Продукція > QS5

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
QS5LV919-133JQPLCC
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5LV919-160JIDTPLCC28
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5LV919160JQS98+ PLCC-28
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5LV931
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5LV931-66Q
на замовлення 3118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U12ROHMSOT153
на замовлення 12680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U12TRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 900mW
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 2A
Gate charge: 2.8nC
On-state resistance: 154mΩ
Power dissipation: 0.9W
Pulsed drain current: 8A
Case: TSOT25
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U12TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V
на замовлення 2608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.38 грн
10+46.95 грн
100+30.72 грн
500+22.26 грн
1000+20.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U12TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U12TRROHMSOT153
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U12TRROHM SemiconductorMOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U13
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U13TRROHM SemiconductorMOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U13TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.89 грн
10+43.70 грн
100+28.49 грн
500+20.58 грн
1000+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U13TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U16ROHMSOT-153
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U16TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U16TRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 30V; 500mA; Idm: 2A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 0.5A
Gate charge: 2.8nC
On-state resistance: 154mΩ
Power dissipation: 1.25W
Pulsed drain current: 2A
Case: TSOT25
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U16TRROHM SemiconductorMOSFETs N-CH 30V 2A
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U16TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Supplier Device Package: TSMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U17ROHM
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U17-TR
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U17TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V
на замовлення 8691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
10+39.63 грн
100+27.46 грн
500+21.53 грн
1000+18.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U17TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 2A 5-Pin TSMT T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1032+13.71 грн
1080+13.11 грн
1090+12.98 грн
2000+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 1032 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U17TR
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U17TRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 1.25W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 2A
Gate charge: 2.8nC
On-state resistance: 154mΩ
Power dissipation: 1.25W
Pulsed drain current: 8A
Case: TSOT25
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U17TRROHM SemiconductorMOSFET N-CH 30V 2A
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U17TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U17TRROHMDescription: ROHM - QS5U17TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.1 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.71 грн
20+41.78 грн
100+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U21
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U21TRROHM SemiconductorMOSFETs P-CH 20V 1.5A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U21TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U21TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U23
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U23TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U23TRROHM SemiconductorMOSFETs P-CH 20V 1.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U26
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U26/U26ROHM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U26TRROHM SemiconductorMOSFETs P-CH 20V 1.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U26TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U26TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U26TR/U26ROHM
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U27ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U27TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U27TRROHMDescription: ROHM - QS5U27TR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.34 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1.5
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U27TR
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U27TRROHM SemiconductorMOSFETs P-CH 20V 1.5A
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U27TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 10 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.08 грн
10+45.74 грн
100+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U27TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 1.5A 5-Pin TSMT T/R
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+23.36 грн
629+22.51 грн
1000+21.77 грн
2500+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U28ROHM09+
на замовлення 14967 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U28TRROHM SemiconductorMOSFET P-CH 20V 2A
на замовлення 4303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U28TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U28TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V
на замовлення 5532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+51.02 грн
100+33.46 грн
500+24.32 грн
1000+22.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U33ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U33TRROHM SemiconductorMOSFETs 30V; 2A; P-Channel Single
на замовлення 2913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U33TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U33TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U33TRROHMDescription: ROHM - QS5U33TR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.225 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.225
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U34ROHMSOT153
на замовлення 3260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U34TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U34TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U34TRROHM SemiconductorMOSFETs N Chan20V1.5A Load Switching
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U36
на замовлення 6083 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U36TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U36TRROHM SemiconductorMOSFETs N Chan20V2.5A Load Switching
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U36TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.11 грн
10+35.17 грн
100+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5V991QSPLCC32
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5V991-2JRC
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5V991-5JR1QS00+
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5V991-5JRIQS00+ PLCC32
на замовлення 12294 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5V991-7JRIQSPLCC84
на замовлення 408 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5V9910-2SOC
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5V9910-5501
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5V9910-5S0107+
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5V9910-5S0I
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5V9910-5SOI
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5V9910-7SOI
на замовлення 358 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5V9912JRCQS00+ PLCC-32
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5V9915JRI
на замовлення 364 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5V993-2QCQS
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5V993-2QCYQ
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5V993-5Q1
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5V993-5QI
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5V993-5QIYQ
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5V993-7QI
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5W1TRRohm SemiconductorDescription: TRANS 2NPN 30V 3A TSMT5
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.81 грн
10+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5W1TRRohm SemiconductorDescription: TRANS 2NPN 30V 3A TSMT5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5W1TRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Isolated AC/DC Converter
на замовлення 1401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5W2TRRohm SemiconductorDescription: TRANS 2NPN 50V 3A TSMT5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5W2TRROHMDescription: ROHM - QS5W2TR - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 3 A, 1.25 W
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 320MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.25W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.48 грн
500+21.89 грн
1000+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5W2TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5W2TRRohm SemiconductorDescription: TRANS 2NPN 50V 3A TSMT5
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.81 грн
10+39.10 грн
100+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5W2TRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Isolated DC/DC Converter
на замовлення 10353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5W2TRROHMDescription: ROHM - QS5W2TR - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 3 A, 1.25 W
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 320MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.25W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.59 грн
18+46.82 грн
100+30.48 грн
500+21.89 грн
1000+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5Y1TRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Isolated DC/DC Converter
на замовлення 3059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5Y1TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP 30V 3A TSMT5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5Y1TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP 30V 3A TSMT5
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.30 грн
10+44.91 грн
100+34.46 грн
500+25.56 грн
1000+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5Y2ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS5Y2FSTRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP+NPN Driver Tran TSMT5
на замовлення 4648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5Y2FSTRRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DRIVER TRANSISTOR. DEVI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A / 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz, 300MHz
Supplier Device Package: TSMT5
на замовлення 9159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.46 грн
10+37.36 грн
100+25.99 грн
500+19.04 грн
1000+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]