Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STF11NM60NDSTMN-CH 600V 10A TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM65NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.89 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM65N
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM65NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Channel 650V Pwr Mosfet
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.87 грн
10+123.05 грн
100+84.91 грн
500+74.56 грн
1000+68.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM65NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+86.89 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+492.39 грн
50+254.22 грн
100+232.98 грн
500+183.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+442.07 грн
50+204.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+233.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+517.07 грн
10+273.10 грн
100+218.15 грн
500+193.99 грн
1000+189.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80STTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 400mOhm; 11A; 35W; -65°C ~ 150°C; STF11NM80 TSTF11NM80
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+124.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+232.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+302.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80STMN-кан. 800V - 0.35 Ом - 11A TO-220/FP/D2PAK/TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+413.97 грн
10+214.24 грн
100+203.77 грн
500+170.51 грн
1000+156.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+397.34 грн
38+380.28 грн
50+365.79 грн
100+340.75 грн
250+305.94 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80(транзистор)
Код товару: 60715
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80FP
на замовлення 54380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NN80
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF120NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 41A TO220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V 12A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12100SMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 12A; ITO220AB; Ufmax: 0.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AB
Max. forward voltage: 0.7V
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12A60
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF12A80
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1124.55 грн
23+635.98 грн
50+626.27 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+967.58 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N120K5STMN-Channel 1200 V 12A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N120K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF12N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1306.36 грн
5+993.06 грн
10+877.08 грн
50+706.74 грн
100+601.98 грн
250+559.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1199.54 грн
13+1169.58 грн
25+674.72 грн
100+650.20 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1149.27 грн
10+640.82 грн
100+597.82 грн
500+550.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N120K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N120K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+778.96 грн
50+423.04 грн
100+391.50 грн
500+340.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N50DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 0.35Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 500V
на замовлення 436 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+163.76 грн
10+98.88 грн
25+87.25 грн
50+83.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N50DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.05 грн
10+90.50 грн
100+71.11 грн
500+57.02 грн
1000+53.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N50DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 100 V
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.28 грн
50+90.13 грн
100+81.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N50DM2
Код товару: 181822
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N50DM2STMN-Channel 500V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N50M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 100 V
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.11 грн
50+69.36 грн
100+62.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N50M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF12N50M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.325 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.325ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.12 грн
10+146.58 грн
100+91.01 грн
500+64.77 грн
1000+55.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N50M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
262+54.31 грн
Мінімальне замовлення: 262 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N50M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.20 грн
50+62.57 грн
100+61.96 грн
500+54.31 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N50M2STMMOSFET N-CH 500V 10A TO220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N50M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 85W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 85W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.38Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N50M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+69.46 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N50M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.78 грн
10+69.62 грн
100+53.78 грн
500+43.22 грн
1000+39.63 грн
2000+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 36A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
на замовлення 2026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.36 грн
10+67.72 грн
100+52.74 грн
500+41.77 грн
1000+37.62 грн
2000+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.46 грн
50+63.55 грн
100+56.85 грн
500+42.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 32A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 16.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M2STMMOSFET N-CH 650V 8A TO220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.16 грн
10+89.71 грн
100+64.68 грн
500+52.33 грн
2000+44.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 100 V
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.85 грн
50+83.75 грн
100+75.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF12N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.60 грн
10+94.23 грн
100+78.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.41 грн
10+87.19 грн
100+75.37 грн
500+66.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+175.96 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+92.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+108.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF12N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8.5 A, 0.39 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+258.53 грн
10+134.50 грн
100+100.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.33 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+92.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 8.5A; Idm: 34A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 34A
Gate charge: 20nC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+447.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+97.80 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M5
на замовлення 913 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M5STMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET N-CH 650V
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.81 грн
10+128.61 грн
100+86.29 грн
500+75.25 грн
1000+68.90 грн
5000+67.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+154.56 грн
114+124.96 грн
122+116.85 грн
250+99.84 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12NK60Z
на замовлення 9580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF12NK60ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 V 0.53 Ohm Zener SuperMESH 10A
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+317.33 грн
10+159.57 грн
100+117.36 грн
500+102.86 грн
1000+102.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
stf12nk65z
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
stf12nk65zSTMicroelectronicsMOSFET N-ch 650V 0.57 Ohm 10A SuperMESH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
stf12nk65zSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 10A TO-220FP
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF12NK80ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.65 Ohm typ., 10.5 A SuperMESH Power MOSFET in a TO-220 packag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12NM50NSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 V 0.33 Ohm 11 A 2nd Gen MDmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12NM50NSTM
на замовлення 67000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF12NM50NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 500 V 11 A Fdmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12NM50NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 600V 0.35 Ohm 10A Pwr MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12NM60N
Код товару: 132476
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12NM65STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V TO220FP
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12PF06STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 8A TO-220FP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12PF06
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF130N10F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 46A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3305 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF130N10F3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 8mOhm 46A STripFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.35 грн
10+99.24 грн
100+75.94 грн
500+61.72 грн
1000+54.95 грн
2000+51.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+187.03 грн
10+106.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.38 грн
50+91.79 грн
100+82.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  Наступна Сторінка >> ]