Продукція > DMP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMP58D0SV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP58D0SV-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.16A; 0.4W; SOT563; ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP58D1LV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 50V 0.22A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.59 грн
30000+4.33 грн
50000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP58D1LV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 50V 0.22A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
15+20.72 грн
100+10.49 грн
500+8.03 грн
1000+5.96 грн
2000+5.01 грн
5000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP58D1LV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP58D1LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 50V 0.22A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.55 грн
6000+5.11 грн
9000+4.42 грн
30000+4.07 грн
75000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP58D1LV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP58D1LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 50V 0.22A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
15+20.72 грн
100+10.49 грн
500+8.03 грн
1000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP58D1LVQ-13Diodes IncorporatedDiodes Inc. MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP58D1LVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 50V 0.22A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP58D1LVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 50V 0.22A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.53 грн
6000+5.09 грн
9000+4.40 грн
30000+4.06 грн
75000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP58D1LVQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 3K
на замовлення 1442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6018LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 30 V
на замовлення 12413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.60 грн
10+95.35 грн
100+75.91 грн
500+60.27 грн
1000+51.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6018LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6018LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -48A; Idm: -240A; 2.6W
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 2.6W
Gate charge: 13.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6018LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.71 грн
5000+49.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6018LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6018LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 A, 0.013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.6W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6018LPSQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -48A; Idm: -240A; 2.6W
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 2.6W
Gate charge: 13.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Application: automotive industry
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6018LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.73 грн
10+112.40 грн
100+76.99 грн
500+58.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6018LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6018LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 A, 0.013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 2.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.6W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6018LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6018LPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LEDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7A/18.2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LE-13Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch 60V Enh Mode 145W 20Vgs 2569pF
на замовлення 20703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.48 грн
5000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6023LE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.2 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 17.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 2041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.37 грн
5000+24.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7A/18.2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.75 грн
10+57.21 грн
25+48.13 грн
50+39.85 грн
100+35.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LE-13DiodesMOSFET P-Ch 60V Enh Mode 145W 20Vgs 2569pF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6023LE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.2 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 17.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 17.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 2041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LEQDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LEQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6023LEQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.2 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LEQ-13
Код товару: 194335
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LEQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7A SOT223 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LEQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LEQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6023LEQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.2 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LEQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7A SOT223 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.30 грн
10+58.03 грн
100+38.54 грн
500+28.30 грн
1000+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-13DiodesMOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-13
Код товару: 165151
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
очікується: 25 шт
  • 25 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.2A; Idm: -55A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -6.2A
Pulsed drain current: -55A
Power dissipation: 1W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.60 грн
10+72.77 грн
25+61.42 грн
50+50.98 грн
100+45.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF
на замовлення 17718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
на замовлення 15154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.39 грн
10+68.65 грн
25+57.92 грн
50+48.10 грн
100+42.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6023LFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.025 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 9104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+31.06 грн
6000+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6023LFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.025 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 9104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-7DiodesMOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-7 транзистор
Код товару: 214612
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 5799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 97900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+29.98 грн
500+26.03 грн
1000+24.60 грн
3000+19.66 грн
6000+18.02 грн
9000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.41 грн
10+60.28 грн
25+50.71 грн
50+42.04 грн
100+37.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.62 грн
6000+30.91 грн
9000+27.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 97900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
473+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 473 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6023LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.025 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-7DiodesMOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.41 грн
10+60.28 грн
25+50.71 грн
50+42.04 грн
100+37.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.40 грн
4000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6023LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.025 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 19596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6023LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.6 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
514+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 514 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LSS-13Diodes INC.P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 6,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2569 @ 30, Rds = 25 мОм @ 5 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 4025 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 6.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
на замовлення 10092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.04 грн
7500+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+27.59 грн
500+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.49 грн
5000+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF
на замовлення 11778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6023LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.6 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.73 грн
5000+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LSS-13DiodesMOSFET P-CH 60V 6.6A SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 6.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
на замовлення 10092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.74 грн
10+61.62 грн
25+51.81 грн
50+42.92 грн
100+38.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V P-Ch Enh FET 20Vgss 1.8W
на замовлення 6043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
на замовлення 1514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.87 грн
10+54.89 грн
25+46.13 грн
50+38.18 грн
100+33.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.00 грн
10+43.90 грн
100+28.69 грн
500+20.78 грн
1000+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.