Продукція > STF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STF11NM60ND | STM | N-CH 600V 10A TO-220FP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF11NM65N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF11NM65N | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF11NM65N | на замовлення 24 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF11NM65N | STMicroelectronics | MOSFETs N-Channel 650V Pwr Mosfet | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF11NM65N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF11NM8 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF11NM80 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V | на замовлення 857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF11NM80 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 35W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD | на замовлення 126 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF11NM80 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF11NM80 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh | на замовлення 877 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF11NM80 | ST | Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 400mOhm; 11A; 35W; -65°C ~ 150°C; STF11NM80 TSTF11NM80 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 47 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF11NM80 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF11NM80 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF11NM80 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF11NM80 | STM | N-кан. 800V - 0.35 Ом - 11A TO-220/FP/D2PAK/TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF11NM80 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STF11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF11NM80 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF11NM80(транзистор) Код товару: 60715
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| STF11NM80FP | на замовлення 54380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF11NN80 | на замовлення 28 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF120NF10 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 100V 41A TO220FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Supplier Device Package: TO-220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF12100 | SMC Diode Solutions | Description: DIODE SCHOTTKY 100V 12A ITO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: ITO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF12100 | SMC DIODE SOLUTIONS | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 12A; ITO220AB; Ufmax: 0.7V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.1kV Load current: 12A Semiconductor structure: single diode Case: ITO220AB Max. forward voltage: 0.7V Max. forward impulse current: 200A Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF12A60 | на замовлення 2436 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF12A80 | на замовлення 1300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF12N120K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF12N120K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF12N120K5 | STM | N-Channel 1200 V 12A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF12N120K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF12N120K5 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STF12N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 40W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm | на замовлення 2810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF12N120K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF12N120K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF12N120K5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF12N120K5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 1200V 12A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V | на замовлення 599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF12N120K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF12N50DM2 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 25W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 16nC On-state resistance: 0.35Ω Kind of channel: enhancement Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Gate-source voltage: ±25V Drain-source voltage: 500V | на замовлення 436 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF12N50DM2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack | на замовлення 128 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF12N50DM2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 100 V | на замовлення 365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF12N50DM2 Код товару: 181822
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| STF12N50DM2 | STM | N-Channel 500V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF12N50M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 100 V | на замовлення 327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF12N50M2 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STF12N50M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.325 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh II Plus productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.325ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF12N50M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF12N50M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF12N50M2 | STM | MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF12N50M2 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 85W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 85W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 15nC On-state resistance: 0.38Ω Kind of channel: enhancement Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Gate-source voltage: ±25V Drain-source voltage: 500V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF12N50M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF12N50M2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag | на замовлення 163 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF12N60M2 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 36A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 16nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF12N60M2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package | на замовлення 2026 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF12N60M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V | на замовлення 684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF12N65M2 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 32A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 32A Gate charge: 16.7nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF12N65M2 | STM | MOSFET N-CH 650V 8A TO220FP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF12N65M2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package | на замовлення 1048 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF12N65M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 100 V | на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF12N65M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF12N65M2 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STF12N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF12N65M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF12N65M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF12N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF12N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF12N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF12N65M5 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STF12N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8.5 A, 0.39 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF12N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF12N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF12N65M5 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 8.5A; Idm: 34A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 8.5A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.43Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 34A Gate charge: 20nC | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF12N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF12N65M5 | на замовлення 913 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF12N65M5 | STMicroelectronics | MOSFETs POWER MOSFET N-CH 650V | на замовлення 1671 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF12N65M5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-5 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF12N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF12NK60Z | на замовлення 9580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF12NK60Z | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 600 V 0.53 Ohm Zener SuperMESH 10A | на замовлення 547 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF12NK60Z | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| stf12nk65z | на замовлення 38000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| stf12nk65z | STMicroelectronics | MOSFET N-ch 650V 0.57 Ohm 10A SuperMESH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| stf12nk65z | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO-220FP | на замовлення 824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF12NK80Z | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 800 V, 0.65 Ohm typ., 10.5 A SuperMESH Power MOSFET in a TO-220 packag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF12NK80Z | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF12NM50N | STM | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF12NM50N | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 500 V 0.33 Ohm 11 A 2nd Gen MDmesh | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF12NM50N | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF12NM50N | STM | на замовлення 67000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| STF12NM50ND | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 500 V 11 A Fdmesh | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF12NM50ND | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF12NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N Ch 600V 0.35 Ohm 10A Pwr MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF12NM60N | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF12NM60N Код товару: 132476
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| STF12NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF12NM65 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V TO220FP Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220FP Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF12PF06 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 60V 8A TO-220FP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF12PF06 | на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF130N10F3 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 100V 46A TO220FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3305 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 23A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF130N10F3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 8mOhm 46A STripFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF13N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack | на замовлення 822 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF13N60DM2 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.365Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 44 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF13N60DM2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STF13N60DM2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V | на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STF13N60M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |

