Продукція > SUD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SUD30N03-30 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD30N03-30 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 30A 50W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD30N03-30-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 30A 50W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD30N03-30-T4 | на замовлення 3822 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUD30N03-30-T4 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V-30MILLIOHM N-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD30N04-10 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 40V 30A 97W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD30N04-10 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD30N04-10-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 40V 30A 97W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD30N04-10-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD30N04-10-T4 | Vishay / Siliconix | MOSFET 40V N-CH 12MTRENCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD35N05 | на замовлення 15 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUD35N05-26 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUD35N05-26L | Vishay | TO-252, N-Channel MOSFET, Vds=55V, Id=35A,–55...+175 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD35N05-26L | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD35N05-26L Код товару: 122656
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SUD35N05-26L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD35N05-26L-E3 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUD35N05-26L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO252 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD35N10-26 | на замовлення 35 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUD35N10-26P-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUD35N10-26P-BE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 83W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD35N10-26P-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V | на замовлення 2217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUD35N10-26P-BE3 | Vishay | SUD35N10-26P-BE3 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUD35N10-26P-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO252 100V 35A N-CH MOSFET | на замовлення 24668 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUD35N10-26P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD35N10-26P-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD35N10-26P-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 100V 35A 83W 26mohm @ 10V | на замовлення 3166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUD35N10-26P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUD35N10-26P-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 1340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUD35N10-26P-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V | на замовлення 1027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUD35N10-26P-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 100V 35A 83W 26mohm @ 10V | на замовлення 6847 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUD35N10-26P-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD35N10-26P-GE3 | Vishay | N-Channel 100 V MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD35N10-26P-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 83W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD35N10-26P-T4-E3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD35N10-26P-T4GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD35N10-26P-T4GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Channel 100-V D-S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD40151EL-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD40151EL-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V Vds 20V Vgs TO-252 | на замовлення 60861 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUD40151EL-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 42A TO252AA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 17.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUD40151EL-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD40151EL-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 42A TO252AA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 17.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD40N02-08 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD40N02-08-E3 | на замовлення 1931 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUD40N02-08-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 40A TO252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD40N02-3M3P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 24.4A/40A TO252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD40N03 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUD40N03-18 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUD40N03-18P | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD40N04-10A | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD40N04-10A-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 40A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD40N04-10A-E3 | VISHAY | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SUD40N04-10A-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 40A TO252 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 71W (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD40N04-10AE3 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUD40N06 Код товару: 58679
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SUD40N06-24 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUD40N06-24-T4 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V N-CH .024 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD40N06-25L | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD40N06-25L | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V 20A 75W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD40N06-25L Код товару: 88851
Додати до обраних
Обраний товар
| 8542 39 90 00 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SUD40N06-25L-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V 20A 75W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD40N06-25L-E3 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUD40N06-25L-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD40N06-25L-T4 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V AS 10MIL TRIMTL2 @2V 25R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD40N0625LE3 | VISHAY | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SUD40N08-16 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD40N08-16 | Vishay / Siliconix | MOSFET 80V 40A 100W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD40N08-16-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD40N08-16-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 6560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUD40N08-16-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 40A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUD40N08-16-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD40N08-16-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 80V 40A 100W | на замовлення 4551 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUD40N08-16-E3 | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD40N08-16-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 40A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V | на замовлення 5153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUD40N08-16-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 1045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUD40N08-16-T4 | VISHAY | 09+ DIP | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD40N10-25 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD35N10-26P-GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD40N10-25 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD40N10-25-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | на замовлення 4330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUD40N10-25-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD40N10-25-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | на замовлення 3700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUD40N10-25-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD40N10-25-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs RECOMMENDED ALT SUD3 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUD40N10-25-T4-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 100-V D-S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD40N10-25-T4-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD40N1025 | Vishay | 0433 | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD40P03-20 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUD42N03-3M9P-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD42N03-3M9P-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD42N03-3M9P-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD45N05 | на замовлення 1050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUD45N05-20L | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD45N05-20L | Vishay / Siliconix | MOSFETs 50V 30A 75W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD45N05-20L-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD23N06-31-GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD45P03 | на замовлення 682 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUD45P03-09-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 45A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD45P03-09-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 45A PCH | на замовлення 13533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD45P03-09-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD45P03-09-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 45 A, 0.0072 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 45 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 41.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 41.7 Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD45P03-10 | Vishay | TO252 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD45P03-10 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD45P03-10-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 70W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

