Продукція > DMP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 38  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMP6023LE-13DiodesMOSFET P-Ch 60V Enh Mode 145W 20Vgs 2569pF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.37 грн
5000+24.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7A/18.2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.21 грн
10+52.13 грн
100+34.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LEQDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LEQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6023LEQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.2 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.26 грн
13+65.72 грн
100+46.55 грн
500+33.88 грн
1000+28.37 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LEQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7A SOT223 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.30 грн
10+58.03 грн
100+38.54 грн
500+28.30 грн
1000+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LEQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.40 грн
10+58.75 грн
100+35.41 грн
500+27.75 грн
1000+25.20 грн
2500+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LEQ-13
Код товару: 194335
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LEQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7A SOT223 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LEQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6023LEQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.2 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.55 грн
500+33.88 грн
1000+28.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-13
Код товару: 165151
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-13DiodesMOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.24 грн
10+48.61 грн
100+33.68 грн
500+25.29 грн
1000+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF
на замовлення 33357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.62 грн
10+57.64 грн
100+33.21 грн
500+28.30 грн
1000+25.61 грн
3000+23.20 грн
6000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF
на замовлення 9729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.28 грн
100+26.65 грн
500+25.40 грн
1000+23.13 грн
2000+20.92 грн
4000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6023LFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.025 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.52 грн
50+35.36 грн
100+34.55 грн
500+31.34 грн
1000+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
на замовлення 10256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.31 грн
10+54.30 грн
100+35.94 грн
500+26.32 грн
1000+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6023LFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.025 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.55 грн
500+31.34 грн
1000+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-7DiodesMOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+23.54 грн
4000+20.92 грн
6000+20.03 грн
10000+18.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFG-7 транзистор
Код товару: 214612
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 4944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.17 грн
10+48.03 грн
100+26.51 грн
500+21.19 грн
1000+19.33 грн
3000+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 97900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+29.98 грн
500+26.03 грн
1000+24.60 грн
3000+19.66 грн
6000+18.02 грн
9000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.62 грн
6000+30.91 грн
9000+27.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.55 грн
10+49.36 грн
100+32.42 грн
500+23.59 грн
1000+21.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 97900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
473+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 473 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6023LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.025 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.84 грн
14+59.68 грн
100+39.22 грн
500+28.34 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-7DiodesMOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.40 грн
4000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 19596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.53 грн
10+46.60 грн
100+27.68 грн
500+21.95 грн
1000+20.30 грн
2000+18.02 грн
4000+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.55 грн
10+49.36 грн
100+32.42 грн
500+23.59 грн
1000+21.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6023LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.025 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.22 грн
500+28.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 6.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
на замовлення 5845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.54 грн
10+53.62 грн
100+35.39 грн
500+25.84 грн
1000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
514+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 514 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6023LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.6 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.15 грн
50+60.32 грн
100+39.95 грн
500+26.40 грн
1000+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+27.59 грн
500+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF
на замовлення 11778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.57 грн
10+53.91 грн
100+29.48 грн
500+22.78 грн
1000+21.75 грн
2500+18.85 грн
5000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 6.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.13 грн
5000+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.49 грн
5000+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6023LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.6 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.95 грн
500+26.40 грн
1000+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LSS-13Diodes INC.P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 6,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2569 @ 30, Rds = 25 мОм @ 5 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 4025 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.73 грн
5000+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LSS-13DiodesMOSFET P-CH 60V 6.6A SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
на замовлення 7465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.00 грн
10+43.90 грн
100+28.69 грн
500+20.78 грн
1000+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.02 грн
6000+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V P-Ch Enh FET 20Vgss 1.8W
на замовлення 6043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.36 грн
10+44.14 грн
100+25.06 грн
500+19.33 грн
1000+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.00 грн
10+43.90 грн
100+28.69 грн
500+20.78 грн
1000+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 60V P-Ch Enh FET 20Vgss 1.8W
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.33 грн
10+45.41 грн
100+26.58 грн
250+26.51 грн
500+20.92 грн
1000+18.78 грн
2000+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 5.7A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2163 pF @ 30 V
на замовлення 725000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.15 грн
5000+16.11 грн
7500+16.02 грн
12500+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 5208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.61 грн
10+47.55 грн
100+28.17 грн
250+26.37 грн
500+21.26 грн
1000+19.47 грн
2500+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SPS-13DiodesMOSFET P-CH 60V 5.7A PWRDI5060-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6050SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.043 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.10 грн
16+52.11 грн
100+31.01 грн
500+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 5.7A PWRDI5060-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2163 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 725602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.57 грн
10+44.27 грн
100+27.07 грн
500+20.09 грн
1000+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6050SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.043 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.05 грн
500+23.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SPSW-13Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2163 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SSDDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A 8-Pin SO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A 8-Pin SO T/R
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.70 грн
15+53.63 грн
25+53.15 грн
100+37.66 грн
250+34.53 грн
500+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A 8-Pin SO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A 8-Pin SO T/R
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+53.15 грн
363+39.06 грн
367+38.67 грн
559+24.49 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SSD-13
Код товару: 143724
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SSD-13Diodes INC.2P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 4,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1293 @ 30, Qg, нКл = 24 @ 10 В, Rds = 55 мОм @ 5 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A 8-Pin SO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.14 грн
10+40.98 грн
100+27.94 грн
500+24.54 грн
1000+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A 8-Pin SO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SSD-13DiodesMOSFET 2P-CH 60V 4.8A SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -3.9A; Idm: -32A; 1.2W; SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -32A
Drain current: -3.9A
On-state resistance: 55mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.69 грн
11+39.89 грн
25+35.57 грн
100+29.67 грн
500+24.01 грн
1000+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A 8-Pin SO T/R
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 38  [ Наступна Сторінка >> ]