Продукція > R65

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
R6520ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+443.64 грн
10+358.82 грн
100+290.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6520ENJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 650V 20A Power MOSFET. R6520ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+430.97 грн
100+383.67 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520ENJTLROHMDescription: ROHM - R6520ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.205 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+650.60 грн
33+439.63 грн
50+364.20 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+235.61 грн
63+226.64 грн
100+218.95 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+262.19 грн
57+252.20 грн
100+243.65 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+199.19 грн
85+167.36 грн
100+159.11 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520ENXC7GROHMDescription: ROHM - R6520ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6520ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 650V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+380.15 грн
50+215.88 грн
100+205.99 грн
500+161.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6520ENXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 20A N-CH MOSFET
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+349.52 грн
10+210.72 грн
100+168.61 грн
500+140.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6520ENZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6520ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+403.17 грн
10+380.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520ENZ4C13Rohm SemiconductorDescription: 650V 20A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+376.23 грн
30+198.13 грн
120+181.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6520ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+466.41 грн
32+446.36 грн
50+429.36 грн
100+399.98 грн
250+359.11 грн
500+335.37 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520ENZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+409.67 грн
10+352.54 грн
25+188.81 грн
100+179.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6520ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+504.45 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520ENZC17ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+423.49 грн
10+214.73 грн
100+172.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6520ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+477.34 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520ENZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.80 грн
30+332.61 грн
120+285.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6520ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520ENZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6520KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+294.73 грн
50+283.50 грн
100+273.88 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520KNJTLROHMDescription: ROHM - R6520KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 231
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6520KNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 650V 20A Power MOSFET. R6520KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+443.64 грн
10+358.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6520KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+650.60 грн
33+439.63 грн
50+364.20 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520KNJTLROHMDescription: ROHM - R6520KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520KNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+150.54 грн
100+143.81 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520KNX1C10Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+439.67 грн
34+420.79 грн
50+404.75 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520KNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6520KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.205 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.00 грн
10+134.93 грн
100+130.06 грн
500+115.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520KNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+199.19 грн
85+167.36 грн
100+157.94 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520KNX3C16ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+337.33 грн
10+209.12 грн
100+162.34 грн
500+140.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6520KNX3C16Rohm SemiconductorDescription: 650V 20A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.01 грн
50+243.87 грн
100+209.04 грн
500+174.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6520KNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520KNXC7GROHMDescription: ROHM - R6520KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6520KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+147.33 грн
105+135.54 грн
108+132.01 грн
200+126.15 грн
500+111.55 грн
1000+104.06 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 20A N-CH MOSFET
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+358.46 грн
10+197.90 грн
100+156.76 грн
500+152.58 грн
1000+142.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6520KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 650V 20A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.45 грн
50+264.11 грн
100+226.37 грн
500+188.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6520KNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6520KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 231
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+490.15 грн
10+422.68 грн
100+365.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+961.76 грн
18+814.43 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520KNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET Nch 650V 20A Power MOSFET. R6520KNZ4 is a power MOSFET for switching applications.
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520KNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+604.32 грн
30+464.34 грн
120+415.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6520KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520KNZC17ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+412.11 грн
10+257.20 грн
100+190.90 грн
600+190.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6520KNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+458.53 грн
30+231.57 грн
120+201.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6520KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+651.78 грн
25+571.63 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520KNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6520PROCKWELL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6521APROCKWELL04+ DIP40
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6521P1ROCKWELL04+ DIP40
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6522ROCKWELL01+ DIP40
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6522-31ROCKWELL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6522-41
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6522/P
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R652231ROCKWELL
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6522AC
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6522APROCKWELL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6522APEROCKWE
на замовлення 469 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6522PZPDIP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6522PEROCKWELDIP
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6522PO1ROCKWELDIP
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6523ROCKWELLDIP
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6523PROCKWEL04+ DIP
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6524ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6524ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+883.97 грн
24+599.92 грн
50+456.13 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6524ENJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 650V 24A Power MOSFET. R6524ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+540.54 грн
10+481.54 грн
100+346.27 грн
500+301.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6524ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+438.46 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6524ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+502.43 грн
10+437.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6524ENXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 24A N-CH MOSFET
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+188.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6524ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 650V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 750µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.12 грн
50+164.44 грн
100+160.33 грн
500+71.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6524ENZ4C13Rohm SemiconductorDescription: 650V 24A TO-247, LOW-NOISE POWER
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247G
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 750µA
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.44 грн
30+188.65 грн
120+184.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6524ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6524ENZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6524ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.185 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.35 грн
5+223.53 грн
10+222.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6524ENZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs 650V 24A TO-247, Low-noise Power MOSFET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.23 грн
25+212.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6524ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+500.56 грн
30+479.05 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6524ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+763.75 грн
23+621.14 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6524ENZC17ROHM SemiconductorMOSFETs 650V 24A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+530.79 грн
10+468.72 грн
25+266.15 грн
100+222.26 грн
300+197.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6524ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+506.20 грн
30+484.45 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6524KNJTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6524KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+502.43 грн
10+437.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6524KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+320.59 грн
56+255.53 грн
200+241.38 грн
500+209.12 грн
1000+188.58 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6524KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6524KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+393.49 грн
38+376.58 грн
50+362.24 грн
100+337.45 грн
250+302.97 грн
500+282.94 грн
1000+276.02 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6524KNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+327.19 грн
51+278.16 грн
100+234.78 грн
500+210.03 грн
1000+152.38 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6524KNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6524KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.185 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 253W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+332.45 грн
10+221.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6524KNX3C16Rohm SemiconductorDescription: 650V 24A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Power Dissipation (Max): 253W (Tc)
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+356.64 грн
10+308.78 грн
100+252.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6524KNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6524KNX3C16ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+418.62 грн
10+273.22 грн
100+172.79 грн
500+154.67 грн
1000+140.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6524KNX3C16Rohm SemiconductorDescription: 650V 24A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Power Dissipation (Max): 253W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6524KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 24A N-CH MOSFET
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.29 грн
10+225.15 грн
25+153.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6524KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+259.92 грн
57+250.01 грн
100+241.53 грн
250+225.84 грн
500+203.42 грн
1000+190.51 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6524KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+268.73 грн
69+207.44 грн
100+204.61 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6524KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 650V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+388.77 грн
50+296.69 грн
100+254.30 грн
500+212.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6524KNXC7GROHMDescription: ROHM - R6524KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.16 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 74
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6524KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6524KNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: 650V 24A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+511.83 грн
10+443.21 грн
100+363.11 грн
500+290.09 грн
1000+244.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6524KNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6524KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.185 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+253.61 грн
5+247.10 грн
10+240.60 грн
50+218.13 грн
100+195.78 грн
250+190.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]