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: NXP
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NVT4858, NVT4557
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Spannungspegelumsetzer
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858-4557-EVBNXP USA Inc.Description: EVAL BOARD FOR NVT4557, NVT4858
Packaging: Box
Function: Level Shifter
Type: Interface
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: NVT4557, NVT4858
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2697.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858HKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card with EMI filter and ESD protection without LDO
на замовлення 124859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858HKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 6-CH Bidirectional 16-Pin XQFN T/R
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+32.98 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858HKZNXPDescription: NXP - NVT4858HKZ - Pegelumsetzer, 4 Eingänge, 1.08V bis 1.98V, xQFN-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: XQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: XQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.08V
Logiktyp: Pegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.98V
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858HKZNXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR 16-XQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-XFQFN
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 104Mbps
Supplier Device Package: 16-XQFN (1.8x2.6)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+35.09 грн
8000+33.06 грн
12000+32.69 грн
20000+30.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858HKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 6-CH Bidirectional 16-Pin XQFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858HKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 6-CH Bidirectional 16-Pin XQFN T/R
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858HKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 6-CH Bidirectional 16-Pin XQFN T/R
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.46 грн
13+62.80 грн
25+55.05 грн
100+48.68 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858HKZNXPDescription: NXP - NVT4858HKZ - Pegelumsetzer, 4 Eingänge, 1.08V bis 1.98V, xQFN-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: XQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: XQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.08V
Logiktyp: Pegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.98V
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858HKZNXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR 16-XQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-XFQFN
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 104Mbps
Supplier Device Package: 16-XQFN (1.8x2.6)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 46859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.46 грн
10+51.85 грн
25+46.83 грн
100+38.76 грн
250+36.28 грн
500+34.79 грн
1000+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858UKZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 104Mbps
Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.84x1.87)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858UKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card with EMI filter and ESD protection without LDO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858UKZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 104Mbps
Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.84x1.87)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.28 грн
10+105.52 грн
25+100.17 грн
100+77.22 грн
250+72.19 грн
500+63.79 грн
1000+49.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVT6200OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 6.2kg
Kind of display used: LCD
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Battery/ rechargeable battery: none
Scale load capacity max.: 6.2kg
Readout graduation: 1g
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale pan dimension: 230x174mm
Legalization certificate: no
Connectors for the country: Europe
Type of storage device: scales
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
Manufacturer series: Navigator
Battery life: ~270h
Max. environment humidity: 85%
Standard equipment: power supply
Operating temperature: 10...40°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+12873.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVT6201OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 6.2kg
Kind of display used: LCD
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Battery/ rechargeable battery: none
Scale load capacity max.: 6.2kg
Readout graduation: 0.1g
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale pan dimension: 230x174mm
Legalization certificate: no
Connectors for the country: Europe
Type of storage device: scales
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
Manufacturer series: Navigator
Battery life: ~270h
Max. environment humidity: 85%
Standard equipment: power supply
Body dimensions: 240x250x74mm
Operating temperature: 10...40°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+21995.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVT6400MOHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 6.4kg
Type of storage device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 6.4kg
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 2g
Operating temperature: 0...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: yes
Measuring unit: g; kg
Standard equipment: power supply
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Supply voltage: 230V AC
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Connectors for the country: Europe
Illumination: yes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTA7002NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 154mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
22+13.74 грн
100+8.60 грн
500+5.98 грн
1000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTA7002NT1GonsemiMOSFETs NFET SC75 30V 154MA 7OHM
на замовлення 716781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTA7002NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTA7002NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 154 mA, 7 ohm, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTA7002NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.154A Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTA7002NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 154mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.92 грн
6000+4.27 грн
9000+4.04 грн
15000+3.54 грн
21000+3.39 грн
30000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTA7002NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.154A Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+5.88 грн
198+3.83 грн
202+3.75 грн
217+3.36 грн
250+2.85 грн
500+2.51 грн
1000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTA7002NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTA7002NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 154 mA, 7 ohm, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTE4151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTE4151PT1GON SemiconductorMOSFET PFET SC89 760MA 20V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+133.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CLTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 142A; Idm: 706A; 27W; WDFN8
Case: WDFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
On-state resistance: 2.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 27W
Drain current: 142A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 706A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS002N04CLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 142 A, 2200 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 85W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+133.15 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.17 грн
10+143.64 грн
100+100.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CTAGonsemiMOSFETs 40V 2.4 mOhms 136A Single N-Channel
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+97.94 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 136A; Idm: 676A; 27W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 676A
Power dissipation: 27W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS003N04CTAGonsemiMOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 5433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS003N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS003N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS003N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.90 грн
10+99.18 грн
100+67.65 грн
500+50.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS003N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+49.47 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS003N04CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 103A; Idm: 484A; 22W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 103A
Pulsed drain current: 484A
Power dissipation: 22W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS003N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS003N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS004N04CETAGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 40V, 77A, 4.9mohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS004N04CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; Idm: 338A; 18W; WDFN8
Drain current: 77A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN8
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 338A
Power dissipation: 18W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS004N04CTAGonsemiMOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS004N04CTAGONN
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.60 грн
10+86.57 грн
100+59.44 грн
500+46.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+43.73 грн
3000+40.19 грн
4500+39.51 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS005N04CTAGonsemiMOSFETs T6 40V SG NCH U8FL
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS007N08HLTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 80V, 71A, 7mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS007N08HLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 80V 71A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.22 грн
10+88.61 грн
50+66.74 грн
100+56.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS007N08HLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 80V 71A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS008N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS008N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.36 грн
10+72.99 грн
100+51.73 грн
500+38.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 11.7A/57.8 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8 (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 11.7A/57.8 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8 (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS010N10MCLTAGonsemiMOSFETs PTNG 100V LL IN
на замовлення 29422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
656+53.96 грн
1000+49.77 грн
10000+44.36 грн
Мінімальне замовлення: 656 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAGonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 13.8 mohm, -49 A
на замовлення 4181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+40.86 грн
3000+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAGON SemiconductorMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 5259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+40.88 грн
3000+37.58 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.52 грн
10+52.46 грн
100+39.44 грн
500+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS015N04CTAGonsemiMOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 9667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS015N04CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 27A; Idm: 93A; 7.4W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 93A
Power dissipation: 7.4W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS015P03P8Zonsemi PT8P PORTFOLIO EXPANSION
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS015P03P8ZTAGonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS015P03P8ZTAGonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS015P03P8ZTAGonsemiMOSFET Power MOSFET, Single, P-Channel, u8FL -30 V, 7.5 mohm, -88.6 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS015P03P8ZTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single P-Channel Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS016N06CT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A
Power Dissipation (Max): 36W
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.95 грн
10+84.54 грн
100+56.93 грн
500+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS016N06CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 32A; Idm: 160A; 18W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 32A
Power dissipation: 18W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 160A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS016N06CTAGonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 5560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.17 грн
3000+34.05 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS020N06CTAGonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS020N06CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+39.69 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.55 грн
10+78.87 грн
50+59.31 грн
100+49.71 грн
500+39.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS020N06CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+88.48 грн
3000+88.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS020N06CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+88.55 грн
3000+88.10 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS020N06CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+60.10 грн
1000+55.43 грн
10000+49.42 грн
100000+39.92 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS020N06CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.