Продукція > STF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STF11NM60NDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF11NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM60ND
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+390.34 грн
50+196.41 грн
100+179.05 грн
500+139.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
900+108.43 грн
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM60NDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 30nC
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+298.04 грн
10+190.37 грн
25+177.79 грн
50+169.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM65NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+86.70 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM65N
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM65NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Channel 650V Pwr Mosfet
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM65NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.70 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80STMN-кан. 800V - 0.35 Ом - 11A TO-220/FP/D2PAK/TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+232.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+478.68 грн
10+258.30 грн
50+227.27 грн
100+214.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+301.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80STTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 400mOhm; 11A; 35W; -65°C ~ 150°C; STF11NM80 TSTF11NM80
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+121.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+396.46 грн
38+379.43 грн
50+364.98 грн
100+340.00 грн
250+305.26 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+535.35 грн
50+277.28 грн
100+254.32 грн
500+200.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+232.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80(транзистор)
Код товару: 60715
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80FP
на замовлення 54380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NN80
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF120NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 41A TO220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12100SMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 12A; ITO220AB; Ufmax: 0.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AB
Max. forward voltage: 0.7V
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V 12A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12A60
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF12A80
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N120K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+965.43 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1196.87 грн
13+1166.98 грн
25+673.22 грн
100+648.76 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1146.72 грн
10+639.40 грн
100+596.49 грн
500+549.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N120K5STMN-Channel 1200 V 12A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N120K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+786.17 грн
50+426.95 грн
100+395.12 грн
500+343.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N120K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF12N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1122.05 грн
23+634.57 грн
50+624.88 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N50DM2
Код товару: 181822
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N50DM2STMN-Channel 500V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N50DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 100 V
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.52 грн
50+93.80 грн
100+84.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N50DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N50DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 16nC
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.35Ω
Pulsed drain current: 44A
на замовлення 418 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+165.28 грн
10+99.80 грн
25+88.06 грн
50+84.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N50M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N50M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 85W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 85W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 15nC
Drain current: 10A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Pulsed drain current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N50M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.06 грн
50+62.43 грн
100+61.83 грн
500+54.19 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N50M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF12N50M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.325 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.325ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N50M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+69.30 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N50M2STMMOSFET N-CH 500V 10A TO220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N50M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 100 V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.82 грн
50+76.66 грн
100+68.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N50M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
262+54.19 грн
Мінімальне замовлення: 262 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.87 грн
10+86.88 грн
50+65.47 грн
100+54.96 грн
500+43.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 36A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 100 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.63 грн
10+113.37 грн
50+86.27 грн
100+72.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M2STMMOSFET N-CH 650V 8A TO220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 32A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 16.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.20 грн
10+86.99 грн
100+75.21 грн
500+66.09 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+175.57 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF12N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 8.5A; Idm: 34A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 34A
Gate charge: 20nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.11 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+92.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+97.58 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF12N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8.5 A, 0.39 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+154.22 грн
114+124.68 грн
122+116.59 грн
250+99.61 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.90 грн
10+174.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+92.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+108.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M5
на замовлення 913 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M5STMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET N-CH 650V
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF12NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12NK60Z
на замовлення 9580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF12NK60ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 V 0.53 Ohm Zener SuperMESH 10A
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
stf12nk65z
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
stf12nk65zSTMicroelectronicsMOSFET N-ch 650V 0.57 Ohm 10A SuperMESH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
stf12nk65zSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 10A TO-220FP
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF12NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12NK80ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.65 Ohm typ., 10.5 A SuperMESH Power MOSFET in a TO-220 packag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12NM50NSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 V 0.33 Ohm 11 A 2nd Gen MDmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12NM50NSTM
на замовлення 67000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF12NM50NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12NM50NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 500 V 11 A Fdmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 600V 0.35 Ohm 10A Pwr MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12NM60N
Код товару: 132476
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12NM65STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V TO220FP
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF12PF06STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 8A TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12PF06
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF130N10F3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 8mOhm 46A STripFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF130N10F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 46A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3305 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]